РусскийEnglish
Отдел 140
ИФМ РАН / Структура / Научные подразделения / Отдел 140 / Результаты / Плазмохимическое осаждение слоев кремния

Технология плазмохимического осаждения слоев кремния из его тетрафторида

Разработана одностадийная технология плазмохимического осаждения (толщиной несколько микрон) слоев кремния из его тетрафторида, обеспечивающая минимальное изотопное разбавление. Технология основана на использовании сильнонеравновесного разряда, поддерживаемого в магнитных ловушке излучением миллиметрового диапазона длин волн в условиях электронно-циклотронного резонанса. Получены слои микрокристаллического кремния на молибдене и изотопно-обогащенном монокристаллическом кремнии с рекордным изотопным обогащением по изотопу 28Si — 0.999986±0.000003 и изотопным разбавлением менее 10-5.

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия