РусскийEnglish

Публикации ведущей организации

1.Chaplik A. V., Entin M. V. The Theory of Two-Dimensional Electronic Systems //Advances in Semiconductor Nanostructures. — Elsevier, 2017. — С. 3−28.

DOI: 10.1016/B978−0-12−810512−2.00001−9
WOS:000416870500002

2. Herrmann T., Kvon Z. D., Dmitriev I. A., Kozlov D. A., Jentzsch B., Schneider M., Schell L., Bel’kov V. V., Bayer A., Schuh D., Bougeard D., Kuczmik T., Oltscher M., Weiss D., Ganichev S. D. Magnetoresistance oscillations induced by high-intensity terahertz radiation //Physical Review B. — 2017. — Т. 96. — №. 11. — С. 115449.

DOI: 10.1103/PhysRevB.96.115449
WOS:000411979100007

3. Otteneder M., Dmitriev I. A., Candussio S., Savchenko M. L., Kozlov D. A., Bel’kov V. V., Kvon Z. D., Mikhailov N. N., Dvoretsky S. A., Ganichev S. D. Sign-alternating photoconductivity and magnetoresistance oscillations induced by terahertz radiation in HgTe quantum wells //Physical Review B. — 2018. — Т. 98. — №. 24. — С. 245304.

DOI: 10.1103/PhysRevB.98.245304
WOS:000452687300003

4. Savchenko M. L., Kvon Z. D., Candussio S., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A., Ganichev S. D. Terahertz cyclotron photoconductivity in a highly unbalanced two-dimensional electron-hole system //JETP Letters. — 2018. — Т. 108. — №. 4. — С. 247−252.

DOI: 10.1134/S0021364018160075
WOS:000450496300006

5. Bykov A. A., Goran A. V., Bakarov A. K. Microwave-induced zero-resistance states in a high-mobility two-subband electron system //Journal of Physics D: Applied Physics. — 2018. — Т. 51. — №. 28. — С. 28LT01.

DOI: 10.1088/1361−6463/aacaa4
WOS:000436034100001

6. Gospodari J., Dziom V., Shuvaev A., Dobretsova A. A., Mikhailov N. N., Kvon Z. D., Pimenov, A. Superradiant and transport lifetimes of the cyclotron resonance in the topological insulator HgTe //Physical Review B. — 2019. — Т. 99. — №. 11. — С. 115130.

DOI: 10.1103/PhysRevB.99.115130
WOS:000461961000002

7. Yaroshevich A. S., Kvon Z. D., Gusev G. M., Mikhailov N. N. Microwave Photoresistance of a Two-Dimensional Topological Insulator in a HgTe Quantum Well //JETP Letters. — 2020. — Т. 111. — С. 121−125.

DOI: 10.1134/S0021364020020113
WOS:000524952900010

8. Дричко И. Л., Смирнов И. Ю., Бакаров А. К., Быков А. А., Дмитриев А. А., Гальперин, Ю. М. Нелинейные AC и DC проводимости в двухподзонной структуре n-GaAs/AlAs. // Письма в ЖЭТФ. — 2020. — Т. 112. — С. 54−61.

DOI: 10.1134/S0021364020130068
WOS:000565226800008

9. Быков А. А., Стрыгин И. С., Горан А. В., Номоконов Д. В., Бакаров А. К. Зависимости транспортного времени рассеяния и квантового времени жизни от концентрации 2D электронного газа в селективно-легированных одиночных GaAs квантовых ямах с короткопериодными AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами. // Письма в ЖЭТФ. — 2020. — Т. 112. — С. 475−481.

DOI: 10.1134/S0021364020190054
WOS:000599161100007

10. Sukhanov M. A., Bakarov A. K., Zhuravlev K. S. AlSb/InAs Heterostructures for Microwave Transistors //Technical Physics Letters. — 2021. — Т. 47. — №. 2. — С. 139−142.

DOI: 10.1134/S1063785021020127
WOS:000632066000010

© 2000—2021, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия