Наши возможности
Академик РАН
С.В. Гапонов
1937-2024
Член-корреспондент РАН
Н.Н. Салащенко
1941-2024
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

Наши возможности

Наши возможности



ИФМ РАН располагает различным современным научным оборудованием, часть которого является уникальным в России.

В 2003 году для повышения эффективности использования имеющегося обрудования в ИФМ РАН был создан «центр коллективного пользования Физика и технология микро- и наноструктур».

В ноябре 2005 года в институте был введен в эксплуатацию «уникальный стенд Фемтоспектр» для нано- и пикосекундной спектроскопии.

Также институт располагает отдельным оборудованием, закрепленным за научными подразделениями:

    Оборудование отдела 110;
    Оборудование отдела 120;
    Оборудование отдела 130;
    Оборудование отдела 140;
    Оборудование отдела 150;
    Оборудование отдела 160.

Оборудование института

Рентгеновский дифрактометр Bruker D8 Discover.
Низкотемпературный сканирующий туннельный микроскоп производства компании Омикрон.

Уникальный стенд «Фемтоспектр»


Описание

УСУ «Фемтоспектр» введен в эксплуатацию в ноябре 2005 г и расположен в лабораторном корпусе ИФМ РАН.

Стенд состоит из двух основных частей, исследования на которых могут проводиться одновременно:

  • наносекундная спектроскопия;
  • фемтосекундная спектроскопия.

Таким образом, УСУ «Фемтоспектр» составляет приборную базу для экспериментальных исследований спектрокинетических и фотоэлектрических свойств полупроводниковых наноструктур на основе Si, SiGe и А3B5:

  • кинетики люминесценции и фотовозбуждения с нано- и фемтосекундным разрешением;
  • спектров возбуждения люминесценции светоизлучающих центров;
  • лазерной генерации в полупроводниковых наноструктурах;
  • фотоэлектрических и оптических свойств наноструктур;
  • генерации и детектирования терагерцового излучения в наноструктурах;
  • моделирования ионизационного воздействия радиации на полупроводниковые структуры и приборы.

УСУ «Фемтоспектр» предоставляет услуги в области спектроскопии полупроводниковых гетероструктур и наноструктур, многослойных металлических и магнитных структур и высокотемпературных сверхпроводников. Основной объем услуг предоставляется в форме обеспечения совместных научных исследований в области физики и технологии микро- и наноструктур ИФМ РАН с научными коллективами РАН, НИИ и вузов Поволжского региона по приоритетным направлениям развития науки, технологий и техники «Индустрия наносистем и материалы», «Информационно-телекоммуникационные системы и электроника», «Безопасность и противодействие терроризму», а также в форме предоставления оборудования УСУ для проведения учебно-исследовательской и научно-исследовательской работы студентам и аспирантам вузов нижегородского региона.

Документ pdfПрезентация УСУ «Фемтоспектр» (1,3 Мбайт)

Руководитель работ

Красильник Захарий Фишелевич, Руководитель научного направления «Физика микро- и наноструктур»;

Телефон: (831) 417 94 73;
Факс: (831) 417 94 74;
E-mail: zfk@ipmras.ru.

Оборудование УСУ «Фемтоспектр»

Оборудование, используемое для наносекундной спектроскопии

  • Импульсный лазер накачки Quanta-Ray PRO-230-10 для оптического параметрического генератора MOPO-SL (частота повторения импульсов — 10 Гц, длительность импульса — 10 нс, энергия в импульсе на длине волны 355 нм — 375 мДж);
  • Оптический параметрический осциллятор MOPO-SL (диапазон перестройки выходной длины волны — 440-1850 нм, ширина линии < 0.2 см-1, энергия в импульсе — 40 мДж на длине волны 500 нм);
  • Импульсный лазер Nd: YAG LQ-129 (частота повторения импульсов — 20 Гц, длительность импульса — 10 нс, энергия в импульсе на длине волны 1064 нм — 350 мДж, 532 нм — 190 мДж, 355 нм — 90 мДж);
  • Измерители мощности излучения: фотодиодный детектор непрерывного излучения на основе фотодиода InGaAs для измерения сверхмалых мощностей вплоть до 10 пВт, термопарный детектор непрерывного излучения и пироэлектрический детектор импульсного излучения;
  • Система регистрации сигналов люминесценции, фотопроводимости, поглощения;
  • Многоэлементный (1024 InGaAs фотодиода) приемник с рабочим диапазоном 1-2,2 мкм (OMA-V:1024-2.2 Princeton Instruments Digital InGaAs Detector System);
  • Двухканальный цифровой запоминающий осциллограф WS 432 Le Croy с полосой 350 МГц;
  • Вакуумный фурье-спектрометр Vertex 80V фирмы Bruker, рабочий диапазон 400-5000 см-1;
  • Высокочувствительная система детектирования IR и FTIR спектроскопии S&I-IR07 в комплекте.
  • Низкошумящие усилители напряжения и тока SR560 (2 шт.) SR570 «Stanford Research System»
  • Синхронный детектор SR 810 «Stanford Research System»

Оборудование, используемое для фемтосекундной спектроскопии

  • Титан-сапфировый лазер «Tsunami» (диапазон перестройки 730-850 нм, длительность импульса < 130 фс, частота повторения 82 МГц, средняя мощность 900 мВт);
  • Твердотельный лазер накачки на основе иттрий-алюминиевого граната «Millenia» для фемтосекундного лазера «Tsunami» (непрерывный режим, 5 Вт, 532 нм);
  • Регенеративный усилитель «Spitfire» (диапазон перестройки 750-900 нм, длительность импульса 130 фс, частота повторения 5 кГц, энергия в имульсе 0.3 мДж);
  • Твердотельный лазер накачки на основе иттрий-алюминиевого граната «Empower» для регенеративного усилителя «Spitfire» (5 кГц, Pavg=20Вт на длине волны 532 нм);
  • Параметрический усилитель OPA-800CF-0.3 (диапазон перестроики 1.1-2.8 мкм, с частотой повторения 5 кГц, мощность в импульсе 18 мкДж на длине волны 1.3 мкм (signal) 10 мкДж на длине волны 2.08 мкм);
  • Высокоэффективный фемтосекундный преобразователь TP-F-THG для получения второй и третьей гармоник излучения регенеративного усилителя «Spitfire» с длиной волны 800 нм;
  • Система регистрации люминесценции по методу up-conversion (FOG-100) при возбуждении образца основной и второй гармониками фемтосекундного титан-сапфирового осциллятора, включающая в себя оптическую линию задержки (шаг — 6,25 фс, максимальная задержка — 2 нс), двойной монохроматор и счетчик фотонов;
  • Система диагностики спектральных и временных характеристик излучения регенеративного усилителя «Spitfire» - автокореллятор и спектрометр «PulseScout»
  • Система регистрации люминесценции с временным разрешением не хуже 2 пс на основе стрик-камеры Optoscope SCMU-ST и автоматизированного решеточного спектрометра Acton Research SpectraPro 2300i, оснащенного CCD камерой Spec-10:256Е (матрица 1024×256, 200-1050 нм).
  • Источник терагерцового излучения «TeraSed», возбуждаемый излучением фемтосекундного лазера «Tsunami» или регенеративного усилителя «Spitfire», полоса частот — 0.5 — 3 ТГц, средняя мощность — 0.5 мВт.
  • Приемник терагерцового излучения на основе низкотемпературного GaAs.
  • Двухканальный цифровой осциллограф WR 5061 LeCroy, полоса 500 МГц, 5 гигавыборок/с
  • Четырехканальный цифровой осциллограф LeCroy WP7100A, полоса пропускания — 1000 МГц, частота дискретизации — 10 Гвыборок / кан; 20 Гвыборок / канал при объединении каналов (эквив. 200 ГГц), объем памяти на канал — 10 Мб (20 Мб при объединении каналов).
  • Стробоскопический интегратор SR250 «Stanford Research Systems»
  • Цифровой сихронный детектор SR830 «Stanford Research Systems»
  • Оптический гелиевый криостат замкнутого цикла DE-202 «Advanced Research Systems, Inc.» на диапазон температур 6 — 297 К.
  • Турбомолекулярная вакуумная система «Mini-TASK» AG81 фирмы «Varian».

Научные методики УСУ «Фемтоспектр»

Cуществующие методики

  • Методика регистрации спектров возбуждения фотолюминесценции структур в диапазоне 0,4-2.5 мкм;
  • Методика измерения кинетики фотолюминесценции с наносекундным и фемтосекундным разрешением;
  • Методика измерения температурных зависимостей интенсивности фото- и электролюминесценции;
  • Методика генерации терагерцового излучения фемтосекундными импульсами, воздействующими на полупроводниковые источники;
  • Методика регистрации абсорбции и флуоресценции с субпикосекундным временным разрешением;
  • Методика измерения ФЛ, абсорбции и фотопроводимости на базе инфракрасного фурье-спектрометра.

Разрабатываемые и модернизируемые методики

  • Методика регистрации разрешенных во времени спектров люминесценции с помощью стрик-камеры и многоэлементного приемника излучения (ССD-камеры);
  • Методики «pump-probe» и «up-conversion» исследования кинетики фотогенерированных носителей в структурах GaAs с металлическими нанокластерами при их возбуждении фемтосекундными оптческими импульсами;
  • Методика определения радиационной стойкости структур с самоорганизующимися наностровками Ge (Si) на основе спектров и кинетики фотолюминесценции структур;
  • Методика измерения квантовой эффективности люминесценции кремниевых структур;
  • Методика регистрации кинетики люминесценции в области спектра 0,8-1,7 мкм в режиме счета фотонов;
  • Методика генерации ТГц излучения с использованием излучателя «TeraSed» на основе напыленной на поверхность GaAs встречно-штрыревой системы, возбуждаемого фемтосекундными лазерными импульсами, с целью обужения полосы терагерцового излучения за счет использования двухчастотной объемной брэгговской решетки;
  • Методика быстрой модуляции терагерцового излучения, генерируемого фемтосекундными импульсами, воздействующими на излучатель «TeraSed»;
  • Методика абсорбционной спектроскопии циклотронного резонанса в полупроводниковых наноструктурах с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне с использованием широкополосного ТГц излучения, получаемого при оптической ректификации фемтосекундных лазерных импульсов и узкополосного полупроводникового приемника n-GaAs;
  • Методика измерений времен релаксации фотопроводимости на циклотронном резонансе и примесной фотопроводимости в терагерцовом диапазоне в полупроводниковых наноструктурах с разрешением 50 нс с использованием излучателя «TeraSed», возбуждаемого фемтосекундными лазерными импульсами;
  • Методики диагностики функционирования полупроводниковых приборов при импульсном межзонном возбуждении свободных носителей (моделирования ионизационного воздействия радиации);
  • Методика генерации и регистрации терагерцового излучения фемтосекундными импульсами с использованием кристаллов ZnTe.

Публикации

2008 год

  1. B.N. Zvonkov, A. A. Biryukov, A. V. Ershov, S. M. Nekorkin, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, A. A. Dubinov, K. V. Maremyanin, S. V. Morozov, A. A. Belyanin, V. V. Kocharovsky, and Vl. V. Kocharovsky. Room-temperature intracavity difference-frequency generation in butt-joint diode lasers. Appl. Phys. Lett., 92, 021122 (2008).
  2. А.А. Бирюков, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, В. Я. Алёшкин, А. А. Дубинов, В. В. Кочаровский, Вл. В. Кочаровский. Эффективная генерация первой волноводной моды в InGaAs/GaAs/InGaP гетеролазере. ФТП. Т. 42, вып. 3, сс. 361-364, (2008).
  3. A.A. Belyanin, V. V. Kocharovsky, Vl. V. Kocharovsky, V. A. Kukushkin, A. V. Andrianov, V. Ya. Aleshkinand A. A. Dubinov. Mode-Locked Dual-Wavelength Heterolasers for Terahertz Generation via Intracavity Wave Mixing. ACTA PHYSICA POLONICA A, Vol. 113 (3), p.869-873, (2008).
  4. V.B. Shmagin, A. V. Lyutov, D. Yu. Remizov, K. E. Kudryavtsev, M. V. Stepikhova and Z. F. Krasilnik. «Temperature increase in erbium electroluminescence from epitaxially grown Si: Er diodes”. Materials Science & Engineering B, vol. 146, pp. 256-259 (2008).
  5. О.В. Белова, В. Н.Шабанов, А. П. Касаткин, О. А. Кузнецов, А. Н. Яблонский, М. В.Кузнецов, В. П.Кузнецов, А. В. Корнаухов, Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник Электрофизические свойства слоев Si: Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии, ФТП, том 42, вып. 2 с. 136-140 (2008).
  6. Ю.Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. В. Шалев, Д. В. Шенгуров, В. Б. Шмагин, А. Н. Яблонский, «Сравнительный анализ фото- и электролюминесценции многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)", ФТП 42 (3), стр. 291-295 (2008).
  7. J.P. Leitão, N. M. Santos, N. A. Sobolev, M. R. Correia, N. P. Stepina, M. C. Carmo, S. Magalhães, E. Alves, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. N. Lobanov and Z. F. Krasilnik, «Radiation hardness of GeSi heterostructures with thin Ge layers», Materials Science and Engineering B, V. 147, pp. 191-194 (2008).
  8. В.Я.Алешкин, А. В.Антонов, В. И.Гавриленко, Л. В.Гавриленко, Б. Н.Звонков. Резонанс Фано в спектре примесной фотопроводимости InP, легированного мелкими донорами. ФТТ т.50, стр.1162-1165 (2008).
  9. K.E.Spirin, S. V.Morozov, V. I.Gavrilenko, Y. Kawaguchi, S. Komiyama. Magnetic field dependence of the photoresponse time of GaAs/AlGaAs quantum Hall effect device. Semicond. Sci. Technol., V. 23, 095014 (2008)
  10. В.Я.Алешкин, А. В.Антонов, В. И.Гавриленко, Б. Н.Звонков, Д. В.Козлов. Примесная фотопроводимость в напряженных гетероструктурах p-InGaAs/GaAs. Письма ЖЭТФ, т.88, вып.3. с.229-233 (2008).
  11. Алешкин В. Я., Гавриленко Л. В., Одноблюдов М. А., Яссиевич И. Н., Обзор: Примесные резонансные состояния в полупроводниках // ФТП 42, 899-922 (2008)
  12. А.В. Андрианов, В. Я. Алешкин, А. А. Белянин, А. А. Дубинов, В. В. Кочаровский, Вл. В. Кочаровский, В. А. Кукушкин. Синхронизация мод и высокоэффективная импульсная генерация излучения разностной частоты в двухчастотных гетеролазерах. Известия РАН. Серия физическая, т. 72. в. 2, сс. 251-255, (2008).
  13. В.Я. Алешкин, А. А. Дубинов. Генерация излучения на разностной частоте в среднем и дальнем ИК диапазонах с использованием субпико- и пикосекундных полупроводниковых лазеров. Квантовая электроника. Т. 38, вып. 2, сс. 149-153, (2008).
  14. S.G.Pavlov, H.-W.Hubers, N. V.Abrosimov, H. Riemann, H. H.Radamson, N. A.Bekin, A. N.Yablonsky, R. Kh.Zhukavin, Yu. N.Drozdov and V. N.Shastin, Terahertz Emission from Phosphor Centers in SiGe and SiGe/Si Semiconductors, Solid State Phenomena, 131-133, pp. 613-618 (2008).
  1. В.Я.Алёшкин, В. И.Гавриленко, А. А.Дубинов, К. В.Маремьянин, С. В.Морозов, М. С. Жолудев, А. А.Бирюков, Б. Н.Звонков, С. М.Некоркин. Генерация разностной частоты в двухчастотном полупроводниковом лазере GaAs/InGaAs/InGaP. V Международный оптический конгресс «Оптика — XXI век», семинар «Терагерцовая оптика и спектроскопия», Санкт — Петербург, Россия, 20 октября — 24 октября 2008 г
  2. В.И.Гавриленко, А. В.Антонов, Л. В.Гавриленко, С. В.Морозов, Д. В.Козлов, К. В.Маремьянин, Д. И.Курицын, М. С.Жолудев. Исследование примесной фотопроводимости в терагерцовом диапазоне в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs/GaAsP, InGaAs/GaAsP.. V Международный оптический конгресс «Оптика — XXI век», семинар «Терагерцовая оптика и спектроскопия» Санкт — Петербург, Россия, 20 октября — 24 октября 2008 г.
  3. А.А. Бирюков, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, Н. Н. Семенов, В. Я. Алёшкин, В. И. Гавриленко, А. А. Дубинов, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, А. А. Белянин, В. В. Кочаровский, Вл. В. Кочаровский. Генерация разностной частоты в среднем ИК диапазоне в полупроводниковом двухчиповом лазере. Материалы XII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10- 14 марта 2008, с. 299-300.
  4. В.Я. Алешкин, А. А. Дубинов, А. А. Бирюков, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, В. В. Кочаровский, Вл. В. Кочаровский. Эффективная генерация волноводной моды ТЕ1 в InGaAs/GaAs/InGaP лазере с квантовыми ямами. Материалы XII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10- 14 марта 2008, с. 311-312.
  5. К.Е. Кудрявцев, В. Б. Шмагин, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник. «Особенности температурного гашения электролюминесценции Si: Er/Si диодных структур с разными типами оптически активных центров”. XII Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника«, 10 — 14 марта 2008, Нижний Новгород. Материалы симпозиума, т. 2, с. 491.
  6. В.Б. Шмагин, Д. Ю. Ремизов, В. П. Кузнецов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, З. Ф. Красильник. Диодные туннельно-пролетные структуры на основе Si: Er, излучающие в диапазоне l ~ 1.5 мкм при комнатной температуре. XII Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника«, 10 — 14 марта 2008, Нижний Новгород. Материалы симпозиума, т.1, с. 135-138.
  7. К.Е. Кудрявцев, В. Б. Шмагин, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник. «Предельно узкие линии электролюминесценции в Si: Er/Si диодных структурах”. V международная конференция Кремний-2008, 1-4 июля 2008, Черноголовка. Тезисы докладов, с. 265.
  8. В.Б. Шмагин, Д. Ю. Ремизов, В. П. Кузнецов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, З. Ф. Красильник, «Туннельно-пролетные светодиоды на основе Si: Er, излучающие в диапазоне 1.54 мкм при комнатной температуре», Кремний-2008, Черноголовка, Россия, 1-4 июля 2008. — С. 257.
  9. Б.А. Андреев, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, В. П. Кузнецов, А. Н. Яблонский, T. Gregorkiewicz, W. Jantsch Эффект электрооптической памяти (с оптическим выводом информации на длине волны 1.54 мкм) в структурах Si: Er/Si. Труды Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» 10-14 марта 2008 года, Нижний Новгород т.2, с. 489-490
  10.  Б. А. Андреев, Н. В. Абросимов, П. Г. Сенников Изотопические эффекты в спектрах фотовозбуждения и проблемы определения примесей в моноизотопном кремнии (стендовый доклад) V Международная конференция «Кремний 2008», Черноголовка, 1-4 июля 2008, Тезисы докладов, с.228.
  11. Б.А.Андреев, З. Ф.Красильник, Д. И.Крыжков, А. Н.Яблонский, В. П.Кузнецов, T. Gregorkiewicz, N. Ha, «Излучательные свойства эпитаксиальных волноводных структур Si: Er/SOI» «, V международная конференция Кремний-2008, 1-4 июля 2008, Черноголовка. Тезисы докладов, с. 247.
  12. Б.А.Андреев, З. Ф.Красильник, Д. И.Крыжков, А. Н.Яблонский, В. П.Кузнецов, T. Gregorkiewicz, W. Jantsch, «Запасённая» электролюминесценция в диодных структурах Si: Er/Si», V международная конференция Кремний-2008, 1-4 июля 2008, Черноголовка. Тезисы докладов, с. 249.
  13. Ю.Н.Дроздов, З. Ф.Красильник, О. А.Кузнецов, Д. Н.Лобанов, А.В.Новиков, М. В.Шалеев, А. Н.Яблонский, N. D.Zakharov, P. Werner, «Оптические переходы II-типа в SiGe гетероструктурах с самоформирующимися наноостровками, встроенными в напряженный Si слой», Материалы XII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 10-14 марта 2008 г., Нижний Новгород, Россия, т.1, стр.23-26.
  14. А.В.Антонов, Ю. Н.Дроздов, З. Ф.Красильник, К. Е.Кудрявцев, Д. Н.Лобанов, А.В.Новиков, М. В.Шалеев, Д. В.Шенгуров, В. Б.Шмагин, А. Н.Яблонский, N. D.Zakharov, P. Werner, «Электролюминесценция и фотопроводимость структурс GeSi/Si(001) самоформирующимися наноостровками в области длин волн 1.3 — 1.55 мкм», Материалы XII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 10-14 марта 2008 г., Нижний Новгород, Россия, т.1, стр.31-34.
  15. Т.М.Бурбаев, В. В.Зайцев, В. А.Курбатов, Д. Н.Лобанов, А.В.Новиков, М. М.Рзаев, Н. Н.Сибельдин, В. А.Цветков, «Фазовые переходы в неравновесных электронно-дырочных системах наногетероструктур Si/SiGe/Si», Материалы XII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 10-14 марта 2008 г., Нижний Новгород, Россия, т.1, стр.39-41.
  16. А.Н.Яблонский, А.В.Новиков, М. В.Шалеев, О. А.Кузнецов, Ю. Н.Дроздов, Д. Н.Лобанов, З. Ф.Красильник, «Температурное гашение сигнала ФЛ самоформирующихся Ge(Si) островков, заключенных между слоями напряженного Si», Материалы XII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 10-14 марта 2008 г., Нижний Новгород, Россия, т.1, стр.495-496.
  17. В.И.Гавриленко, Е. В.Волкова, З. Ф.Красильник, К. Е.Кудрявцев, Д. Н.Лобанов, А.В.Новиков, С. В.Оболенский, В. В.Платонов, Д. В.Шенгуров, А. Н.Яблонский, «Влияние высокоэнергетического излучения на оптические свойства низкоразмерных GeSi/Si гетероструктур», Материалы XII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 10-14 марта 2008 г., Нижний Новгород, Россия, т.2, стр.499-500.
  18. В. Я. Алешкин, Б. А. Андреев, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, Д. И. Курицын, А. Г. Спиваков, Yu. G. Sadofyev, N. Samal «Фотолюминесценция гетероструктур GaAs/GaAsSb с квантовыми ямами " // XII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлеткроника», 10-14 марта 2008 г., Н. Новгород, Материалы симпозиума, с. 503-504.
  19. С.В. Морозов, Д. И. Курицын, Ю. Г. Садофьев, А. Г. Спиваков, В. И. Гавриленко, З. Ф. Красильник «Фотолюминесценция гетероструктур GaAs/GaAsSb с квантовыми ямами» // XIII Нижегородская сессия молодых учёных (Естественнонаучные дисциплины), 18-24 апреля 2008 г., Тезисы докладов (в печати).
  20. В.Я.Алешкин, А. А.Антонов, Д. И.Бурдейный, В. И.Гавриленко, Б. Н.Звонков, Д. В.Козлов. Спектры примесной фотопроводимости напряженных гетероструктур InGaAs/GaAsP. XII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, ИФМ РАН, 2008, т.1. стр.180-181.
  21. А.А. Афоненко, В. М. Стецик, А. Н. Дрозд, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, А. А. Бирюков, С. М. Некоркин. Перенос носителей в гетеролазерах с туннельным переходом. XII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, ИФМ РАН, 2008, т.2. стр.297-298.
  22. Афоненко А. А., Стецик В. М., Дрозд А. Н., Алешкин В. Я., Гавриленко В. И., Дубинов А. А., Звонков Б. Н., Бирюков А. А., Некоркин С. М… Генерация разностной частоты в диапазоне длин волн 28 — 35 мкм в InGaAs/GaAs/InGaP лазере с квантовыми ямами на германиевой подложке. Материалы XII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10- 14 марта 2008, сс. 295-296.
  23. В.Я. Алешкин, А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, Л. В. Гавриленко, Б. Н. Звонков. Фононные резонансы Фано в спектре фотопроводимости материала InP, легированного мелкими донорами. XII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, ИФМ РАН, 2008, т.2. стр.301-302.
  24. В.И.Гавриленко, А. В.Иконников, С. С.Криштопенко, А. А.Ластовкин, Ю Г. Садофьев. Исследования магнитотранспорта и циклотронного резонанса в гетероструктурах InAs/AlSb с различными толщинами квантовых ям. XII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, ИФМ РАН, 2008, т.2. стр.317-318.
  25. А.В. Антонов, В. И. Гавриленко, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, N. Dyakonova, W. Knap. Детектирование терагерцового излучения в субмикронных полевых транзисторах с двумерным электронным газом GaAs/AlGaAs. XII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, ИФМ РАН, 2008, т.2. стр.331-332.
  26. В.И. Гавриленко, К. В. Маремьянин, Д. В. Ушаков. Спектры терагерцового излучения в квантовых каскадных гетероструктурах GaAs/Al0.075Ga0.925As. XII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, ИФМ РАН, 2008, т.2. стр.351-352.
  27. В.Я.Алёшкин, В. И.Гавриленко, А. А.Дубинов, К. В.Маремьянин, С. В.Морозов, А. А.Бирюков, Б. Н.Звонков, С. М.Некоркин, Н. Н.Семенов, А. А.Белянин, В. В.Кочаровский, Вл. В.Кочаровский. Генерация разностной частоты в среднем ИК диапазоне в «двухчиповых» полупроводниковых лазерах GaAs/InGaAs/InGaP. Фотоника-2008: Тезисы докладов Российского совещания по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники, Новосибирск, Россия, 19-23 августа 2008. — Новосибирск: ИФП СО РАН, стр. 106.
  28. З.Ф.Красильник, Е. В.Волкова, А. В.Новиков, С. В.Оболенский, В. В.Платонов, «Моделирование процессов дефектообразования в SiGe гетероструктурах при нейтронном воздействии», Материалы XII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 10-14 марта 2008 г., Нижний Новгород, Россия, т.1, стр.139-141.
  29. А.В. Новиков «Люминесценция и фотопроводимость в области длин волн 1.3-1.55 мкм в SiGe гетероструктурах с самоформирующимися наноостровками», Тезисы докладов V Международной конференции и IVшколы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на их основе «КРЕМНИЙ-2008», Черноголовка, 1-4 июля 2008г., стр. 243-244 (приглашенный доклад).
  30. В.Я. Алешкин, А. А. Дубинов. Генерация разностной частоты в диапазоне длин волн 28 — 35 мкм в InGaAs/GaAs/InGaP лазере с квантовыми ямами на германиевой подложке. Материалы XII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10- 14 марта 2008, сс. 295-296.
  31. П.Г.Сенников, С. В. Голубев, В. И.Шашкин, Д. А. Пряхин, Б. А.Андреев, С. А. Гусев, А. С. Кузнецов Плазмохимическое осаждение нанокристаллического кремния из высокочистого тетрафторида кремния V Международная конференция «Кремний 2008», Черноголовка, 1-4 июля 2008, Тезисы докладов c.173
  32. Р.И. Баталов, Р. М.Баязитов, Д. И.Крыжков, П. И. Гайдук, Г. И.Ивлев, «Особенности импульсной обработки слоёв кремния, имплантированных ионами эрбия», V международная конференция Кремний-2008, 1-4 июля 2008, Черноголовка. Тезисы докладов, с. 211
  33. V.Ya.Aleshkin, V. I.Gavrilenko, A. A.Dubinov, K. V.Maremyanin, S. V.Morozov, A. A.Biryukov, B. N.Zvonkov, S. M.Nekorkin, Vl. V.Kocharovsky. Intracavity difference-frequency generation in butt-joint diode lasers. Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices: Proc. 9th International Conference, Freiburg, Germany, September 7-11, 2008. Freiburg: IAF, 2008, pp.140-141.
  34. D.N. Lobanov, A. V. Novikov, K. E. Kudryavtsev, A. N. Yablonskiy, A. V. Antonov, Yu. N. Drozdov, D. V. Shengurov, V. B. Shmagin, Z. F. Krasilnik, N. D. Zakharov, P. Werner, «Electroluminescence and photoconductivity of GeSi heterostructures with self-assembled islands in the wavelength range 1.3-1.55 mkm”, European materials research society spring meeting E-MRS 2008, 26-30 May 2008, Strasbourg (France).
  35. V.Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, L. V. Gavrilenko, Z. F. Krasilnik, D. I. Kuritsyn, D. I. Kryzhkov, S. V.Morozov, Picosecond dynamics of transmittance and photoluminescence in GaAs/InGaAs quantum well // Proc. 16th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», Vladivostok, Russia, July 14-18, 2008, pp. 74-75.
  36. V.Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov. Difference frequency generation in GaAs-based butt-joint diode laser with germanium substrate. Proc. 16th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», Vladivostok, Russia, July 14-18, 2008, pp. 11-12.
  37. V. Ya. Aleshkin, A. V. Antonov, L. V. Gavrilenko, V. I. Gavrilenko, B. N. Zvonkov, Phonon induced Fano resonances in photocurrent spectraof InP doped with shallow donors. // Proc. 16th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», Vladivostok, Russia, July 14-18, 2008, pp. 72-73.
  38. V. Ya.Aleshkin, A. V.Andrianov, A. A.Belyanin, A. A.Biryukov, A. A.Dubinov, A. V.Ershov, V. I.Gavrilenko, V. V.Kocharovsky, Vl. V.Kocharovsky, V. A.Kukushkin, K. V.Maremyanin, S. V.Morozov, S. M.Nekorkin, B. N.Zvonkov. Experimental Evidence and Perspective of Intracavity Difference-Frequency Generation of Mid/Far IR Radiation in Diode Lasers. Abstracts International Conference «Laser Optics 2008”, St. Petersburg, Russia, June 23-28, 2008, p.37.
  39. V.Ya.Aleshkin, A. A.Biryukov, V. I.Gavrilenko, A. A.Dubinov, Vl. V.Kocharovsky, K. V.Maremyanin, S. V.Morozov, S. M.Nekorkin and B. N.Zvonkov. Difference-frequency generation in GaAs/InGaAs/InGaP butt-joint diode lasers. Abstracts International Conference «Laser Optics 2008”, St. Petersburg, Russia, June 23-28, 2008, p.66.
  40. V.Ya.Aleshkin, A. A.Biryukov, A. A.Dubinov, V. V.Kocharovsky, Vl. V.Kocharovsky, S. M.Nekorkin and B. N.Zvonkov. The efficient generation of the TE1 waveguide mode in the InGaAs/GaAs/InGaP heterolaser. Proc. 16th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», Vladivostok, Russia, July 14-18, 2008, pp. 39-40.
  41. V.Ya.Aleshkin, A. A.Biryukov, V. I.Gavrilenko, A. A.Dubinov, Vl. V.Kocharovsky, K. V.Maremyanin, S. V.Morozov, S. M.Nekorkin and B. N.Zvonkov. Intracavity difference-frequency generation in butt-joint diode lasers. Proc. 16th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», Vladivostok, Russia, July 14-18, 2008, pp. 35-36.
  42. K.E. Kudryavtsev, V. B. Shmagin, D. V. Shengurov, Z. F. Krasilnik «Features of erbium electroluminescence temperature quenching in sublimation MBE grown Si: Er/Si diode structures with different types of optically active centers”. E-MRS Spring Meeting 2008, May 26-30, Strasbourg, France. Book of abstracts, p. 6.
  43. V. Shmagin, D. Remizov, V. Kuznetsov, S. Obolensky and Z. Krasilnik. An impact tunnel transit-time diode as a new approach to Si: Er LEDs engineering. SEDWAL Workshop 2008, Levico Terme — Trento, Italy, 13-15 April 2008. Book of Abstracts.
  44. S.V.Morozov, V. Ya.Aleshkin, A. A.Dubinov, V. I.Gavrilenko, K. V.Maremyanin, M. S.Joludev, A. A.Biryukov, S. M.Nekorkin, B. N.Zvonkov, Vl. V.Kocharovsky. Difference-frequency generation in GaAs/InGaAs/InGaP quantum well lasers, EOS Annual Meeting 2008 TOM 2 — Terahertz — Science and Technology, electronic published, ISBN 978-3-00-024188-8.

2007 год

  1. V. Ya. Aleshkin, A. V. Antonov, L. V. Gavrilenko, and V. I. Gavrilenko, Fano resonance study in impurity photocurrent spectra of bulk GaAs and GaAs quantum wells doped with shallow donors, Phys. Rev. B 75, 125201 (2007).
  2. В.Я. Алешкин, Н. В. Востоков, Д. М. Гапонова, В. М. Данильцев, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, А. И. Корытин, Д. И. Курицын, Д. А. Пряхин, В. И. Шашкин. Пикосекундная кинетика фотоносителей в арсениде галлия с нанокластерами алюминия. ФТП, Т 41, вып. 8, с. 929-933, (2007).
  3. S.M. Nekorkin, A. A. Biryukov, P. B. Demina, N. N. Semenov, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, K. V. Maremyanin, S. V. Morozov, A. A. Belyanin, V. V. Kocharovsky, Vl. V. Kocharovsky. Nonlinear mode mixing in dual-wavelenght semiconductor lasers with tunnel junctions. Appl. Phys. Lett., 90, 171106 (2007).
  4. А.А. Бирюков, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, А. А. Дубинов, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, А. А. Белянин, В. В. Кочаровский, Вл. В. Кочаровский. Исследование межзонных каскадных лазеров с туннельным переходом. Известия РАН, серия физическая т.71, №1, с. 100-103 (2007).
  5. A.A. Biryukov, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, K. V. Marem’yanin, S. V. Morozov, A. A. Belyanin, V. V. Kocharovsky, Vl. V. Kocharovsky. Experimental Study of Nonlinear Mode Mixing in Dual-Wavelength Semiconductor Lasers. Laser Physics, v. 17, No.5, pp.684-687 (2007).
  6. А.А. Бирюков, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, П. Б. Демина, Н. Н. Семенов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, А. А. Дубинов, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, А. А. Белянин, В. В. Кочаровский, Вл. В. Кочаровский. Многочастотный межзонный каскадный лазер. ФТП т.41, вып.10, с. 1226-1230 (2007)
  7. А.А. Бирюков, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, В. В. Кочаровский, Вл. В. Кочаровский. Смешение частот в системе двух лазерных диодов. ФТП т.41, вып.11, с. 1384-1388 (2007).
  8. A V Novikov, M V Shaleev, A N Yablonskiy, O A Kuznetsov, Yu N Drozdov, D N Lobanov, Z F Krasilnik, «Intense photoluminescence from Ge (Si) self-assembled islands embedded in a tensile-strained Si layer», Semiconductor Science and Technology 22, pp. S29-S32 (2007).
  9. М.В. Шалеев, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, О. А. Кузнецов, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник. Влияние напряженного Si слоя на фотолюминесценцию Ge (Si) самоформирующихся островков, выращенных на релаксированных SiGe/Si (001) буферных слоях. ФТП 41, стр. 172-176 (2007).
  10. I.N. Demchenko, K. Lawniczak-Jablonska, S. Kret, A. V. Novikov, J-Y. Laval, M. Zak, A. Szczepanska, A. N. Yablonskiy and Z. F. Krasilnik. The effect of local atomic structure on the optical properties of GeSi self-assembled islands buried in silicon matrix. Nanotechnology 18, 115711 (2007).
  11. M.V. Shaleev, A. V. Novikov, A. N. Yablonskiy, Y. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasilnik, O. A. Kuznetsov. Photoluminescence of dome and hut shaped Ge (Si) self-assembled islands embedded in a tensile-strained Si layer. Applied Physics Letters 91, 021916 (2007).
  12. М.В. Шалеев, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, О. А. Кузнецов, Ю. Н. Дроздов, Д. Н. Лобанов, З. Ф. Красильник. Влияние температуры роста на фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge (Si), заключенных между напряженными слоями S. ФТП 41, стр. 1375-1380 (2007).
  13. А.А. Бирюков, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, В. Я. Алёшкин, А. А. Дубинов, В. В. Кочаровский, Вл. В. Кочаровский. Эффективная генерация первой волноводной моды в InGaAs/GaAs/InGaP гетеролазере (принята в ФТП).
  14. B.N. Zvonkov, A. A. Biryukov, A. V. Ershov, S. M. Nekorkin, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, A. A. Dubinov, K. V. Maremyanin, S. V. Morozov. Room-temperature intracavity difference-frequency generation in butt-joint diode lasers (направлена в Appl. Phys. Lett.).
  15. J.P. Leitao, N. M. Santos, N. A. Sobolev, M. R. Correia, N. P. Stepina, M. C. Carmo, S. Magalhaes, E. Alves, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, D. N. Lobanov, Z. F. Krasilnik. Radiation hardness of GeSi heterostructures with thin Ge layers. Materials Science and Engineering: B (в печати, available online 1 October 2007).
  16. А.В. Антонов, В. И. Гавриленко, З. Ф. Красильник, Д. И. Курицын, С. В. Морозов, К. Е. Спирин Развитие методов спектроскопии полупроводниковых наноструктур с использованием терагерцового излучения, генерируемого импульсами фемтосекундного лазера // Нанофизика и наноэлектроника: Материалы всероссийского симпозиума, Нижний Новгород, ИФМ РАН, 2007. — Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2007. — Т. 2. — С. 408 — 409.
  17. В.Я. Алешкин, Н. В. Востоков, Д. М. Гапонова, В. М. Данильцев, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, А. И. Корытин, Д. И. Курицын, Д. А. Пряхин, В. И. Шашкин. Исследование пикосекундной кинетики фотоносителей в арсениде галлия с нанокластерными слоями алюминия. Труды XI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10- 14 марта 2007, с. 397-398.
  18. В.Я. Алешкин, А. В. Антонов, Л. В. Гавриленко, В. И. Гавриленко, Б. Н. Звонков, Резонансы Фано в спектрах примесной фотопроводимости в гетероструктурах GaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, легированными мелкими донорами. Труды XI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10- 14 марта 2007, с. 191-193.
  19. В.И. Гавриленко, К. В. Маремьянин, М. Л. Орлов, Dyakonova, W. Knap, Y. Todorov, I. Sagnes, C. Minot. Генерация терагерцового излучения в квантовых каскадных структурах. Труды XI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10- 14 марта 2007, с. 543-544.
  20. М.Л. Орлов, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, N. Dyakonova, W. Knap, A. Shchepetov, Y. Roelens, S. Bollaert. Генерация терагерцового излучения в субмикронных полевых транзисторах с двумерным электронным газом. Материалы симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 10 — 14 марта 2007 г. ИФМ РАН. стр. 545-546.
  21. А.Н. Яблонский, А. В. Новиков, Д. Н. Лобанов, М. В. Шалеев, З. Ф. Красильник. Температурная зависимость фотолюминесценции SiGe/Si (001) структур с самоформирующимися наноостровками. Труды XI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10- 14 марта 2007, с. 444 — 445.
  22. Б.А. Андреев, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, А. Н. Яблонский, В. П. Кузнецов, T. Gregorkiewicz. Излучательные свойства примесных центров, связанных с эрбием, в структурах Si: Er/SOI, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Труды XI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 10- 14 марта 2007, с. 292 — 293.
  23. В.И. Гавриленко, Е. В. Киселева, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, С. В. Оболенский, В. В. Платонов, М. В. Шалеев, А. Н. Яблонский. Исследование радиационного воздействия на оптические свойства Ge/Si гетероструктур с квантовыми ямами и самоформирующимися островками. XI Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, ИФМ РАН, 2007, т.2. стр. 420-421.
  24. А.А. Бирюков, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, Н. Н. Семенов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, А. А. Дубинов, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, А. А. Белянин, В. В. Кочаровский, Вл. В. Кочаровский. Экспериментальное исследование нелинейного смешения мод в двухчастотном межзонном каскадном лазере с туннельным переходом. XI Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, ИФМ РАН, 2007, т.2. стр. 533-534.
  25. Ю.Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Шенгуров, В. Б. Шмагин, А. Н. Яблонский. Фото- и электролюминесценция Ge (Si)/Si (001) самоформирующихся наноостровков при комнатной температуре». XI Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, ИФМ РАН, 2007, т.2. стр. 418-419.
  26. М.В. Шалеев, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, О. А. Кузнецов, Ю. Н. Дроздов, Д. Н. Лобанов, З. Ф. Красильник. Особенности фотолюминесценции выращенных при различных температурах Ge (Si) самоформирующихся островков, заключенных между слоями напряженного Si, XI Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, ИФМ РАН, 2007, т.2, стр. 436-437.
  27. С.В. Морозов, В. И. Гавриленко, К. В. Маремьянин, М. Л. Орлов, F. Teppe, N. Dyakonova, W. Knap, A. Shchepetov, Y. Roelens, S. Bollaert. Генерация и детектирование терагерцового излучения в субмикронных полевых транзисторах с двумерным электронным газом. Тез. докл. Всероссийского семинара по радиофизике миллиметровых и субмиллиметровых волн, Нижний Новгород, ИПФ РАН, 2007, стр. 38-39.
  28. В.Я. Алешкин, Б. А. Андреев, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, Yu. G. Sadofyev, N. Samal. Исследования спектров люминесценции гетероструктур GaAs/GaAsSb с квантовыми ямами. Тез. докл. 8 Росс. конф. по физике полупроводников, Екатеринбург, 30 сентября- 5 октября 2007 г., с. 157.
  29. В.И. Гавриленко, К. Е. Спирин, С. В. Морозов, Y. Kawaguchi, S. Komiyama. Эволюция времени фотоотклика на циклотронном резонансе 2D электронов в GaAs/AlGaAs в условиях квантового эффекта Холла. Тез. докл. 8 Росс. конф. по физике полупроводников, Екатеринбург, 30 сентября- 5 октября 2007 г., с. 222.
  30. М.Л. Орлов, A. El Fatimy, К. Маремьянин, А. Антонов, Н. Дьяконова, W. Knap, В. И. Гавриленко, А. Шепетов, S. Bolaert, A. Cappy. Выходные характеристики и особенности генерации ТГц излучения полевым транзистором с двумерным электронным газом. Тез. докл. 8 Росс. конф. по физике полупроводников, Екатеринбург, 30 сентября- 5 октября 2007 г., с. 233.
  31. В.Я. Алешкин, А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, Л. В. Гавриленко, Б. Н. Звонков. Фононные резонансы Фано в спектре примесной фотопроводимости полярных полупроводников и гетероструктур с квантовыми ямами n-типа. Тез. докл. 8 Росс. конф. по физике полупроводников, Екатеринбург, 30 сентября- 5 октября 2007 г., с. 345.
  32. В.Я. Алешкин, А. А. Белянин, А. А. Бирюков, Б В. И. Гавриленко,.П.Б. Демина, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, В. В. Кочаровский, Вл. В. Кочаровский, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, С. М. Некоркин, Н. Н. Семенов. Нелинейное взаимодействие мод в многочастотном межзонном двухкаскадном лазере. Тез. докл. 8 Росс. конф. по физике полупроводников, Екатеринбург, 30 сентября- 5 октября 2007 г., с. 392.
  33. В.И. Гавриленко, К. В. Маремьянин, М. Л. Орлов, Д. В. Ушаков, N. Dyakonova, W. Knap, Y. Todorov, I. Sagnes, C. Minot. Генерация терагерцового излучения в квантовых каскадных структурах. Тез. докл. 8 Росс. конф. по физике полупроводников, Екатеринбург, 30 сентября- 5 октября 2007 г., с. 399.
  34. В.И. Гавриленко, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, N. Dyakonova, W. Knap. Генерация и детектирование терагерцового излучения в субмикронных полевых транзисторах с двумерным электронным газом. Тез. докл. 8 Росс. конф. по физике полупроводников, Екатеринбург, 30 сентября- 5 октября 2007 г., с. 400.
  35. А.В. Антонов, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, Д. Н. Лобанов А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Шенгуров, В. Б. Шмагин, А. Н. Яблонский. Электролюминесценция и фотопроводимость в диапазоне длин волн 1.3-1.55 мкм в структурах с Ge (Si)/Si (001) самоформирующимися наноостровками. Тез. докл. 8 Росс. конф. по физике полупроводников, Екатеринбург, 30 сентября- 5 октября 2007 г., с. 244.
  36. З.Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский. Особенности фотолюминесценции одно- и многослойных структур с самоформирующимися Ge (Si)/Si (001) наноостровками. Тез. докл. 8 Росс. конф. по физике полупроводников, Екатеринбург, 30 сентября- 5 октября 2007 г., с. 290.
  37. Ю.Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, О. А. Кузнецов, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, А. Н. Яблонский. Ge (Si) самоформирующиеся островки встроенные в напряженный Si слой: особенности роста и фотолюминесценции. Тез. докл. 8 Росс. конф. по физике полупроводников, Екатеринбург, 30 сентября- 5 октября 2007 г., с. 267.
  38. Б.А. Андреев, В. Я. Алешкин, Д. И. Курицын, П. Г. Сенников, Н. В. Абросимов, H. Riemann. Изотопические эффекты в спектре примесной фотопроводимости кремния. Тез. докл. 8 Росс. конф. по физике полупроводников, Екатеринбург, 30 сентября- 5 октября 2007 г., с. 357.
  39. М.В. Степихова, А. Г. Спиваков, Л. В. Красильникова, З. Ф. Красильник, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков. Люминесцентные свойства легированных эрбием гетероструктур Si/Si1-xGex. Тез. докл. 8 Росс. конф. по физике полупроводников, Екатеринбург, 30 сентября- 5 октября 2007 г., с. 364.
  40. Б.А. Андреев, А. В. Антонов, Д. В. Козлов. Электрон-фононные переходы в спектре примесной фотопроводимости мелких акцепторов в кремнии. Тез. докл. 8 Росс. конф. по физике полупроводников, Екатеринбург, 30 сентября- 5 октября 2007 г., с. 359.
  41. В.Б. Шмагин, А. В. Лютов, Д. Ю. Ремизов, З. Ф. Красильник. Температурное возгорание электролюминесценции ионов эрбия в кремниевых диодных структурах. Тез. докл. 8 Росс. конф. по физике полупроводников, Екатеринбург, 30 сентября- 5 октября 2007 г., с. 404.
  42. M.V. Shaleev, A. V. Novikov, A. N. Yablonskiy, Y. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasilnik, O. A. Kuznetsov. Effect of growth temperature on photoluminescence of Ge (Si) self-assembled islands embedded in a tensile-strained Si layer. Abstr. 5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), 20-25 May, Marseille, France, pp. 397-398.
  43. Yu.N.Drozdov, Z. F. Krasilnik, К. Е. Kudryavtsev, D. N. Lobanov, А. V. Novikov, М. V. Shaleev, D. V. Shengurov, V. B. Shmagin, А. N. Yablonskiy. Photo- and electroluminescence of Ge (Si)/Si (001) self-assembled nanoislands at room temperature. Abstr. 5th Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), 20-25 May, Marseille, France, pp.409-410.
  44. M.V. Shaleev, A. V. Novikov, A. N. Yablonskiy, Yu. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasilnik, O. A. Kuznetsov. Effect of the growth temperature on the photoluminescence of Ge (Si) self-assembled islands located between tensile-strained Si layers. «E-MRS 2007 Spring Meeting, Symposium B «Semiconductor nanostructures towards electronic and optoelectronic device applications», 28 мая -1 июня 2007 г., Страсбург, Франция
  45. M.V. Shaleev, A. V. Novikov, A. N. Yablonskiy, Yu. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasilnik, O. A. Kuznetsov. Ge (Si) self-assembled islands embedded between tensile-strained Si layers: growth and photoluminescence. «E-MRS 2007 Spring Meeting, Symposium B «Semiconductor nanostructures towards electronic and optoelectronic device applications», 28 мая -1 июня 2007 г., Страсбург, Франция
  46. M. Stepikhova, A. Spivakov, L. Krasilnikova, V. Ivanov, Z. Krasilnik, V. Shengurov. Waveguiding and luminescent properties of Si/Si1-xGex: Er/Si structures produced by the sublimation mbe technique. «E-MRS 2007 Spring Meeting, Symposium B «Semiconductor nanostructures towards electronic and optoelectronic device applications», 28 мая -1 июня 2007 г., Страсбург, Франция
  47. V.B. Shmagin, A. V. Lyutov, D. Yu. Remizov, Z. F. Krasilnik. Novel view on abnormal temperature dependence of erbium electroluminescence from Si diodes. «E-MRS 2007 Spring Meeting, Symposium B «Semiconductor nanostructures towards electronic and optoelectronic device applications», 28 мая -1 июня 2007 г., Страсбург, Франция
  48. A.A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Belyanin, A. A. Biryukov, P. V. Demina, V. I. Gavrilenko, V. V. Kocharovsky, Vl. V. Kocharovsky, K. V. Maremyanin, S. V. Morozov, S. M. Nekorkin, N. N. Semenov, B. N. Zvonkov. The multi-wavelength interband two-cascade laser with tunnel junction. Proc. 15th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», Novosibirsk, Russia, June 25-29, 2007; Ioffe Institute, St. Petersburg, 2007, pp.42-43.
  49. M.L. Orlov, K. V. Maremyanin, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, N. Dyakonova, W. Knap, A. Shepetov, Y. Roelens, S. Bollaert. Generation of THz radiation in submicron HEMTs with two-dimensional electron gas. Proc. 15th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», Novosibirsk, Russia, June 25-29, 2007; Ioffe Institute, St. Petersburg, 2007, pp.143-144.
  50. V.Ya. Aleshkin, A. V. Antonov, L. V. Gavrilenko, V. I. Gavrilenko. Fano resonance study in impurity photocurrent spectra of InGaAsP/GaAs heterostructures doped with shallow donors. Proc. 15th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», Novosibirsk, Russia, June 25-29, 2007; Ioffe Institute, St. Petersburg, 2007, pp.116-117.
  51. A.N. Yablonsky, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, K. E. Kudryavtsev, M. V. Shaleev, V. B. Shmagin, D. V. Shengurov, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasilnik. Room temperature photo- and electroluminescence of Ge (Si)/Si (001) self-assembled islands. Proc. 15th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», Novosibirsk, Russia, June 25-29, 2007; Ioffe Institute, St. Petersburg, 2007, pp.261-262.

2006 год

  1. M.V. Shaleev, A. V. Novikov, A. N. Yablonskiy, Y. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasilnik, O. A. Kuznetsov, «Photoluminescence of Ge (Si) self-assembled islands embedded in a tensile-strained Si layer», Applied Physics Letters 88, p.011914 (2006).
  2. A.V. Novikov, M. V. Shaleev, A. N. Yablonskiy, O. A. Kuznetsov, Yu. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasilnik, «Intense photoluminescence from Ge (Si) self-assembled islands embedded in a tensile-strained Si layer», Semiconductor Science and Technology 22, pp. S29-S32 (2007).
  3. B.A. Andreev, T. Gregorkiewicz, W. Jantsch, Z. F. Krasilnik, D. I. Kryzhkov and V. P. Kuznetsov «1.54 mm Si: Er light-emitting diode with memory function». Appl. Phys. Lett., vol. 88, 201101 (2006)
  4. G. Ariyawansa, M. B. M. Rinzan, S. G. Matsik, G. Hastings, A. G. U. Perera, H. C. Liu, M. Buchanan, G. I. Sproule, V. I. Gavrilenko, V. P. Kuznetsov. «Characteristics of a Si dual-band detector responding in both near- and very-long-wavelength-infrared regions». Appl. Phys. Lett. v. 89, 061112 (2006).
  5. N.V. Gaponenko, G. K. Malyarevich, D. A. Tsyrkunou E. A. Stepanova, A. V. Mudryi, O. B. Gusev, E. I. Terukov, M. V. Stepikhova, L. V. Krasilnikova and Yu. N. Drozdov «Optical properties of erbium-doped xerogels embedded in porous anodic alumina» // Optical Materials, vol.28, iss.6-7, pp.688-692 (2006)
  6. M.V. Stepikhova, L. V. Krasil’nikova, Z. F. Krasil’nik, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, D. M. Zhigunov, O. A. Shalygina, V. Yu. Timoshenko «Observation of the population inversion of erbium ion states in Si/Si1-xGex: Er/Si structures under optical excitation» // Optical Materials, vol.28, iss.6-7, pp.893-896 (2006).
  7. M.V. Stepikhova, L. V. Krasil’nikova, Z. F. Krasil’nik, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. P. Svetlov, D. M. Zhigunov, V. Yu. Timoshenko, P. K. Kashkarov «Si/SiGe: Er/Si structures for laser realization: Theoretical analysis and luminescent studies» // Journal of Crystal Growth, Vol.288, Iss.1, pp.65-69 (2006).
  8. N.V. Gaponenko, D. M. Unuchak, A. V. Mudryi, G. K. Malyarevich, O. B. Gusev, M. V. Stepikhova, L. V. Krasilnikova, A. P. Stupak, S. M. Kleshcheva, M. I. Samoilovich, M. Yu. Tsvetkov «Modification of erbium photoluminescence excitation spectra for the emission wavelength 1.54 mm in mesoscopic structures» // Journal of Luminescence, vol.121, iss.2, pp.217-221 (2006).
  9. T. Gregorkiewicz, B. A. Andreev, M. Forcales, I. Izeddin, W. Jantsch, Z. F. Krasil’nik, D. I. Kryzhkov, V. P. Kuznetsov, J. M. Zavada «Er-doped electro-optical memory element for 1.5 mm silicon photonics». IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics on Silicon Photonics

Условия доступа к УСУ «Фемтоспектр»

Услуги УСУ «Фемтоспектр»

УСУ «Фемтоспектр» предоставляет услуги в области спектроскопии полупроводниковых гетероструктур и наноструктур, многослойных металлических и магнитных структур и высокотемпературных сверхпроводников. Основной объем услуг предоставляется в форме обеспечения совместных научных исследований в области физики и технологии микро- и наноструктур ИФМ РАН с научными коллективами РАН, НИИ и вузов Поволжского региона по приоритетным направлениям развития науки, технологий и техники «Индустрия наносистем и материалы», «Информационно-телекоммуникационные системы и электроника», «Безопасность и противодействие терроризму», а также в форме предоставления оборудования УСУ для проведения учебно-исследовательской и научно-исследовательской работы студентам и аспирантам вузов нижегородского региона.

За период функционирования УСУ «Фемтоспектр» его услугами воспользовались:

  • Институт химии высокочистых веществ РАН (ИХВВ РАН, г. Н. Новгород);
  • Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского;
  • Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (Москва);
  • Институт физики полупроводников СО РАН (ИФП СО РАН, г. Новосибирск);
  • Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (ФТИ РАН, Санкт-Петербург);
  • Саровский физико-технический институт (г. Саров, Нижегородская область);
  • Университет Токио (Япония);
  • Группа изучения полупроводников Национального центра научных исследований (г. Монпелье, Франция);
  • Институт физики Польской академии наук (ИФ ПАН, Варшава);
  • Университет центральной Флориды (г. Орландо, США);
  • Российский федеральный ядерный центр Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики (РФЯЦ ВНИИЭФ) (г. Саров, Нижегородская область);
  • «Трион Технолоджи» (Темпе, США).

Порядок доступа

Заявки на доступ к оборудованию УСУ «Фемтоспектр» могут направляться по электронной почте или в бумажном виде. Поступившие заявки рассматриваются руководителем работ по мере их поступления в течение 5 дней с момента регистрации. По результатам рассмотрения заявки с учетом степени соответствия возможностям оборудования и времени работы оборудования руководитель принимает решение о возможности заключения договора на проведение научных работ и оказание услуг и включает заявку в план работ УСУ. Мотивированное решение о невозможности заключения договора доводится до сведения заявителя не позднее 3-х дней со дня принятия такого решения.

Возможность допуска физических лиц — представителей заинтересованного пользователя — непосредственно к работе на оборудовании ЦКП устанавливается в договоре.

Документ WordСкачать заявку (40 Kбайт)