РусскийEnglish

Ермолаев Денис Михайлович

Ермолаев Денис Михайлович

Документ pdfИсследование детектирования терагерцового излучения короткопериодными массивами полевых транзисторов на основе наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs (2,1 Мбайт) (размещена 27 февраля 2015)
05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

Диссертация принята к защите 16 апреля 2015 г., защита диссертации состоялась 8 октября 2015 г. в 14:00 (протокол № 10). Документ WordУведомление о переносе даты защиты (30 Kбайт) (опубликовано 25.06.2015). Документ pdfЗаключение диссертационного совета (640 Kбайт) (размещено 12.10.15)

Объявление на сайте ВАК (опубликовано 17.04.15)

Документ pdfАвтореферат (630 Kбайт) (размещен 17.04.15)

Документ pdfОтзыв научного руководителя 1 (1 Мбайт), Документ pdfотзыв научного руководителя 2 (790 Kбайт)

Документ pdfОтзыв В. И. Рыжия (1,1 Мбайт)

Документ pdfОтзыв В. Митина (110 Kбайт)

Документ pdfОтзыв И. И. Хмыровой (900 Kбайт)

Оппоненты

Востоков Николай Владимирович — кандидат физ.-мат. наук, старший научный сотрудник Института физики микроструктур РАН

Документ pdfОтзыв оппонента (1,2 Мбайт) (размещен 15.06.15)

Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
Физико-математические науки, 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника приборы на квантовых эффектах

Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:

  1. S.V. Obolensky, A.V. Murel, N.V. Vostokov, and V.I. Shashkin. Simulation of the Electron Transport in aMott Diode by the Monte Carlo Method. IEEE Trans. Electron Devices, 58, NO.8, 2507−2510 (2011).
  2. М.Н. Дроздов, Н. В. Востоков, В. М. Данильцев, Е. В. Демидов, Ю. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин. Количественный анализ элементного состава и концентрации электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным каналом методами ВИМС и С-V-профилирования. Известия РАН. Серия физическая. 76, № 2, 250−254 (2012).
  3. V.I. Shashkin, and N.V. Vostokov. Sensing Microwave-Terahertz Detectors Based on Metal-Semiconductor-Metal Structures with Symmetrical I-V Characteristic. IEEE Journal of the Electron Devices Society, 1, NO.3, 76−82 (2013).
  4. Н.В. Востоков, С. А. Королев, В. И. Шашкин. Применение низкобарьерных структур металл-полупроводник-металл для детектирования микроволновых сигналов. ЖТФ, 84, Вып.7, 91−95 (2014).
  5. N.V. Vostokov, V.I. Shashkin. Analytical solution for the potential distribution in a stripe Schottky contact. J. Appl. Phys. 115, 244503 (2014).

Оболенский Сергей Владимирович — профессор, доктор технических наук, зав. каф. электроники радиофизического факультета Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского

Документ pdfОтзыв оппонента (450 Kбайт) (размещен 23.09.15)

Наименования отрасли науки, научной специальности, по которым оппонентом защищена диссертация:
Технические науки, 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника приборы на квантовых эффектах

Список основных публикаций официального оппонента по теме диссертации в рецензируемых научных изданиях за последние 5 лет:

  • А.В.Новиков, А. Н. Яблонский, В. В. Платонов, Д. Н. Лобанов, З. Ф. Красильник, С. В. Оболенский / Влияние радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетеростурктур SiGe/Si (001) // Физика и техника полупроводников, № 3, 2010 г., с.346−351
  • В.Б.Шмагин, В. П. Кузнецов, С. В. Кудрявцев, В. А. Козлов, З. Ф. Красильник, С. В. Оболенский / Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур р+/n+/n-Si:Er туннельно-пролетного диода // Физика и техника полупроводников, № 11, 2010 г., с.1533−1539
  • А.С.Пузанов, С. В. Оболенский / Влияние разброса электрических характеристик биполярного транзистора на его пробой при воздействии импульса напряжения // Вопросы атомной науки и техники № 1, 2010 г., с.54−57
  • А.С.Пузанов, С. В. Оболенский / Влияние радиационно-стимулированного разогрева электронного газа на развитие лавинного пробоя в транзисторных структурах // Вопросы атомной науки и техники № 3, 2010 г., с.46−50
  • A. V. Murel, N. V. Vostokov, V. I. Shashkin, S. V. Obolensky / Simulation of the Electron Transport in a Mott Diode by the Monte Carlo Method // IEEE Transaction on Electron Devices, v. 58, N 8, 2011, pp.2507−2510
  • З.Ф.Красильник, К. Е. Кудрявцев, А. Н. Качемцев, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, Д. В. Шенгуров, С. В. Оболенский / Сравнительный анализ радиационного воздействия на электролюминесценцию кремния и SiGe/Si гетеростурктур с самоформирующимися наноостровками // Физика и техника полупроводников, 2011, вып. 2, с. 230−234
  • Козлов В.А., Шмагин В. Б., Красильник З. Ф., С. В. Оболенский / Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого p-n-перехода // Физика и техника полупроводников. Т. 46. № 1. 2012. С. 134−139.
  • Тарасова Е.А., Дюков Д. И., Фефелов А. Г., Демидова Д. С., С. В. Оболенский / Моделирование мощных HEMT при облучении квантами высоких энергий // Физика и техника полупроводников. 12. 2012. Т. 46. № 12. 2012. С. 1587−1593.
  • Пузанов А.С., С. В. Оболенский / Особенности переноса электронов в биполярных транзисторных структурах с тонкой базой при воздействии потока квантов высоких энергий // Микроэлектроника. Т. 41. № 4. 2012. С. 304−309.
  • Шукайло В.П., Басаргина Н. В., Ворожцова И. В., Дубровских С. М., Ткачев О. В., С. В. Оболенский / Люминесценция GaNи GaAsсветодиодов при n-yоблучении // Вестник ННГУ им. Н. И. Лобачевского. № 5. 2012. С. 60−65.
  • Tetelybaum D.I., Guseinov D.V., Vasilyev V.K., Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Kachemtsev A.N., S. V. Obolensky / Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Nuclear Instruments and methods. V. B236. 2014. P. 41−44.

Ведущая организация

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (сокращенное название: ИФТТ РАН)

Документ pdfОтзыв ведущей организации (3,8 Мбайт)

Электронный адрес администрации института: adm@issp.ac.ru

Адрес: г. Черноголовка, Московская обл., ул. Академика Осипьяна д. 2, 142432, Россия

Публикации ИФТТ РАН по теме диссертации:

  1. V. M. Muravev, I. V. Kukushkin, A. L. Parakhonskii, J. Smet, and K. von Klitzing Kukushkin, «Measurement of the Mean Free Path of Edge Magnetoplasmons Revealed in the Spectra of Magnetic Oscillations of Photovoltage in a Two-Dimensional Electron System under Microwave Radiation», JETP Letters, 83, p. 246 (2006).
  2. I. V. Kukushkin, V. M. Muravev, J. H. Smet, M. Hauser, W. Dietsche, and K. von Klitzing, «Collective Excitations in Two-Dimensional Electron Stripes: Transport and Optical Detection of Resonant Microwave Absorption», Phys. Rev. B, 73, 113310 (2006).
  3. V. M. Muravev, C. Jiang, I. V. Kukushkin, J. H. Smet, V. Umansky, and K. von Klitzing «Spectra of Magnetoplasma Excitations in Back-gate Hall Bar Structures», Phys. Rev. B, 75, 193307 (2007).
  4. V. M. Muravev, A. A. Fortunatov, I. V. Kukushkin, J. Smet, W. Dietsche, and K. von Klitzing, «Tunable Plasmonic Crystals for Edge Magnetoplasmons of a Two-Dimensional Electron System», Phys. Rev. Letters, 101, 216801 (2008).
  5. V. M. Muravev, I. V. Andreev, I. V. Kukushkin, J. Smet, and K. von Klitzing, «Experimental Determination of the Mean Free Path of Screened Edge Magnetoplasmons in a Two-Dimensional Electron Gas», JETP Letters, 87, 577 (2008).
  6. I. V. Andreev, V. M. Muravev, I. V. Kukushkin, J. Smet, and K. von Klitzing, «Contactless Measurement of the Conductivity of Two-Dimensional Electrons in the Regime of Microwave-Induced Giant Magnetoresistance Oscillations», JETP Letters, 88, 616 (2008).
  7. V. M. Muravev, I. V. Kukushkin, J. H. Smet, and K. von Klitzing, «Millimeter/Submillimeter Mixing Based on the Nonlinear Plasmon Response of Two-Dimensional Electron Systems», JETP Letters, 90, 197 (2009).
  8. S. I. Gubarev, A. A. Dremin, V. E. Kozlov, V. M. Muravev, I. V. Kukushkin, «Plasma Excitations in the Two-Dimensional Electron System with Lateral Screening by Metallic Gate», JETP Letters, 90, 588 (2009).
  9. V. M. Muravev, A. A. Fortunatov, A. A. Dremin, and I. V. Kukushkin, «Experimental Investigation of Plasma Excitations in Asymmetric Stripes of Two-Dimensional Electrons», JETP Letters, 92, 466 (2010).
  10. П. А. Гусихин, В. М. Муравьев, И. В. Кукушкин Обнаружение аномально слабо затухающих плазменных волн в двумерной электронной системе Письма в ЖЭТФ 100, 732 (2014)
  11. I. V. Andreev, V. M. Muravev, V. N. Belyanin, I. V. Kukushkin Measurement of cyclotron resonance relaxation time in the two-dimensional electron system Appl. Phys. Lett. 105, 202106 (2014)
  12. V. M. Muravev, P. A. Gusikhun, I. V. Andreev, I. V. Kukushkin Ultrastrong coupling of high-frequency two-dimensional cyclotron plasma mode with a cavity photon Phys. Rev. B 87, 045307 (2013)
  13. И. В. Андреев, В. М. Муравьев, И. В. Кукушкин Наблюдение акустических краевых магнитоплазмонов вблизи фактора заполнения n=1 Письма в ЖЭТФ 96, 588 (2012)
  14. I. V. Andreev, V. M. Muravev, D. V. Smetnev, I. V. Kukushkin Acoustic magnetoplasmons in a two-dimensional electron system with a smooth edge Phys. Rev. B 83, 125315 (2012)
  15. V. M. Muravev, I. V. Kukushkin Plasmonic detector/spectrometer of subterahertz radiation based on two-dimensional electron system with embedded defect Appl. Phys. Lett. 100, 082102 (2012)
  16. Д. В. Сметнев, В. М. Муравьев, И. В. Андреев, И. В. Кукушкин Исследование краевых магнитоплазменных возбуждений в двумерных электронных системах с различным профилем краевого обеднения Письма в ЖЭТФ 94, 141 (2011)
  17. I. V. Andreev, V. M. Muravev, I. V. Kukushkin, S. Schmult, W. Dietsche High-frequency response of a two-dimensional electron system under microwave irradiation Phys. Rev. B 83, 121308 (2011)

© 2000—2020, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия