Электронно-ионный (двухлучевой) растровый электронный микроскоп NEON 40 EsB
РусскийEnglish
Отдел 150

Электронно-ионный (двухлучевой) растровый электронный микроскоп NEON 40 EsB

Предназначен для исследования наноструктур, нанопрепарирования, локального ионного травления/осаждения и подготовки сверхтонких срезов для исследований методами ПЭМ. Имеется возможность локального ионно-стимулированного осаждения нескольких материалов (Pt, SiO2,вольфрам и др.).

СЭМ снимки структуры, полученной локальным ионным травлением (слева) и осажденных контактов из платины для электрофизических исследований (справа).


© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия