РусскийEnglish

Список публикаций оппонента Хохлов Д.Р.

1. Galeeva A. V., Egorova S. G., Chernichkin V. I., Ryabova L. I., Danilov S. N., Nicorici A. V., Khokhlov D. R. Magnetic-field-induced terahertz photogeneration in PbTe (Ga) //JETP letters. — 2016. — Т. 104. — С. 68−70.

DOI: 10.1134/S0021364016130099
WOS:000385020500013

2. Galeeva A. V., Chernichkin V. I., Dolzhenko D. E., Nicorici A. V., Ryabova L. I., Khokhlov D. R. Optimization of the Operating Regime of Pb1-xSnxTe (In) Terahertz Photodetectors //IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology. — 2017. — Т. 7. — №. 2. — С. 172−176.

DOI: 10.1109/TTHZ.2017.2655880
WOS:000396388900007

3. Galeeva A. V., Artamkin A. I., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A., Danilov S. N., Ryabova L. I., Khokhlov D. R. Terahertz Photoconductivity in Hg1? x CdxTe near the transition from the direct to inverted spectrum //JETP letters. — 2017. — Т. 106. — №. 3. — С. 162−166.

DOI: 10.1134/S0021364017150061
WOS:000413066200006

4. Galeeva A. V., Artamkin A. I., Kazakov A. S., Danilov S. N., Dvoretskiy S. A., Mikhailov N. N., Ryabova L. I., Khokhlov D. R. Non-equilibrium electron transport induced by terahertz radiation in the topological and trivial phases of Hg1? xCdxTe //Beilstein journal of nanotechnology. — 2018. — Т. 9. — №. 1. — С. 1035−1039.
DOI: 10.3762/bjnano.9.96
WOS:000428707700002

5. Galeeva A. V., Gomanko M. A., Tamm M. E., Yashina L. V., Danilov S. N., Ryabova L. I., Khokhlov D. R. Photoelectromagnetic Effect Induced by Terahertz Radiation in (Bi1-xSbx)2Te3 Topological Insulators // Semiconductors- 2019. — V. 53. — P. 37−41.

DOI: 10.1134/S1063782619010068
WOS:000465524600006

6. Drozdov K. A., Krylov I. V., Chizhov A. S., Rumyantseva M. N., Ryabova L. I., Khokhlov D. R. Optically Induced Charge Exchange in ZnO-Based Composite Structures with Embedded CsPbBr3 Nanocrystals // Semiconductors — 2019. — V. 53. — P. 814−818.

DOI: 10.1134/S1063782619060058
WOS:000471063300020

7. Galeeva A. V., Kazakov A. S., Artamkin A. I., Ryabova L. I., Dvoretsky S. A., Mikhailov N. N., Bannikov M. I., Danilov S. N., Khokhlov D. R. Apparent PT-symmetric terahertz photoconductivity in the topological phase of Hg1? xCdxTe-based structures // Scientific Reports. — 2020. — V. 10. - P. 2377.

DOI: 10.1038/s41598−020−59280−0
WOS:000538418300001

8. Галеева А. В., Казаков А. С., Артамкин А. И., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Банников М. И., Данилов С. Н., Рябова Л. И., Хохлов Д. Р. Особенности транспорта в топологической фазе Hg0.87Cd0.13Te в условиях терагерцового фотовозбуждения // Физика и техника полупроводников- 2020. — V. 54. — №. 9 — P. 1064−1068.

DOI: 10.1134/S1063782620090109
WOS:000567018500012

9. Kazakov A. S., Galeeva A. V., Artamkin A. I., Ikonnikov A. V., Ryabova L. I., Dvoretsky S. A., Mikhailov N. N., Bannikov M. I., Danilov S. N., Khokhlov D. R. Non-local terahertz photoconductivity in the topological phase of Hg1? xCdxTe. // Scientific Reports — 2021. — V. 11. — P. 1587.

DOI: 10.1038/s41598−021−81099−6
WOS:000609782400108

© 2000—2021, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия