РусскийEnglish
Отдел 140

Избранные публикации

2011 год

  • Прямое плазмохимическое получение кристаллических кремния и германия различного изотопного состава из их тетрафторидов. / П. Г. Сенников, С. В. Голубев, В. И. Шашкин, Д. А. Пряхин, Н. В. Абросимов, Перспективные материалы. Специальный выпуск №10, 160 (2011);
  • Волоконно-оптическая аппаратура для мониторинга технологических процессов / П. В. Волков, А. В. Горюнов, В. М. Данильцев, А. Ю. Лукьянов, Д. А. Пряхин, А. Д. Тертышник, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, Краткие сообщения по физике Физического института им. П. Н. Лебедева РАН 38 (2), 3 (2011);
  • Исследования диодов с пониженной высотой барьера в планарном смесителе миллиметрового диапазона длин волн / В. Р. Закамов, В. И. Шашкин, Радиотехника и электроника 56 (8), 1009 (2011);
  • Simulation of the Electron Transport in a Mott Diode by the Monte Carlo Method / S. V. Obolensky, A. V. Murel, N. V. Vostokov, V. I. Shashkin, IEEE Transaction on Electron Devices 58 (8), 2507 (2011);
  • Оптический мониторинг температуры подложки и скорости травления многослойных структур при плазмохимическом травлении / П. В. Волков, А. В. Горюнов, А. Ю. Лукьянов, Д. А. Пряхин, А. Д. Тертышник, В. И. Шашкин, Микроэлектроника 40 (5), 331 (2011);
  • Fabrication and Study of Spin Light-Emitting Nanoheterostructures on the Basis of III-V Semiconductors / Yu. A. Danilov, Yu. N. Drozdov, M. V. Dorokhin, V. D. Kulakovskii, M. M. Prokof’eva, S. V. Zaitsev and B. N. Zvonkov, Solid State Phenomena 168-169, 55 (2011);
  • Прямое сравнение периодов сверхрешеток, измеренных методом рентгеновской дифрактометрии и оптической интерферометрии / Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, Изв. РАН. Сер. Физическая 75 (1), 45 (2011);
  • Experimental investigations of silicon tetrafluoride decomposition in ECR discharge plasma / A. V. Vodopyanov, S. V. Golubev, D. A. Mansfeld, P. G. Sennikov, Yu. N. Drozdov, Review of scientific indtruments 82, 063503 (2011);
  • Narrow photoluminescence peak from Ge(Si) islands embedded between tensile-strained Si layers / Shaleev M., Novikov A., Baydakova N., Yablonskiy A., Kuznetsov O., Drozdov Y., Lobanov D., Krasilnik Z., Physica Status Solidi С 8, 1055 (2011);
  • Анализ чувствительности масс-спектрометра TOF. SIMS-5 к матричным элементам в слоях GeSi при регистрации комплексных ионов / М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Поверхность РСНИ, Вып.6, 93 (2011);
  • Исследование электрофизических и структурных параметров YBCO-пленок, выращенных за несколько ростовых циклов / Н. В. Востоков, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Д. В. Мастеров, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Письма в ЖТФ 37 (14), 54 (2011);
  • Usage of antimony segregation for selective doping of Si in molecular beam epitaxy / D. V. Yurasov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, M. V. Shaleev, N. D. Zakharov, A. V. Novikov, Journal of Applied Physics, 109, 113533 (2011);
  • Метод селективного легирования кремния сегрегирующими примесями / Д. В. Юрасов, М. Н. Дроздов, А. В. Мурель, А. В. Новиков, Письма в ЖТФ 37 (17), 75 (2011);
  • The isotopic composition of enriched Si: a data analysis / E. Bulska, M. N. Drozdov, G. Mana, A. Pramann, O. Rienitz, P. Sennikov and S. Valkiers, Metrologia 48 S32 (2011);
  • Антиотражающие покрытия фианита и ZrO2 для солнечных элементов / А. Н. Бузынин, Ю. Н. Бузынин, В. В. Осико, В. А. Панов, Б. Н. Звонков, И. В. Чинарева, П. Е. Хакаушев, М. А. Тришенков, Изв. РАН, сер. физич. 75 (9), 1282 (2011);
  • Эпитаксиальные пленки GeSi, AlGaN, GaSb и сверхрешетки GaSb/InAs на подложках фианита / Ю. Н. Бузынин, М. Н. Дроздов, А. Н. Бузынин, В. В. Осико, Б. Н. Звонков, Ю. Н. Дроздов, О. И., Хрыкин, А. Е. Лукьянов, Ф. А. Лукьянов, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, Изв. РАН, сер. физич., 75 (9), 1291 (2011);
  • Эрбиевые комплексы сэндвичевого типа содержащие фрагменты мезо-тетрафенилтетрабензопорфирина и фталоцианинов различной структур. Синтез и спектральные свойства / Н. Е. Галанин, Л. А. Якубов, Г. Л. Пахомов, Г. П. Шапошников, Журнал Органической Химии, 47 (5), 764 (2011).

2010 год

  • Количественный безэталонный анализ концентрации изотопов 28,29,30Si в кремнии методом ВИМС на установке TOF. SIMS-5. / М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Д. А. Пряхин, В. И. Шашкин, П. Г. Сенников, Х.-Й. Поль, Известия Российской Академии наук. Серия физическая 74 (1), 82 (2010);
  • Plasma-enhanced chemical vapor deposition of 99,95% 28Si in form of nano- and polycrystals using silicon tetrafluoride as precursor / P. Sennikov, D. Pryakhin, B. Andreev, L. Gavrilenko, Yu. Drozdov, M. Drozdov, H.-J. Pohl, V. Shashkin, Cryst. Res. Technol. 45 (9), 983 (2010);

2009 год

  • Получение слоев нанокристаллического кремния плазмохимическим осаждением из газовой фазы тетрафторида кремния / П. Г. Сенников, С. В. Голубев, В. И. Шашкин, Д. А. Пряхин, М. Н. Дроздов, Б. А. Андреев, Ю. Н. Дроздов, А. С. Кузнецов, Х.-Й. Поль, Письма в ЖЭТФ 89 (2), 80 (2009);

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия