РусскийEnglish
Отдел 140

Проекты отдела 140

Эпитаксия

  • Разработка технологии новых полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs и GaN;
  • Изготовление тонкопленочных гетероструктур и сверхрешеток на основе соединений InGaAlAs и AlInGaN для новых приборов.

Диагностика и исследование гетероструктур

  • Развитие методик:
    • рентгенодифракционных исследований гетероструктур;
    • масс-спектрометрии вторичных ионов;
    • сканирующей зондовой микроскопии и нанолитографии.
  • Транспортные исследования гетероструктур методами токовой, емкостной, фотоэлектрической и туннельной спектроскопи.

Разработка новых технологий и приборов

  • Микроволновые смесительные и детекторные диоды;
  • Фотоприемники ИК диапизонов;
  • Туннельные датчики ускорений/ вибраций;
  • Пассивные частотноизбирательные схемы на основе ВТСП.

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия