ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Красильник Захарий Фишелевич

Красильник Захарий Фишелевич

директор ИФМ РАН, зам. председателя Президиума ННЦ РАН, д. ф.-м. н.

Персональные данные

Профессор, доктор физ.-мат. наук, Лауреат государственной премии СССР в области науки и техники (1987). Член двух специализированных советов по защите диссертаций, Научного совета РАН по проблеме «Физика полупроводников», Научных советов программы «Физика твердотельных наноструктур» Министерства образования и науки РФ, Российско-Украинской программы «Нанофизика и наноэлектроника».

Член редколлегии журнала «Физика и техника полупроводников».

Председатель комитетов по проведению совещаний «Нанофотоника» в 1998–2004 г, чл. программных и организационных комитетов ряда международных и всероссийских научных конференций.

Заведующий межфакультетской базовой кафедрой ННГУ им. Н. И. Лобачевского в ИФМ РАН « Внешняя ссылка Физика наноструктур и наноэлектроника«.

Руководитель Ведущей научной школы России «Физические основы развития кремниевой оптоэлектроники ближнего ИК диапазона и освоение терагерцового диапазона с использованием полупроводниковых наноструктур».

Научные интересы

Спектроскопия твердого тела, горячие носители заряда в полупроводниках, физика твердотельных наноструктур, молекулярно-лучевая эпитаксия наноструктур на основе кремния, кремниевая оптоэлектроника. Более 350 научных работ.

Образование

1965 — 1970 — учеба на радиофизическом факультете Горьковского государственного университета им. Н. И. Лобачевского;
1977 — кандидатская диссертация «Взаимодействие волн в полупроводниках с дрейфом носителей заряда», научный руководитель — профессор М. И. Рабинович;
1988 — докторская диссертация «Инвертированные распределения и индуцированное циклотронное излучение дырок с отрицательными массами в полупроводниках»

Профессиональная карьера

1970 — 1977 — младший научный сотрудник НИРФИ;
1977 — 1993 — младший / старший научный сотрудник, зав. лабораторией, зав. отделом, зам. директора отделения Института прикладной физики АН СССР (РАН);
1993 — 2009 — зам. директора ИФМ РАН, заведующий отделом физики полупроводников ИФМ РАН;
2009 — директор ИФМ РАН.

Педагогическая деятельность и научное руководство кандидатскими диссертационными работами

Педагогическая деятельность

1989 — 2003 г. — ст. преподаватель, профессор кафедры электроники (1996) радиофизического факультета ННГУ им. Н. И. Лобачевского, заведующий филиалом кафедры электроники в ИФМ РАН; руководитель специализации «Физика твердого тела» на ВШОПФ ННГУ им. Н. И. Лобачевского.
2004 — н/вр — заведующий межфакультетской базовой кафедрой «Физика наноструктур и наноэлектроника» ННГУ им. Н. И. Лобачевского в ИФМ РАН

Диссертации

1988 — Додин Евгений Петрович «Неравновесные распределения и отрицательная проводимость тяжелых дырок германия и кремния в сильных электрических и магнитных полях».
1995 — Коротков Андрей Леноктович «Детектирование инфракрасного и миллиметрового излучения болометрами на основе YbaCuO».
1999 — Ревин Дмитрий Геннадиевич «Спектроскопия возбужденных электронных состояний в квантово-размерных гетероструктурах InGaAs/GaAs».
2001 — Новиков Алексей Витальевич «Исследование роста и свойств самоорганизующихся наноостровков GeSi на Si (001)".
2003 — Гапонова Дарья Михайловна «Спектроскопия электронных состояний и неравновесных носителей заряда в низкоразмерных гетероструктурах на основе арсенида галлия».
2004 — Крыжков Денис Игоревич «Люминесцентные свойства структур на основе кремния в области длин волн 1,5-1,6 мкм».
2006 — Степихова Маргарита Владимировна «Оптически активные центры ионов эрбия в кремниевых матрицах».
2007 — Красильникова Людмила Владимировна «Люминесцентные свойства гетероструктур Si/SiGe, легированных примесью эрбия».

Избранные публикации последних 5-ти лет

2007

A.V. Novikov, M. V. Shaleev, A. N. Yablonskiy, O. A. Kuznetsov, Yu. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasilnik. Intense photoluminescence from Ge (Si) self-assembled islands embedded in a tensile-strained Si layer. Semiconductor Science and Technology, v. 22, pp. S29-S32 (2007).
M.V. Shaleev, A. V. Novikov, A. N. Yablonskiy, Y. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasilnik, O. A. Kuznetsov. Photoluminescence of dome and hut shaped Ge (Si) self-assembled islands embedded in a tensile-strained Si layer. Applied Physics Letters v. 91, p.021916 (2007).
I.N. Demchenko, K. Lawniczak-Jablonska, S. Kret, A. V. Novikov, J. Y. Laval, M. Zak, A. Szczepanska, A. N. Yablonskiy and Z. F. Krasilnik. The effect of local atomic structure on the optical properties of GeSi self-assembled islands buried in silicon matrix. Nanotechnology v. 18 (11), 115711 (7pp) (2007).
М.В. Шалеев, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, О. А. Кузнецов, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник. Влияние напряженного Si слоя на фотолюминесценцию Ge (Si) самоформирующихся островков, выращенных на релаксированных SiGe/Si (001) буферных слоях. ФТП, 2007, т.41, вып. 2, сс. 172-176.
М.В. Шалеев, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, О. А. Кузнецов, Ю. Н. Дроздов, Д. Н. Лобанов, З. Ф. Красильник. Влияние температуры роста на фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge (Si), заключенных между напряженными слоями Si. ФТП, 2007, т.41, вып. 11, сс. 1375-1380.
В.Я.Алешкин, Н. В. Востоков, Д. М. Гапонова, В. М. Данильцев, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, А. И. Корытин, Д. И. Курицын, Д. А. Пряхин, В. И. Шашкин. Пикосекундная кинетика фотоносителей в арсениде галлия с нанокластерами алюминия. ФТП, т.41 (8), сс. 929-933, (2007).
В.П.Кузнецов, Д. Ю. Ремизов, В. Б. Шмагин, К. Е. Кудрявцев, В. Н. Шабанов, С. В. Оболенский, О. В. Белова, М. В. Кузнецов, А. В. Корнаухов, Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник. Электролюминенсценция ионов эрбия в кремниевых диодных структурах p⁺⁺/n⁺/n-Si: Er/n⁺⁺. ФТП, 2007, т.41, вып. 11, с. 1329-1332.

2006

B.A. Andreev, T. Gregorkiewicz, W. Jantsch, Z. F. Krasilnik, D. I. Kryzhkov and V. P. Kuznetsov. 1.54 um Si: Er light-emitting diode with memory function. Applied Physics Letters 88, 201101 (2006).
S.V. Obolensky, V. B. Shmagin, V. A. Kozlov, K. E. Kudryavtsev, D. Yu. Remizov, Z. F. Krasilnik. A simple approach to the simulation of impact excitation of erbium in silicon light-emitting diodes. Semicond. Sci. Technol. 21 (2006) 1459-1463.
Z.F. Krasilnik, B. A. Andreev, T. Gregorkievicz, W. Jantsch, D. I. Kryzhkov, L. V. Krasilnikova, V. P. Kuznetsov, H. Przybylinska, D. Yu. Remizov, V. B. Shmagin, M. V. Stepikhova, V. Yu. Timoshenko, N. Q. Vinh, A. N. Yablonskiy, D. M. Zhigunov. Erbium doped silicon single- and multilayer structures for LED and laser applications. Journal of Materials Research, 2006, 21, p.574-583. Outstanding Meeting Paper.
T.Gregorkiewicz, B. A. Andreev, M. Forcales, I. Izeddin, W. Jantsch, Z. F. Krasil`nik, D. I. Kryzhkov, V. P. Kuznetsov, J. M. Zavada. Er-doped electro-optical memory element for 1.5 um silicon photonics. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, V. 12 (6), p.1539-1544 (2006).
M.V. Stepikhova, L. V. Krasil’nikova, Z. F. Krasil’nik, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, D. M. Zhigunov, O. A. Shalygina, V. Yu. Timoshenko. Observation of the population inversion of erbium ion states in Si/Si_1-xGe_x: Er/Si structures under optical excitation. Optical Materials 28, 2006. P. 893-896.
M.V. Shaleev, A. V. Novikov, A. N. Yablonskiy, Y. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasilnik, O. A. Kuznetsov. Photoluminescence of Ge (Si) self-assembled islands embedded in a tensile-strained Si layer. Appl. Phys. Lett. 88, p.011914 (2006).
M.Ya.Valakh, V. M. Dzhagan, Z. F. Krasilnik, O. S. Lytvyn, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, V. O. Yukhymchuk. Properties and interconversion of self-induced SiGe nanoislands of different shapes. Ukr. J. Phys. V. 51 (2), p.200-206 (2006).
M. Stepikhova, L. Krasil’nikova, Z. Krasil’nik, V. Shengurov, V. Chalkov, S. Svetlov, D. Zhigunov, V. Timoshenko, O. Shalygina, P. Kashkarov. Si/SiGe: Er/Si Structures for Laser Realization: Theoretical Analysis and Luminescent Studies. Journal of Crystal Growth 288, 2006. Issue 1, p. 65-69.
V.B. Shmagin, S. V. Obolensky, D. Yu. Remizov, V. P. Kuznetsov, Z. F. Krasilnik. The effect of space charge region width on Er-related luminescence in reverse biased Si: Er-based light emitting diodes. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 12 (2006) 1556-1560.
Д.О. Филатов, М. В. Круглова, М. А. Исаков, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков. Исследование фотоэлектрических свойств гетероструктур GeSi/Si с самоформирующимися нанокластерами методом спектроскопии фотоЭДС на барьере полупроводник/ электролит. Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования №2, стр. 40-47 (2006).
Н.В.Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, О. А. Кузнецов, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. В. Шалеев. Особенности формирования Ge (Si) островков на релаксированных Si_1-xGe_x/Si (001) буферных слоях. ФТП, 2006, 40, стр. 235-239.
Дроздов, Ю. Н., Красильник, З. Ф., Лобанов, Д. Н., Новиков, А. В., Шалеев, М. В., Яблонский, А. Н. Особенности фотолюминесценции Ge (Si)/Si (001) самоформирующихся островков, выращенных на напряженном Si_1-xGe_x слое. ФТП, 2006, т.40, с. 343-346.
В.П. Кузнецов, Д. Ю. Ремизов, В. Н. Шабанов, Р. А. Рубцова, М. В. Степихова, Д. И. Крыжков, А. Н. Шушунов, О. В. Белова, З. Ф. Красильник, Г. А. Максимов. Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм в структурах Si: Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. ФТП, 2006, т.40, вып.7, с. 868-875.

2005

Кузнецов В. П., Рубцова Р. А., Шабанов В. Н., Касаткин А. П., Седова С. В., Максимов Г. А., Красильник З. Ф., Демидов Е. В. Анализ коэффициента усиления и исследование люминесцентных свойств гетероструктур Si/Si_1-xGe_x: Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в газовой фазе. ФТТ, 2005, т.47, вып.1, с. 90-94.
Н.В.Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, M. Stoffel, U. Denker, O. G. Schmidt, О. М. Горбенко, И. Л. Сошников. Влияние предосаждения SiGe слоя на рост SiGe /Si (001) самоформирующихся островков. ФТТ, 2005, т.47, №1, с. 29-32.
Востоков Н. В., Красильник З. Ф., Лобанов Д. Н., Новиков А. В., Шалеев М. В., Яблонский А. Н. Влияние скорости осаждения Ge на рост и фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge (Si)/Si (001). ФТТ, 2005, Т.47, Вып.1, 41-43.
Шенгуров, В. Г., Павлов, Д. А., Светлов, С. П., Чалков, В. Ю., Шиляев, П. А., Степихова, М. В., Красильникова, Л. В., Дроздов, Ю. Н., Красильник, З. Ф. Гетероэпитаксия легированных эрбием слоев кремния на сапфире. ФТТ, 2005, № 47, вып. 1, С. 86-89.
Красильникова Л. В., М. В. Степихова, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. П. Светлов, О. Б. Гусев. Дефекты кристаллической структуры и холловская подвижность электронов в слоях Si: Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. ФТТ, 2005, № 47, вып. 1, С. 99-101.
Степихова, М. В., Жигунов, Д. М., Шенгуров, В. Г., Тимошенко, В. Ю., Красильникова, Л. В., Чалков, В. Ю., Светлов, С. П., Шалыгина, О. А., Кашкаров, П. К., Красильник, З. Ф. Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия. Письма в ЖЭТФ, 2005, № 81, вып. 10, С. 614-617.
Востоков Н. В., Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, О. А. Кузнецов, А. В. Новиков, В. А. Перевощиков, М. В. Шалеев. Релаксированные буферные слои SiGe /Si (001), вы-ращенные методом газофазной эпитаксии при атмосферном давлении. ФТТ, 2005. т.47 №1 с. 44-46.
Андреев Б. А., Красильник З. Ф., Яблонский А. Н., Кузнецов В. П., Gregorkiewicz T., Klik M. A. J. Спектроскопия возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si: Er. ФТТ, 2005. т.47 №1 с. 83-85.
Валах, М. Я., Голиней, Р. Ю., Джаган, В. Н., Красильник, З. Ф., Литвин, О. С., Лобанов, Д. Н., Милехин, А. Г., Никифоров, А. И., Новиков, А. В., Пчеляков, О. П., Юхимчук, В. А. Спектроскопия комбинационного рассеяния света и электроотражение самоорга-низованных SiGe-наноостровков, сформированных при различных температурах. ФТТ, 2005. т.47 №1 с. 54-57.
Максимов Г. А., Д. О. Филатов, М. В. Круглова, Д. Е. Николичев, В. Г. Шенгуров, З. Ф. Красильник, С. В. Морозов, Д. Ю. Ремизов. Фотоэлектрические свойства и электролюминесценция p-i-n диодов на основе гетероструктур с самоорганивованными нанокластерами GeSi/Si. ФТТ, 2005, 47, №1, с. 26-28.
Шмагин, В. Б., Ремизов, Д. Ю., Оболенский, С. В., Крыжков, Д. И., Дроздов, М. Н., Красильник, З. Ф. Электролюминесценция ионов Er³⁺ в режиме пробоя диодной структуры p⁺-Si/n-Si: Er/n⁺-Si. ФТТ, 2005. т.47 №1 с. 120-123.
Ремизов Д. Ю., В. Б. Шмагин, А. В. Антонов, В. П. Кузнецов, З. Ф. Красильник. Эффективное сечение возбуждения и время жизни ионов Er³⁺ в светодиодах на основе Si: Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. ФТТ, 2005. т.47 №1 с. 95-98.

2004

V.B. Shmagin, V. P. Kuznetsov, D. Yu. Remizov, Z. F. Krasil’nik, L. V. Krasil’nikova, D. I. Kryzhkov. Effect of the breakdown nature on Er-related electroluminescence intensity and excitation efficiency in Si: Er light emitting diodes grown with sublimation MBE technique. Materials Science & Engineering B. V. 105/1-3, pp. 70-73 (2004).
Востоков Н. В., З. Ф. Kрасильник, Д. Н. Лобанов, A. В. Новиков, М. В. Шалеев, A. Н. Яблонский. GeSi/Si (001) самоорганизующихся наноостровков различной формы. ФТТ 46, стр. 63-66, 2004.
V.Ya Aleshkin, A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, D. V. Kozlov, Z. F. Krasilnik, D. N. Lobanov, A. V. Novikov. Impurity photoconductivity in SiGe/Si: B multi-quantum well heterostructures. Physica B 340-342, pp. 1065-1068, 2004.
A.G. Milekhin, A. I. Nikiforov, M. Yu. Ladanov, O. P. Pchelyakov, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, Z. F. Krasil’nik, S. Schulze, and D. R. T. Zahn. Phonons in Ge/Si Quantum Dot Structures: influence of growth temperature. Physica E, 21/2-4, 464-468 (2004).
A.V. Novikov, M. V. Shaleev, D. N. Lobanov, A. N. Yablonsky, N. V. Vostokov and Z. F. Krasilnik. Photoluminescence of GeSi/Si (001) self-assembled islands with dome and hut shape. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures Volume 23, Issues 3-4, July 2004, Pages 416-420.
Валах М. Я., Джаган В. Н., Красильник З. Ф., Литвин П. М., Лобанов Д. Н., Моздор Е. В., Новиков А. В., Юхимчук В. А., Яремко А. М… Взаимосвязь энергии наноостровков SiGe с их формой и размерами. ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1, c. 70-73.
Шенгуров В. Г., Светлов С. П., Чалков В. Ю., Андреев Б. А., Красильник З. Ф., Крыжков Д. И. Влияние режимов роста на фотолюминесценцию слоев кремния, легированных эрбием в процессе сублимационной МЛЭ. ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1, c. 102-104.
Шмагин В. Б., Ремизов Д. Ю., Красильник З. Ф., Кузнецов В. П., Шабанов В. Н., Красильникова Л. В., Крыжков Д. И., Дроздов М. Н. Влияние характера пробоя p-n-перехода на интенсивность и эффективность возбуждения электролюминесценции ионов Er³⁺ в эпитаксиальных слоях Si: Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1, c. 110-113.
М.Я. Валах, В. Н. Джаган, П. М. Литвин, В. А. Юхимчук, З. Ф. Красильник, А. В. Новиков, Д. Н. Лобанов. Компонентный состав и упругие напряжения в многослойных структурах с наноостровками Si_1-xGe_x. ФТТ 46, стр. 88-90, 2004.
Андреев Б. А., Красильник З. Ф., Крыжков Д. И., Яблонский А. Н., Кузнецов В. П., Gregorkiewicz T., Klik M. A. J. Особенности спектров возбуждения фотолюминесценции ионов Er³⁺ в эпитаксиальных кремниевых структурах, легированных эрбием. ФТТ, 2004, том 46, вы-пуск 1, c. 98-101.
Светлов С. П., Чалков В. Ю., Шенгуров В. Г., Дроздов Ю. Н., Красильник З. Ф., Красильникова Л. В., Степихова М. В., Павлов Д. А., Павлова Т. В., Шиляев П. А., Хохлов А. Ф. Структурные и фотолюминесцентные свойства гетероэпитаксиальных слоев кремния на сапфире. ФТТ, 2004, т. 46, вып.1, c. 15-17.
Востоков Н. В., Красильник З. Ф., Лобанов Д. Н., Новиков А. В., Шалеев М. В., Яблонский А. Н. Фотолюминесценция GeSi/Si (001) самоорганизующихся наноостровков различной формы. ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1, c. 63-66

2003

З.Ф.Красильник. Наноструктуры для нанофотоники. Известия АН, сер. физическая, 2003, 67, №2, 152-154.
H.Kirmse, R. Otto, R. Schneider, W. Neumann, M. Hanke, M. Schmidbauer, R. Kohler, M. Lentzen, K. Urban, H. Wawra, T. Boeck, I. P. Soshnikov, N. N. Ledentsov, Z. F. Krasilnik, A. Novikov. HRTEM study of growth-correlated properties of (Si, Ge) islands. Microscopy and Microanalysis 9 (Suppl. 3) (2003) 220-221.
N.Q. Vinh, H. Przyblinska, Z. F. Krasilnik, T. Gregorkiewicz. Phys. Rev. Letters. 90, N6 p.0664011-0664014 2003. Microscopic Structure of Er-related optically active centers in crystalline Si.
H.Przybylinska, N. Q. Vinh, B. A. Andreev, Z. F. Krasil’nik, T. Gregorkiewicz. Microscopic Structure of Er-Related Optically Active Centers in Si. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 770, p.1711-1717, 2003.
Z.F. Krasilnik, V. Y. Aleshkin, B. A. Andreev, O. B. Gusev, W. Jantsch, L. V. Krasilnikova, D. I. Krizhkov, V. P. Kuznetsov, V. G. Shengurov, V. B. Shmagin, N. A. Sobolev, M. V. Stepikhova, A. N. Yablonsky. SMBE grown uniformly and selectively doped Si: Er structures for LEDs and lasers. L. Pavesi, S. Gaponenko, Luca Dal Negro. Towards thr First Silicon Laser. NATO SCIENCE SERIES: II: Mathematics, Physics and Chemistry: V93. 2003 Kluwer Academic Publishers. Netherlands. 445-454.
М.С.Дунаевский, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, А. Н. Титков, R. Laiho. Визуализация заращенных наноостровков GeSi в кремниевых структурах методом атомно-силовой микроскопии на сколах. ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, c. 692-699.
С.П.Светлов, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, Л. В. Красильникова, М. В. Степихова, Д. А. Павлов, Т. В. Павлова, П. А. Шиляев, А. Ф. Хохлов. Структура и свойства эпитаксиальных слоев кремния на сапфире, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Материалы электронной техники №2, 2003, с. 27-30.
Н.В.Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский. Фотолюминесценция структур с самоорганизующимися наноостровками GeSi/Si (001). Известия АН, сер. физическая, 2003, 67, №2, 159-162.
С.В.Гастев, А. М. Емельянов, Н. Н. Соболев, Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник, В. Б. Шмагин. Эффективное сечение возбуждения фотолюминесценции и время жизни в возбужденном состоянии ионов эрбия в многослойных селективно легированных Si: Er структурах. ФТП 2003, т.37 №.9 1123-1126.

Контактная информация

Почтовая ссылка zfk@ipm.sci-nnov.ru