РусскийEnglish
Отдел 130
ИФМ РАН / Структура / Научные подразделения / Отдел 130 / Результаты / Создание элементной базы и исследования в области проекционной XEUV литографии

Создание элементной базы и исследования в области проекционной XEUV литографии

Проекционная литография экстремального ультрафиолетового и мягкого рентгеновского излучения рассматривается мировым сообществом как базовая технология для массового производства интегральных схем с минимальным размером топологии 10-30 нм. На пути к коммерческому сканеру необходимо решить ряд проблем, главными из которых являются: источник излучения, удовлетворяющий требованиям по мощности и сроку бесперебойной работы, радиационно-стойкие высокоэффективные фильтры длинноволнового излучения, светосильные высокоотражающие асферические многослойные зеркала с точностью формы поверхностей на уровне 0.1-0.2 нм и чувствительные высокоразрешающие фоторезисты на XEUV область.

К основным физическим и технологическим результатам, полученным в ходе выполнения этого цикла работ можно отнести следующее:

  • Детально изучено влияние микроструктуры пленок, шероховатости межслоевых границ и взаимной диффузия материалов, различных антидиффузионных слоев на коэффициенты отражения ряда наиболее перспективных пар материалов. Изучена и решена проблема компенсации стресса в многослойных структурах. В результате созданы признанные в мире технологии роста многослойных структур для длины волны 13.5 нм с рекордными коэффициентами отражения.
  • Разработана технология изготовления свободновисящих ультратонких (толщиной до 50 нм при апертуре рабочей зоны 25´140 мм2) фильтров, обеспечивающих в 10-ки раз подавление длинноволнового (от ультрафиолетового до инфракрасного) излучения и пропускание излучения с длиной волны 13.5 нм на уровне 75-78%.
  • На основе полиметилметакрилата получены фоторезисты для спектральной области 13.5 нм с чувствительностью до 2-3 мДж/см2 .
  • Разработана серия диагностических приборов для аттестации источников XEUV излучения в полосе пропускания, строго совпадающей с полосой пропускания литографической установки, а также для изучения влияния загрязнений и методов очистки оптики на коэффициенты отражения с чувствительностью лучше 0,1%.
  • Разработан интерферометр с дифракционной волной сравнения, обеспечивающий аттестацию формы светосильных оптических элементов и волновые деформации сложных систем с точностью на уровне 0.2-0.3 нм. Разработаны физические методы коррекции формы поверхностей, в том числе и асферических, до уровня 0.5 нм от заданных. Эти работы позволили России войти в тройку стран, обладающих подобными технологиями, и заложили основу для развития в стране передовых технологий в области создания литографического оборудования нового поколения, оптических и рентгеновских микроскопов нанометрового разрешения, рентгеновских телескопов сверхвысокого разрешения и др.

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия