РусскийEnglish

Список публикаций оппонента Цырлин Г.Э.

1Bolshakov A. D., Mozharov A. M., Sapunov G. A., Shtrom I. V., Sibirev N. V., Fedorov V. V., Ubyivovk E. V., Tchernycheva M., Cirlin G. E., Mukhin I. S. Dopant-stimulated growth of GaN nanotube-like nanostructures on Si (111) by molecular beam epitaxy //Beilstein journal of nanotechnology. — 2018. — Т. 9. — №. 1. — С. 146−154.

DOI: 10.3762/bjnano.9.17
WOS:000423189900001

2.Reznik R. R., Kotlyar K. P., Ilkiv I. V., Khrebtov A. I., Soshnikov I. P., Kukushkin S. A., Osipov A. V, Nikitina E. V, Cirlin G. E. MBE growth and optical properties of GaN, InN, and A3B5 nanowires on SiC/Si (111) hybrid substrate //Advances in Condensed Matter Physics. — 2018. — Т. 2018.

DOI: 10.1155/2018/1040689
WOS:000436319400001

3.Shtrom I. V., Filosofov N. G., Agekian V. F., Smirnov M. B., Serov A. Y., Reznik R. R., Kudryavtsev K. E., Cirlin G. E. Optical properties of GaN nanowires grown by MBE on SiC/Si (111) hybrid substrate //Semiconductors. — 2018. — Т. 52. — №. 5. — С. 602−604.

DOI: 10.1134/S1063782618050299
WOS:000430311300015

4.Fedorov V. V., Bolshakov A. D., Kirilenko D. A., Mozharov A. M., Sitnikova A. A., Sapunov G. A., Dvoretckai L. N., Shtrom I. V., Cirlin G. E., Mukhin I. S. Droplet epitaxy mediated growth of GaN nanostructures on Si (111) via plasma-assisted molecular beam epitaxy //CrystEngComm. — 2018. — Т. 20. — №. 24. — С. 3370−3380.

DOI: 10.1039/c8ce00348c
WOS:000435573500012

5.Kotlyar K. P., Morozov I. A., Shubina K. Y., Berezovskaya T. N., Dragunova, A. S., Kryzhanovskaya N. V., Kudryashov, D. A., Lihachev, A. I., Nashchekin, A. V., Soshniko I. P., Cirlin G. E. InGaN/GaN QDs nanorods for light emitters: Processing and properties //AIP Conference Proceedings. — AIP Publishing LLC, 2019. — Т. 2064. — №. 1. — С. 030006.

DOI: 10.1063/1.5087668
WOS:000464910000012

6.Bolshakov A. D., Fedorov V. V., Shugurov K. Y., Mozharov A. M., Sapunov G. A., Shtrom I. V., Mukhin M. S., Uvarov A. V., Cirlin G. E., Mukhin I. S. Effects of the surface preparation and buffer layer on the morphology, electronic and optical properties of the GaN nanowires on Si //Nanotechnology. — 2019. — Т. 30. — №. 39. — С. 395602.

DOI: 10.1088/1361−6528/ab2c0c
WOS:000475777500001

7.Koval O. Y., Fedorov V. V., Bolshakov A. D., Fedina S. V., Kochetkov F. M., Neplokh V., Sapunov G. A., Dvoretckaia, L. N., Kirilenko, D. A., Shtrom I. V., Islamova R. M., Cirlin G. E., Tchernycheva M., Serov, A. Yu., Mukhin, I. S. Structural and optical properties of self-catalyzed axially heterostructured GaPN/GaP nanowires embedded into a flexible silicone membrane //Nanomaterials. — 2020. — Т. 10. — №. 11. — С. 2110.

DOI: 10.3390/nano10112110
WOS:000593848800001

8.Reznik R. R., Morozov K. M., Krestnikov I. L., Kotlyar K. P., Soshnikov I. P., Leandro L., Akopian N., Cirlin, G. E. Directional Radiation from GaAs quantum dots in AlGaAs nanowires //Technical Physics Letters. — 2021. — Т. 47. — №. 5. — С. 405−408.

DOI: 10.1134/S106378502104026X
WOS:000763699500027

9.Гридчин В. О., Котляр К. П., Резник Р. Р., Дворецкая Л. Н., Парфеньева А. В., Мухин И. С., Цырлин Г. Э. Гридчин В. О. и др. Селективный рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии массивов нитевидных нанокристаллов GaN на процессированных SiOx/Si-подложках //Письма в ЖТФ. — 2020. — Т. 46. — №. 21.

DOI: 10.21883/PJTF.2020.21.50194.18463
WOS:000598786300009

10.Gridchin V. O., Kotlyar K. P., Reznik R. R., Dragunova A. S., Kryzhanovskaya N. V., Lendyashova V. V., Kirilenko D. A., Soshnikov I. P., Shevchuk D. S., Cirlin G. E. Multi-colour light emission from InGaN nanowires monolithically grown on Si substrate by MBE //Nanotechnology. — 2021. — Т. 32. — №. 33. — С. 335604.

DOI: 10.1088/1361−6528/ac0027
WOS:000655762400001

© 2000—2022, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия