РусскийEnglish

Лаборатория основ наноэлектронной компонентной базы информационных технологий

Лаборатория ориентирована на развитие физических принципов создания новых элементов компонентной базы информационных технологий на основе полупроводниковых, сверхпроводниковых и магнитных наноструктур, а также на развитие многослойной оптики мягкого рентгеновского и экстремального ультрафиолетового диапазонов для проекционной нанолитографии.

laboratory181_CollectivePhoto.jpeg

Направления исследований

  • Развитие методов спектроскопии Тгц излучения и прорывные разработки источников и детекторов на их основе
  • Изучение статических и динамических свойств гибридных наноструктур ферромагнетик/диэлектрик
  • Исследование свойств нитевидных полупроводниковых нанокристаллов и селективно легированных эпитаксиальных транзисторных структур на основе алмаза
  • Разработка многослойных зеркал для рентгеновской литографии

Проекты

  • Разработка компактного высокочувствительного Тгц спектрометра для газового анализа выдыхаемого человеком воздуха с целью ранней диагностики патологий, включающих онкологические заболевания
  • Теоретическое и экспериментальное исследование Тгц излучения сверхпроводящих джозефсоновских систем с размерами, превышающими длину волны и содержащими большое число (вплоть до 100 тысяч) джозефсоновских контактов
  • Исследование способов управления энергоэффективными элементами магнитной памяти за счет приложения электрического поля, реализованных на основе гибридных наноструктур ферромагнетик/диэлектрик
  • Исследование молекулярно-пучковой эпитаксии и излучательной рекомбинации нитевидных нанокристаллов полупроводников AlGaAs, GaN, InGaP «core-shell»
  • Изучение влияния деформации, уровня легирования и дефектности на излучательные свойства гетероструктур Ge/Si
  • Развитие высокоточных методов исследования электрофизических свойств селективно легированных эпитаксиальных транзисторных структур на основе алмаза, открывающих новые возможности создания полупроводниковых приборов, способных работать в экстремальных условиях
  • Разработка многослойных зеркал для рентгеновской литографии, обеспечивающих рекордные коэффициенты отражения как на длине волны 13,5 нм (используемой в разрабатываемых литографических степлерах), так и для более коротких длин волн

Заведующий лабораторией

к. ф.-м. н. Савинов Д.А.

Сотрудники

© 2000—2019, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия