РусскийEnglish

Публикации ведущей организации

1. Bolshakov A. D., Mozharov A. M., Sapunov G. A., Shtrom I. V., Sibirev N. V., Fedorov V. V., Ubyivovk E. V., Tchernycheva M., Cirlin G. E., Mukhin I. S. Dopant-stimulated growth of GaN nanotube-like nanostructures on Si (111) by molecular beam epitaxy //Beilstein journal of nanotechnology. — 2018. — Т. 9. — №. 1. — С. 146−154.

DOI: 10.3762/bjnano.9.17
WOS:000423189900001

2. Kumar A., Singh R., Kumar P., Singh U. B., Asokan K., Karaseov P. A., Titov A. I., Kanjilal D. In-situ transport and microstructural evolution in GaN Schottky diodes and epilayers exposed to swift heavy ion irradiation //Journal of Applied Physics. — 2018. — Т. 123. — №. 16. — С. 161539.

DOI: 10.1063/1.4995491
WOS:000431147200069

3. Inyushkin A. V. E., Taldenkov A. N., Chernodubov D. A., Voronenkov V. V. E., Shreter Y. G. High thermal conductivity of bulk GaN single crystal: An accurate experimental determination //Jetp Letters. — 2020. — Т. 112. — №. 2. — С. 106−111.

DOI: 10.1134/S0021364020140039
WOS:000550599400003

4. Adamov R. B., Pashnev D., Shalygin V. A., Moldavskaya M. D., Vinnichenko M. Y., Janonis V., Jorudas J., Tumenas S., Prystawko P., Krysko M., Sakowicz M., Kasalynas I. Optical Performance of Two Dimensional Electron Gas and GaN: C Buffer Layers in AlGaN/AlN/GaN Heterostructures on SiC Substrate //Applied Sciences. — 2021. — Т. 11. — №. 13. — С. 6053.

DOI: 10.3390/app11136053
WOS:000672232400001

5. Shalygin V. A., Moldavskaya M. D., Vinnichenko M. Y., Maremyanin K. V., Artemyev A. A., Panevin V. Y., Vorobjev L. E., Firsov, D. A., Korotyeyev V. V., Sakharov, A. V., Zavarin E. E., Arteev D. S., Suihkonen S., Kauppinen C. Selective terahertz emission due to electrically excited 2D plasmons in AlGaN/GaN heterostructure //Journal of Applied Physics. — 2019. — Т. 126. — №. 18. — С. 183104.

DOI: 10.1063/1.5118771
WOS:000504002600005

6. Vinnichenko M. Y., Makhov I. S., Panevin V. Y., Vorobjev L. E., Sorokin S. V., Sedova I. V., Firsov D. A. Acceptor-related infrared optical absorption in GaAs/AlGaAs quantum wells //Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. — 2020. — Т. 124. — С. 114301.

DOI: 10.1016/j.physe.2020.114301
WOS:000569907800001

7. Винниченко М. Я., Махов И. С., Харин Н. Ю., Граф С. В., Паневин В. Ю., Седова И. В., Сорокин С. В., Фирсов, Д. А. Фотопроводимость и поглощение инфракрасного излучения в квантовых ямах p-GaAs/AlGaAs //Физика и техника полупроводников. — 2021. — Т. 55. — №. 8. — С. 629−636.

DOI: 10.21883/FTP.2021.08.51127.03
WOS:000754164600003

8. Софронов А. Н., Балагула Р. М., Фирсов Д. А., Воробьев Л. Е., Тонких А. А., Саркисян А. А., Айрапетян Д. Б..3, Петросян Л. С., Казарян, Э. М. Поглощение излучения дальнего инфракрасного диапазона квантовыми точками Ge/Si //Физика и техника полупроводников. — 2018. — Т. 52. — №. 1. — С. 63−67.

DOI: 10.21883/FTP.2018.01.45320.8655
WOS:000425152400011

9. Makhov I.S., Panevin V.Yu., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Klimko G.V. Impurity-assisted terahertz photoluminescence in compensated quantum wells //Journal of Applied Physics. — 2019. — Т. 126. — №. 17. — С. 175702.

DOI: 10.1063/1.5121835
WOS:000504088300043

10. Makhov I.S., Panevin V.Yu., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Vasil’ev A.P., Maleev N.A. Terahertz photoluminescence of the donor doped GaAs/AlGaAs quantum wells controlled by the near-infrared stimulated emission //Journal of Luminescence. — 2019. — Т. 210. — С. 352−357.

DOI: 10.1016/j.jlumin.2019.02.053
WOS:000462774900044

© 2000—2022, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия