РусскийEnglish

Кокурин Иван Александрович

Кокурин Иван Александрович

Документ pdfЭффекты спин-орбитального взаимодействия в ультратонких полупроводниковых наноструктурах (5,1 Мбайт)(размещена 08 июня 2015)
01.04.07 — физика конденсированного состояния.

Диссертация принята к защите 25 июня 2015 г., защита диссертации состоялась 8 октября 2015 г. в 16:00 (протокол № 11). Документ pdfЗаключение диссертационного совета (770 Kбайт) (размещено 12.10.15)

Документ pdfПриказ о выдаче диплома (1,4 Мбайт)

Объявление на сайте ВАК (опубликовано 14.07.15)

Документ pdfАвтореферат (1,3 Мбайт) (размещен 26.06.15)

Документ pdfОтзыв научного руководителя (100 Kбайт)

Документ pdfОтзыв О. В. Кибиса (2,3 Мбайт)

Документ pdfОтзыв С. В. Зайцева-Зотова (3,9 Мбайт)

Документ pdfОтзыв С. А. Тарасенко (1 Мбайт)

Документ pdfОтзыв А. М. Сатанина (1 Мбайт)

Оппоненты

Ежевский А.А. — доктор физ.-мат. наук, профессор кафедры физики полупроводников и оптоэлектроники физического факультета ННГУ

Документ pdfОтзыв оппонента (260 Kбайт) (размещен 25.09.15)

Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
Физико-математические науки, 01.04.10 — физика полупроводников

Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:

  1. A.V. Soukhorukov, D.V. Guseinov, A.V. Kudrin, S.A. Popkov, A.A. Detochenko, A.V. Koroleva, A.A. Ezhevskii, A.A. Konakov, V.A. Burdov, N.V. Abrosimov, H. Riemann The impurity spin-dependent scattering effects in the transport and spin resonance of conduction electrons in bismuth doped silicon //"Solid State Phenomena" Vol. 242, 2016. P. 322−326.
  2. A.A. Ezhevskii, A.P. Detochenko, S.A. Popkov A.V. Soukhorukov, D.V. Guseinov, D.G. Zverev, G.V. Mamin, N.V. Abrosimov, H. Riemann Spin relaxation times of donor centers associated with lithium in monoisotopic 28Si //"Solid State Phenomena" Vol. 242, 2016. — P. 327−331.
  3. Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. Monoisotopic 28Si in Spin Resonance Spectroscopy of Electrons Localized on Shallow Donors //Solid State Phenomena. — 2014. — V. 205. — P. 191−200.
  4. Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Gavva V.A., Gusev A.V., Abrosimov N.V., Riemann H. Monoisotopic silicon 28Si in spin resonance spectroscopy of electrons localized at donors //Semiconductors. — 2013. — V. 47. — №. 2. — P. 203−208.
  5. Konakov A.A., Burdov V.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A. Temperature renormalization of the conduction electron g factor in silicon //Semiconductors. — 2013. — V. 47. — №. 1. — P. 169−173.
  6. Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Abrosimov N.V., Riemann H., Konakov A.A. Valley spin-orbit interaction for the triplet and doublet 1sground states of lithium donor center in monoisotopic 28Si //The Physics of Semiconductors: Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2012. — AIP Publishing, 2013. — V. 1566. — №. 1. — P. 339−340.
  7. Ezhevskii A.A., Popkov S.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Abrosimov N.V., Riemann H. Investigation of the structure of the ground state of lithium donor centers in silicon enriched in 28Si isotope and the influence of internal strain in the crystal on this structure //Semiconductors. — 2012. — V. 46. — №. 11. — P. 1437−1442.
  8. Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A., Gusev A.V., Gavva V.A. Spin relaxation and spin-diffusion length of conduction electrons in silicon with different compositions of isotopes //American Institute of Physics Conference Series. — 2011. — V. 1399. — P. 743−744.
  9. Kornaukhov A.V., Ezhevskii A.A., Marychev M.O., Filatov D.O., Shengurov V.G. On the nature of electroluminescence at 1.5 μm in the breakdown mode of reverse-biased Er-doped silicon pn-junction structures grown by sublimation molecular beam epitaxy //Semiconductors. — 2011. — V. 45. — №. 1. — P. 85−90.
  10. Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Gusev A.V. Anisotropy of phosphorous electron donor state in strained clusters in silicon at low temperatures //Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. — 2010. — V. 4. — №. 3. — P. 432−436.

Криштопенко Сергей Сергеевич — кандидат физ-мат наук, научный сотрудник ИФМ РАН

Документ pdfОтзыв оппонента (840 Kбайт) (размещен 25.09.15)

Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
Физико-математические науки

Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:

  1. С.С. Криштопенко. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спиновом резонансе в двумерной системе со спин-орбитальным взаимодействием Дрессельхауза. ФТП 49, 179 (2015).
  2. S.S. Krishtopenko, A.V. Ikonnikov, M. Orlita, Yu.G. Sadofyev, M. Goiran, F. Teppe, W. Knap and V.I. Gavrilenko. Effect of electron-electron interaction on cyclotron resonance in high-mobility InAs/AlSb quantum wells. J. Appl. Phys. 117, 112813 (2015).
  3. Л.С. Бовкун, С. С. Криштопенко, М. С. Жолудев, А. В. Иконников, К. Е. Спирин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, F. Teppe, W. Knap, В. И. Гавриленко. Обменное усиление g-фактора электронов в двумерном полуметалле в квантовых ямах HgTe. ФТП 49, 1676 (2015).
  4. С.С. Криштопенко, К. В. Маремьянин, К. П. Калинин, К. Е. Спирин, В. И. Гавриленко, Н. В. Байдусь, Б. Н. Звонков. Обменное усиление g-фактора электронов в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP. ФТП 49, 179 (2015).
  5. S.S. Krishtopenko. Many-body effects in electron spin resonance in 2D systems with Rashba spin-orbit interaction. Semicond. Sci. Technol. 29, 085005 (2014).
  6. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko and M. Goiran. Spin-wave excitations and electron spin resonance in symmetric and asymmetric narrow-gap quantum wells. Phys. Rev. B 87, 155113 (2013).
  7. S.S. Krishtopenko. Magnetoplasmon excitations from integer-filled Landau levels in narrow-gap quantum wells. J. Phys.: Condens. Matter 25, 365602 (2013).
  8. S.S. Krishtopenko. Electron spin resonance and cyclotron resonance for fractional Quantum Hall States in narrow-gap QW heterostructures. J. Phys.: Condens. Matter 25, 105601 (2013).
  9. К.П. Калинин, С. С. Криштопенко, К. В. Маремьянин, К. Е. Спирин, В. И. Гавриленко, А. А. Бирюков, Н. В. Байдусь, Б. Н. Звонков. Спиновое расщепление Рашбы и циклотронный резонанс в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом. ФТП 47, 1497 (2013).
  10. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko and M. Goiran. The effect of exchange interaction on quasiparticle Landau levels in narrow-gap quantum well heterostructures. J. Phys.: Condens. Matter 24, 135601 (2012).
  11. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko and M. Goiran. Exchange interaction effects in electron spin resonance: Larmor theorem violation in narrow-gap quantum well heterostructures. J. Phys.: Condens. Matter 24, 252201 (2012).
  12. S.S. Krishtopenko, A.V. Ikonnikov, K.V. Maremyanin, K.E. Spirin, V.I. Gavrilenko, Yu.G. Sadofyev, M. Goiran, M. Sadowsky and Yu.B. Vasilyev. Cyclotron resonance study in InAs/AlSb quantum well heterostructures with two occupied electronic subbands. J. Appl. Phys. 111, 093711 (2012).
  13. С.С. Криштопенко, К. П. Калинин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, M. Goiran. Спиновое расщепление Рашбы и обменное усиление g-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом. ФТП 46, 1186 (2012).
  14. S.S. Krishtopenko, V.I. Gavrilenko and M. Goiran. Theory of g-factor enhancement in narrow gap quantum well heterostructures. J. Phys.: Condens. Matter 23, 385601 (2011).
  15. В.И. Гавриленко, С. С. Криштопенко, M. Goiran. Электрон-электронное и спин-орбитальное взаимодействие в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом. ФТП 45, 111 (2011).

Ведущая организация

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (сокращенное название: ФИАН)

Документ pdfОтзыв ведущей организации (610 Kбайт) (размещен 25.09.15)

Электронный адрес администрации института: postmaster@lebedev.ru

119991 г. Москва, Ленинский проспект, 53

Публикации ФИАН по теме диссертации:

  1. V.N. Mantsevich, N.S. Maslova, P.I. Arseyev. Tunneling transport through multi-electrons states in coupled quantum dots with Coulomb correlations. Solid State Commun. 199, 33−38 (2014).
  2. V.N. Mantsevich, N.S. Maslova, P.I. Arseyev. External field induced switching of tunneling current in the coupled quantum dots. ПисьмавЖЭТФ 100, 291−296 (2014).
  3. V.N. Mantsevich, N.S. Maslova, P.I. Arseyev. Charge trapping in the system of interacting quantum dots. Solid State Commun. 168, 36−41 (2013).
  4. A.Yu. Kuntsevich, L.A. Morgun, V.M. Pudalov. Electron-electron interaction correction and magnetoresistance in tilted fields in Si-based two-dimensional systems. Phys. Rev. B 87,205406 (2013).
  5. N. Teneh, A.Yu. Kuntsevich, V.M. Pudalov, M. Reznikov. Spin droplet state of an interacting 2D electron system. Phys. Rev. Lett. 109, 226403 (2012).
  6. M. Reznikov, A.Yu. Kuntsevich, N. Teneh, V.M. Pudalov. Thermodynamic magnetization of two-dimensional electron gas measured over wide range of densities. Письма в ЖЭТФ 92, 518−522 (2010).
  7. А.А. Пручкина, В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, Е. Е. Онищенко, А. Г. Белов, Н. А. Денисов, В. Н. Меринов. Исследования комплексных акцепторов в CdTe: Cl методом разностной спектроскопии. Письма в ЖЭТФ98, 508−512 (2013).
  8. С.А. Колосов, В. С. Кривобок, Ю. В. Клевков, А. Ф. Адиятуллин. Поведение Bi в решетке CdTe и эффект компенсации в CdTe: Bi. ФТП 47, 538−545 (2013).
  9. В.С. Багаев, В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, Е. Е. Онищенко, А. А. Пручкина, Д. Ф. Аминев, М. Л. Скориков, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков. Динамика фазовых переходов в системе неравновесных носителей заряда в квантоворазмерных структурах SiGe/Si.ЖЭТФ144, 1045−1060 (2013).
  10. A.F. Adiyatullin, S.V. Shevtsov, D.E. Sviridov, V.I. Kozlovsky, A.A. Pruchkina, P.I. Kuznetsov, V.S. Krivobok. Effects of photoinduced charge redistribution on excitonic states in Zn (Cd)Se/ZnMgSSe quantum well. J. Appl. Phys.114,163524 (2013).
  11. А.Ф. Адиятуллин, В. В. Белых, В. И. Козловский, В. С. Кривобок, В. П. Мартовицкий, С. Н. Николаев. Влияние размытия гетерограницы на свойства экситонных состояний в квантовых ямах Zn (Cd)Se/ZnMgSSe. ЖЭТФ 142, 1005−1019 (2012).
  12. В.С. Багаев, В. С. Кривобок, Е. Е. Онищенко, М. Л. Скориков, А. А. Шепель. Резонансная спектроскопия донорных и акцепторных центров в компенсированном теллуриде кадмия. ЖЭТФ 140, 929−941 (2011).

© 2000—2020, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия