РусскийEnglish

Список публикаций оппонента Шамирзаев Т. С.

  1. Гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на Si-подложках / Д. С. Абрамкин Д.С., М. О. Петрушков, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев // ФТП. — 2019. — Т. 53. — С. 1167.
  2. Optical orientation and alignment of excitons in direct and indirect band gap (In, Al) As/AlAs quantum dots with type-I band alignment / J. Rautert, T.S. Shamirzaev, S.V. Nekrasov, D.R. Yakovlev, P. Klenovský, Y.G. Kusrayev, M. Bayer // Physical Review B. — 2019. — V. 99. — P. 195411.
  3. On the structure and photoluminescence of dislocations in silicon / L.I. Fedina, A.K. Gutakovskii, T.S. Shamirzaev // JournalofAppliedPhysics. — 2019. — V. 124. — P. 053106.
  4. Квантовые точки, сформированные в гетеросистемах InSb/AlAs и AlSb/AlAs/ Д. С. Абрамкин, К. М. Румынин, А. К. Бакаров, Д. А. Колотовкина, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев // Письма в ЖЭТФ. — 2016. — Т. 103. — С. 785.
  5. Coexistence of type-I and type-II band alignment in Ga (Sb, P)/GaP heterostructures with pseudomorphic self-assembled quantum dots / D. S. Abramkin, V.T. Shamirzaev, M. A. Putyato, A.K. Gutakovskii, T.S. Shamirzaev // JETF Letters. — 2014. — V. 99. — P. 81.
  6. Полупроводниковые гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной на подложках с ориентацией (110) / Д. С. Абрамкин, Т. С. Шамирзаев // ФТП. — 2019. — Т. 53. — С. 710.

© 2000—2020, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия