РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Красильник Захарий Фишелевич

Красильник Захарий Фишелевич

Директор ИФМ РАН, зам. председателя Президиума ННЦ РАН, д. ф.-м. н., член-корреспондент РАН.

Профессор, доктор физ.-мат. наук, Лауреат государственной премии СССР в области науки и техники (1987). Член двух специализированных советов по защите диссертаций, Научного совета РАН по проблеме «Физика полупроводников».

Член редколлегии журналов «Успехи физических наук» и«Физика и техника полупроводников».

Сопредседатель Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», член программных и организационных комитетов ряда международных и всероссийских научных конференций.

Заведующий межфакультетской базовой кафедрой ННГУ им. Н. И. Лобачевского в ИФМ РАН «Физика наноструктур и наноэлектроника».

Руководитель Ведущей научной школы России «Физические основы развития кремниевой оптоэлектроники ближнего ИК диапазона и освоение терагерцового диапазона с использованием полупроводниковых наноструктур».

Персональные данные

Родился 2 ноября 1947 года в г. Черновцы, женат.

Научные интересы

Спектроскопия твердого тела, горячие носители заряда в полупроводниках, физика твердотельных наноструктур, молекулярно-лучевая эпитаксия наноструктур на основе кремния, кремниевая оптоэлектроника. Более 400 научных работ.

Образование

  • 1965 — 1970 — учеба на радиофизическом факультете Горьковского государственного университета им. Н. И. Лобачевского;
  • 1977 — кандидатская диссертация «Взаимодействие волн в полупроводниках с дрейфом носителей заряда», научный руководитель — профессор М. И. Рабинович;
  • 1988 — докторская диссертация «Инвертированные распределения и индуцированное циклотронное излучение дырок с отрицательными массами в полупроводниках».

Профессиональная карьера

  • 1970 — 1977 — младший научный сотрудник НИРФИ;
  • 1977 — 1993 — младший / старший научный сотрудник, зав. лабораторией, зав. отделом, зам. директора отделения Института прикладной физики АН СССР (РАН);
  • 1993 — 2009 — зам. директора ИФМ РАН, заведующий отделом физики полупроводников ИФМ РАН;
  • 2009 — директор ИФМ РАН.

Педагогическая деятельность и научное руководство кандидатскими диссертационными работами

Педагогическая деятельность

  • 1989 — 2003 г. — ст. преподаватель, профессор кафедры электроники (1996) радиофизического факультета ННГУ им. Н. И. Лобачевского, заведующий филиалом кафедры электроники в ИФМ РАН; руководитель специализации «Физика твердого тела» на ВШОПФ ННГУ им. Н. И. Лобачевского.
  • 2004 — н/вр — заведующий межфакультетской базовой кафедрой «Физика наноструктур и наноэлектроника» ННГУ им. Н. И. Лобачевского в ИФМ РАН

Диссертации

  • 1988 — Додин Евгений Петрович «Неравновесные распределения и отрицательная проводимость тяжелых дырок германия и кремния в сильных электрических и магнитных полях».
  • 1995 — Коротков Андрей Леноктович «Детектирование инфракрасного и миллиметрового излучения болометрами на основе YbaCuO».
  • 1999 — Ревин Дмитрий Геннадиевич «Спектроскопия возбужденных электронных состояний в квантово-размерных гетероструктурах InGaAs/GaAs».
  • 2001 — Новиков Алексей Витальевич «Исследование роста и свойств самоорганизующихся наноостровков GeSi на Si (001)».
  • 2003 — Гапонова Дарья Михайловна «Спектроскопия электронных состояний и неравновесных носителей заряда в низкоразмерных гетероструктурах на основе арсенида галлия».
  • 2004 — Крыжков Денис Игоревич «Люминесцентные свойства структур на основе кремния в области длин волн 1,5−1,6 мкм».
  • 2006 — Степихова Маргарита Владимировна «Оптически активные центры ионов эрбия в кремниевых матрицах».
  • 2007 — Красильникова Людмила Владимировна «Люминесцентные свойства гетероструктур Si/SiGe, легированных примесью эрбия».

Избранные публикации последних лет

2013

  • L.V.Krasilnikova, M.V.Stepikhova, A.V.Antonov, V.G.Shengurov, Z.F. Krasilnik. The processes of erbium impurity excitation in Si/Si1-xGex:Er/Si heteroepitaxial structures. OPTICAL MATERIALS Volume: 35 Issue: 7 Pages: 1404−1409. 2013.
  • S.V.Morozov, D.I.Kryzhkov, A.N.Yablonsky, A.V.Antonov, D.I.Kuritsin, D.M.Gaponova, Y.G.Sadofyev, N. Samal, V.I.Gavrilenko, Z.F. Krasilnik. Type II-type I conversion of GaAs/GaAsSb heterostructure energy spectrum under optical pumping. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Volume: 113 Issue: 16 Article Number: 163107. 2013.
  • M.V.Shaleev, A.V.Novikov, D.V.Yurasov, J.M.Hartmann, O.A.Kuznetsov, D.N.Lobanov, Z.F. Krasilnik. Transition from the two- to three-dimensional growth of Ge films upon deposition onto relaxed SiGe/Si (001) buffer layers. SEMICONDUCTORS Volume: 47 Issue: 3 Pages: 427−432. 2013.
  • D.V.Shengurov, V.Y.Chalkov, S.A.Denisov, V.G.Shengurov, M.V.Stepikhova, M.N.Drozdov, Z.F. Krasilnik. Low-temperature growth of silicon epitaxial layers codoped with erbium and oxygen atoms. SEMICONDUCTORS Volume: 47 Issue: 3 Pages: 433−436. 2013.
  • В.Я.Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, А. М. Кадыков, В. Г. Лысенко, З. Ф. Красильник. Нерезонансный ближнепольный излучательный перенос экситонных возбуждений между квантовыми ямами. Журнал экспериментальной и теоретической физики, Т. 144 (5), с.1080−1085.2013.
  • А.В. Антонов, К. Е. Кудрявцев, Д. В. Шенгуров, В. Б. Шмагин, З. Ф. Красильник. Особенности примесной фотопроводимости в эпитаксиальных диодах Si: Er/Si. Физика и техника полупроводников, Т. 47 (11), 1513−1516. 2013.

2012

  • A.J.Kenyon, Y. Fujiwara, A. Kozanecki, M.P.Halsall, Z.F.Krasilnik.Special Issue based on Symposium on rare-earth doped semiconductors and nanostructures for photonics at the E-MRS Fall 2011 Preface. JOURNAL OF LUMINESCENCE Volume: 132 Issue: 12 Special Issue: SI Pages: 3099−3099. 2012.
  • N.V.Yurasova, M.V.Stepikhova, L.V.Krasilnikova, Z.F.Krasilnik. Theoretical analysis of microdisk resonators based on Si/Si1-xGex:Er light-emitting structures. JOURNAL OF LUMINESCENCE Volume: 132 Issue: 12 Special Issue: SI Pages: 3122−3124. 2012.
  • B.A.Andreev, Z.F.Krasilnik, D.I.Kryzhkov, D.V.Shengurov, A.N.Yablonskiy, V.P.Kuznetsov. Luminescent properties of MBE-grown Si: Er/SOi structures. JOURNAL OF LUMINESCENCE Volume: 132 Issue: 12 Special Issue: SI Pages: 3148−3150. 2012.
  • M.V.Shaleev, A.V.Novikov, D.V.Yurasov, J.M.Hartmann, O.A.Kuznetsov, D.N.Lobanov, Z.F.Krasilnik. Transition from planar to island growth mode in SiGe structures fabricated on SiGe/Si (001) strain-relaxed buffers. APPLIED PHYSICS LETTERS Volume: 101 Issue: 15 Article Number: 151601. 2012.
  • K.E.Kudryavtsev, V.B.Shmagin, D.V.Shengurov, Z.F.Krasilnik.Auger de-excitation of different Er centers in Si: Er layers grown with sublimation molecular beam epitaxy. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY Volume: 27 Issue: 10 Article Number: 105028. 2012.
  • V.Y.Aleshkin, A.A.Dubinov, L.V.Gavrilenko, Z.F.Krasilnik, K.I.Kuritsyn, D.I.Kryzhkov, S.V.Morozov. Picosecond photoluminescence dynamics in an InGaAs/GaAs quantum-well heterostructure. SEMICONDUCTORS Volume: 46 Issue: 7 Pages: 917−920. 2012.
  • V.V.Strelchuk, A.S.Nikolenko, P.M.Lytvyn, V.P.Kladko, A.IGudymenko., M.YValakh., Z.F.Krasilnik, D.N.Lobanov, A.V.Novikov. Effects of the lateral ordering of self-assembled SiGe nanoislands grown on strained Si1-xGex buffer layers. SEMICONDUCTORS Volume: 46 Issue: 5 Pages: 647−654. 2012.
  • V.Y.Aleshkin, L.V.Gavrilenko, D.M.Gaponova, Z.F.Krasilnik, D.I. Kryzhkov, D.I.Kuritsyn, S.M. Sergeev, V.G.Lyssenko. Near-Field Mechanism of Photoluminescence Excitation in Quantum Well Heterostructures. JETP LETTERS Volume: 94 Issue: 11 Pages: 811−815. 2012.
  • V.A.Kozlov, S.V.Obolensky, V.B.Shmagin, Z.F. Krasilnik. Natural Fluctuations in Tunneling-Current Distribution over the Area of a Reverse-Biased Silicon p-n Junction. SEMICONDUCTORS Volume: 46 Issue: 1 Pages: 130−135. 2012.

2011

  • В.П.Кузнецов, В. Б. Шмагин, М. Н. Дроздов, М. О. Марычев, К. Е. Кудрявцев, М. В. Кузнецов, Б. А. Андреев, А. В. Корнаухов, З. Ф. Красильник. Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si: Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. ФТП, том 45, вып. 1, 132−135, (2011).
  • М.В.Шалеев, А. В. Новиков, Н. А. Байдакова, А. Н. Яблонский, О. А. Кузнецов, Д. Н. Лобанов, З. Ф. Красильник. Ширина линии фотолюминесценции от самоформирующихся островков Ge (Si), заключенных между напряженными Si-слоями. ФТП, том 45, выпуск 2, 202−206, (2011).
  • З.Ф.Красильник, К. Е. Кудрявцев, А. Н. Качемцев, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, С. В. Оболенский, Д. В. Шенгуров. Сравнительный анализ радиационного воздействия на электролюминесценцию кремния и SiGe/Si (001)-гетероструктур с самоформирующимися наноостровками. ФТП, том 45, выпуск 2, 230−234, (2011).
  • В.П.Кузнецов, М. В. Степихова, В. Б. Шмагин, М. О. Марычев, Н. А. Алябина, М. В. Кузнецов, Б. А. Андреев, А. В. Корнаухов, О. Н. Горшков, З. Ф. Красильник. Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si: Er/Si, состоящей из ряда p-n-переходов. ФТП, том 45, выпуск 11, 1486−1488, (2011).
  • Z.F.Krasilnik, A. V. Novikov, D. N. Lobanov, K. E. Kudryavtsev, A. V. Antonov, S. V. Obolenskiy, N. D. Zakharov and P Werner. SiGe nanostructures with self-assembled islands for Si-based optoelectronics. Semicond. Sci. Technol. 26,014209 (5pp), (2011).
  • M.Shaleev, A. Novikov, N. Baydakova, A. Yablonskiy, O. Kuznetsov, Y. Drozdov, D. Lobanov, and Z. Krasilnik. Narrow photoluminescence peak from Ge (Si) islands embedded between tensile-strained Si layers. Physica Status Solidi С 8 (3), 1055−1059, (2011).

2010

  • M.Ya.Valakh, P. M. Lytvyn, A. S. Nikolenko, V. V. Strelchuk, Z. F. Krasilnik, D. N. Lobanov, and A. V. Novikov. Gigantic uphill diffusion during self-assembled growth of Ge quantum dots on strained SiGe sublayers. Appl. Phys. Lett. 96, 141909, (2010).
  • А.В.Новиков, А. Н. Яблонский, В. В. Платонов, С. В. Оболенский, Д. Н. Лобанов, З. Ф. Красильник. Влияние радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных SiGe/Si (001) гетероструктур. ФТП 44 (3), 346−351, (2010).
  • А.Н.Яблонский, Б. А. Андреев, Л. В. Красильникова, Д. И. Крыжков, В. П. Кузнецов, З. Ф. Красильник. Особенности механизмов возбуждения эрбиевой ФЛ в эпитаксиальных структурах Si: Er/S., Физика и техника полупроводников, т.44 (11), с.1519−1522, (2010).
  • В.П.Кузнецов, В. Б. Шмагин, М. О. Марычев, К. Е. Кудрявцев, М. В. Кузнецов, Б. А. Андреев, А. В. Корнаухов, О. Н. Горшков, З. Ф. Красильник. Электролюминесценция на длине волны 1.5 мкм в диодных структурах Si: Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B. Физика и техника полупроводников, 44 (12), 1645−1648 (2010).
  • В.П.Кузнецов, М. В. Кузнецов, З. Ф. Красильник., Диодные структуры Si: Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм при 300 K., ФТП, том 44, выпуск 3, 402−408, (2010).
  • В.П.Кузнецов, З. Ф. Красильник. Метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии структур на основе кремния. ФТП, том 44, выпуск 3, 413−417, (2010).
  • В.Б.Шмагин, В. П. Кузнецов, К. Е. Кудрявцев, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, З. Ф. Красильник. Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур p+/n+/n-Si:Erтуннельно-пролетного типа. Физика и техника полупроводников, 44 (11), 1533−1538, (2010).
  • Л.В.Красильникова, А. Н. Яблонский, М. В. Степихова, Ю. Н. Дроздов, В. Г. Шенгуров, З. Ф. Красильник. Особенности спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции структур Si1-xGex:Er/ Si с релаксированным гетерослоем. ФТП, т.44, вып. 11, с.1527−1532, (2010).

2009

  • A.N.Yablonskiy, L. V. Krasilnikova, B. A. Andreev, D. I. Kryzhkov, V. P. Kuznetsov and Z. F. Krasilnik. Band-to-band and direct optical excitation of Er in silicon: comparison of kinetics and temperature dependence of erbium PL. Physica B: Condensed Matter, v.404, iss. 23−24, p. 4601−4603, (2009).
  • B.A.Andreev, Z. F. Krasilnik, D. I. Kryzhkov, K. E. Kudryavtsev, V. P. Kuznetsov. The features of electro-optical memory effect for 1.54 micron electroluminescence of an Er doped Si diode. Physica B: Physics of Condensed Matter v.404 P. 4597−4600, (2009).
  • D.N.Lobanov, A. V. Novikov, K. E. Kudryavtsev, A. N. Yablonskiy, A. V. Antonov, Yu. N. Drozdov, D. V. Shengurov, V. B. Shmagin, Z. F. Krasilnik, N. D. Zakharov, P. Werner. Electroluminescence and photoconductivity of GeSi heterostructures with self-assembled islands in the wavelength range 1.3−1.55 mkm. Physica E 41, 935−938, (2009).
  • K.E.Kudryavtsev, V. B. Shmagin, D. V. Shengurov and Z. F. Krasilnik. Extremely sharp electroluminescence from Er-doped silicon. Semicond. Sci. Technol. v.24, 065009, (2009).
  • K.E.Kudryavtsev, V. B. Shmagin, D. V. Shengurov, Z. F. Krasilnik. High-resolution spectroscopy and time-resolved study of electroluminescence of Er-1 center in silicon. Physica B, v.404 (23−24), 4593 — 4596, (2009).
  • K.E.Kudryavtsev, V. P. Kuznetsov, D. V. Shengurov, V. B. Shmagin and Z. F. Krasilnik. Features of erbium nonradiative deexcitation and electroluminescence temperature quenching in sublimation MBE grown Si: Er/Si diode structures. Physica E, v.41 (6), 899, (2009).
  • V.Shmagin, D. Remizov, V. Kuznetsov, V. Kozlov, S. Obolensky and Z. Krasilnik. A tunnel transit-time light emitting diode as a new type of Si: Er LEDs with impact excitation of Er3+. In: Handbook of Light Emitting and Schottky Diode Research (ISBN: 978−1−60692−462−4) Editor: N. P. Chen, © Nova Science Publishers, Inc. (2009).
  • Д.Н.Лобанов, А. В. Новиков, К. Е. Кудрявцев, Д. В. Шенгуров, Ю. Н. Дроздов, А. Н. Яблонский, В. Б. Шмагин, З. Ф. Красильник, N. D. Zakharov, P. Werner. Влияние параметров Ge (Si)/Si (001) самоформирующихся островков на их электролюминесценцию при комнатной температуре. ФТП 43 (3), 332−336, (2009).
  • Л.В.Красильникова, М. В. Степихова, Н. А. Байдакова, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров. Оптически активные центры в гетероструктурах Si/Si1-xGex: Er, связанные с ионами Er3+. ФТП, т.43, вып. 7, с.909−916, (2009).
  • Л.В.Красильникова, Н. А. Байдакова, М. В. Степихова, З. Ф. Красильник, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров. Оптически активные центры иона Er3+ в структурах Si/Si1-xGex в условиях сильного оптического возбуждения. Изв. РАН, Сер. Физическая, т.73, № 1, с.103−108, (2009).

2007

  • A.V. Novikov, M. V. Shaleev, A. N. Yablonskiy, O. A. Kuznetsov, Yu. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasilnik. Intense photoluminescence from Ge (Si) self-assembled islands embedded in a tensile-strained Si layer. Semiconductor Science and Technology, v. 22, pp. S29-S32 (2007).
  • M.V. Shaleev, A. V. Novikov, A. N. Yablonskiy, Y. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasilnik, O. A. Kuznetsov. Photoluminescence of dome and hut shaped Ge (Si) self-assembled islands embedded in a tensile-strained Si layer. Applied Physics Letters v. 91, p.021916 (2007).
  • I.N. Demchenko, K. Lawniczak-Jablonska, S. Kret, A. V. Novikov, J. Y. Laval, M. Zak, A. Szczepanska, A. N. Yablonskiy and Z. F. Krasilnik. The effect of local atomic structure on the optical properties of GeSi self-assembled islands buried in silicon matrix. Nanotechnology v. 18 (11), 115711 (7pp) (2007).
  • М.В. Шалеев, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, О. А. Кузнецов, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник. Влияние напряженного Si слоя на фотолюминесценцию Ge (Si) самоформирующихся островков, выращенных на релаксированных SiGe/Si (001) буферных слоях. ФТП, 2007, т.41, вып. 2, сс. 172−176.
  • М.В. Шалеев, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, О. А. Кузнецов, Ю. Н. Дроздов, Д. Н. Лобанов, З. Ф. Красильник. Влияние температуры роста на фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge (Si), заключенных между напряженными слоями Si. ФТП, 2007, т.41, вып. 11, сс. 1375−1380.
  • В.Я.Алешкин, Н. В. Востоков, Д. М. Гапонова, В. М. Данильцев, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, А. И. Корытин, Д. И. Курицын, Д. А. Пряхин, В. И. Шашкин. Пикосекундная кинетика фотоносителей в арсениде галлия с нанокластерами алюминия. ФТП, т.41 (8), сс. 929−933, (2007).
  • В.П.Кузнецов, Д. Ю. Ремизов, В. Б. Шмагин, К. Е. Кудрявцев, В. Н. Шабанов, С. В. Оболенский, О. В. Белова, М. В. Кузнецов, А. В. Корнаухов, Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник. Электролюминенсценция ионов эрбия в кремниевых диодных структурах p++/n+/n-Si: Er/n++. ФТП, 2007, т.41, вып. 11, с. 1329−1332.

2006

  • B.A. Andreev, T. Gregorkiewicz, W. Jantsch, Z. F. Krasilnik, D. I. Kryzhkov and V. P. Kuznetsov. 1.54 um Si: Er light-emitting diode with memory function. Applied Physics Letters 88, 201101 (2006).
  • S.V. Obolensky, V. B. Shmagin, V. A. Kozlov, K. E. Kudryavtsev, D. Yu. Remizov, Z. F. Krasilnik. A simple approach to the simulation of impact excitation of erbium in silicon light-emitting diodes. Semicond. Sci. Technol. 21 (2006) 1459−1463.
  • Z.F. Krasilnik, B. A. Andreev, T. Gregorkievicz, W. Jantsch, D. I. Kryzhkov, L. V. Krasilnikova, V. P. Kuznetsov, H. Przybylinska, D. Yu. Remizov, V. B. Shmagin, M. V. Stepikhova, V. Yu. Timoshenko, N. Q. Vinh, A. N. Yablonskiy, D. M. Zhigunov. Erbium doped silicon single- and multilayer structures for LED and laser applications. Journal of Materials Research, 2006, 21, p.574−583. Outstanding Meeting Paper.
  • T.Gregorkiewicz, B. A. Andreev, M. Forcales, I. Izeddin, W. Jantsch, Z. F. Krasil`nik, D. I. Kryzhkov, V. P. Kuznetsov, J. M. Zavada. Er-doped electro-optical memory element for 1.5 um silicon photonics. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, V. 12 (6), p.1539−1544 (2006).
  • M.V. Stepikhova, L. V. Krasil’nikova, Z. F. Krasil’nik, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, D. M. Zhigunov, O. A. Shalygina, V. Yu. Timoshenko. Observation of the population inversion of erbium ion states in Si/Si1-xGex: Er/Si structures under optical excitation. Optical Materials 28, 2006. P. 893−896.
  • M.V. Shaleev, A. V. Novikov, A. N. Yablonskiy, Y. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z. F. Krasilnik, O. A. Kuznetsov. Photoluminescence of Ge (Si) self-assembled islands embedded in a tensile-strained Si layer. Appl. Phys. Lett. 88, p.011914 (2006).
  • M.Ya.Valakh, V. M. Dzhagan, Z. F. Krasilnik, O. S. Lytvyn, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, V. O. Yukhymchuk. Properties and interconversion of self-induced SiGe nanoislands of different shapes. Ukr. J. Phys. V. 51 (2), p.200−206 (2006).
  • M. Stepikhova, L. Krasil’nikova, Z. Krasil’nik, V. Shengurov, V. Chalkov, S. Svetlov, D. Zhigunov, V. Timoshenko, O. Shalygina, P. Kashkarov. Si/SiGe: Er/Si Structures for Laser Realization: Theoretical Analysis and Luminescent Studies. Journal of Crystal Growth 288, 2006. Issue 1, p. 65−69.
  • V.B. Shmagin, S. V. Obolensky, D. Yu. Remizov, V. P. Kuznetsov, Z. F. Krasilnik. The effect of space charge region width on Er-related luminescence in reverse biased Si: Er-based light emitting diodes. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 12 (2006) 1556−1560.
  • Д.О. Филатов, М. В. Круглова, М. А. Исаков, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков. Исследование фотоэлектрических свойств гетероструктур GeSi/Si с самоформирующимися нанокластерами методом спектроскопии фотоЭДС на барьере полупроводник/ электролит. Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования № 2, стр. 40−47 (2006).
  • Н.В.Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, О. А. Кузнецов, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. В. Шалеев. Особенности формирования Ge (Si) островков на релаксированных Si1-xGex/Si (001) буферных слоях. ФТП, 2006, 40, стр. 235−239.
  • Дроздов, Ю. Н., Красильник, З. Ф., Лобанов, Д. Н., Новиков, А. В., Шалеев, М. В., Яблонский, А. Н. Особенности фотолюминесценции Ge (Si)/Si (001) самоформирующихся островков, выращенных на напряженном Si1-xGex слое. ФТП, 2006, т.40, с. 343−346.
  • В.П. Кузнецов, Д. Ю. Ремизов, В. Н. Шабанов, Р. А. Рубцова, М. В. Степихова, Д. И. Крыжков, А. Н. Шушунов, О. В. Белова, З. Ф. Красильник, Г. А. Максимов. Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм в структурах Si: Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. ФТП, 2006, т.40, вып.7, с. 868−875.

2005

  • Кузнецов В. П., Рубцова Р. А., Шабанов В. Н., Касаткин А. П., Седова С. В., Максимов Г. А., Красильник З. Ф., Демидов Е. В. Анализ коэффициента усиления и исследование люминесцентных свойств гетероструктур Si/Si1-xGex: Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в газовой фазе. ФТТ, 2005, т.47, вып.1, с. 90−94.
  • Н.В.Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, M. Stoffel, U. Denker, O. G. Schmidt, О. М. Горбенко, И. Л. Сошников. Влияние предосаждения SiGe слоя на рост SiGe /Si (001) самоформирующихся островков. ФТТ, 2005, т.47, № 1, с. 29−32.
  • Востоков Н. В., Красильник З. Ф., Лобанов Д. Н., Новиков А. В., Шалеев М. В., Яблонский А. Н. Влияние скорости осаждения Ge на рост и фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge (Si)/Si (001). ФТТ, 2005, Т.47, Вып.1, 41−43.
  • Шенгуров, В. Г., Павлов, Д. А., Светлов, С. П., Чалков, В. Ю., Шиляев, П. А., Степихова, М. В., Красильникова, Л. В., Дроздов, Ю. Н., Красильник, З. Ф. Гетероэпитаксия легированных эрбием слоев кремния на сапфире. ФТТ, 2005, № 47, вып. 1, С. 86−89.
  • Красильникова Л. В., М. В. Степихова, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. П. Светлов, О. Б. Гусев. Дефекты кристаллической структуры и холловская подвижность электронов в слоях Si: Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. ФТТ, 2005, № 47, вып. 1, С. 99−101.
  • Степихова, М. В., Жигунов, Д. М., Шенгуров, В. Г., Тимошенко, В. Ю., Красильникова, Л. В., Чалков, В. Ю., Светлов, С. П., Шалыгина, О. А., Кашкаров, П. К., Красильник, З. Ф. Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия. Письма в ЖЭТФ, 2005, № 81, вып. 10, С. 614−617.
  • Востоков Н. В., Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, О. А. Кузнецов, А. В. Новиков, В. А. Перевощиков, М. В. Шалеев. Релаксированные буферные слои SiGe /Si (001), вы-ращенные методом газофазной эпитаксии при атмосферном давлении. ФТТ, 2005. т.47 № 1 с. 44−46.
  • Андреев Б. А., Красильник З. Ф., Яблонский А. Н., Кузнецов В. П., Gregorkiewicz T., Klik M. A. J. Спектроскопия возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si: Er. ФТТ, 2005. т.47 № 1 с. 83−85.
  • Валах, М. Я., Голиней, Р. Ю., Джаган, В. Н., Красильник, З. Ф., Литвин, О. С., Лобанов, Д. Н., Милехин, А. Г., Никифоров, А. И., Новиков, А. В., Пчеляков, О. П., Юхимчук, В. А. Спектроскопия комбинационного рассеяния света и электроотражение самоорга-низованных SiGe-наноостровков, сформированных при различных температурах. ФТТ, 2005. т.47 № 1 с. 54−57.
  • Максимов Г. А., Д. О. Филатов, М. В. Круглова, Д. Е. Николичев, В. Г. Шенгуров, З. Ф. Красильник, С. В. Морозов, Д. Ю. Ремизов. Фотоэлектрические свойства и электролюминесценция p-i-n диодов на основе гетероструктур с самоорганивованными нанокластерами GeSi/Si. ФТТ, 2005, 47, № 1, с. 26−28.
  • Шмагин, В. Б., Ремизов, Д. Ю., Оболенский, С. В., Крыжков, Д. И., Дроздов, М. Н., Красильник, З. Ф. Электролюминесценция ионов Er3+ в режиме пробоя диодной структуры p+-Si/n-Si: Er/n+-Si. ФТТ, 2005. т.47 № 1 с. 120−123.
  • Ремизов Д. Ю., В. Б. Шмагин, А. В. Антонов, В. П. Кузнецов, З. Ф. Красильник. Эффективное сечение возбуждения и время жизни ионов Er3+ в светодиодах на основе Si: Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. ФТТ, 2005. т.47 № 1 с. 95−98.

2004

  • V.B. Shmagin, V. P. Kuznetsov, D. Yu. Remizov, Z. F. Krasil’nik, L. V. Krasil’nikova, D. I. Kryzhkov. Effect of the breakdown nature on Er-related electroluminescence intensity and excitation efficiency in Si: Er light emitting diodes grown with sublimation MBE technique. Materials Science & Engineering B. V. 105/1−3, pp. 70−73 (2004).
  • Востоков Н. В., З. Ф. Kрасильник, Д. Н. Лобанов, A. В. Новиков, М. В. Шалеев, A. Н. Яблонский. GeSi/Si (001) самоорганизующихся наноостровков различной формы. ФТТ 46, стр. 63−66, 2004.
  • V.Ya Aleshkin, A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, D. V. Kozlov, Z. F. Krasilnik, D. N. Lobanov, A. V. Novikov. Impurity photoconductivity in SiGe/Si: B multi-quantum well heterostructures. Physica B 340−342, pp. 1065−1068, 2004.
  • A.G. Milekhin, A. I. Nikiforov, M. Yu. Ladanov, O. P. Pchelyakov, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, Z. F. Krasil’nik, S. Schulze, and D. R. T. Zahn. Phonons in Ge/Si Quantum Dot Structures: influence of growth temperature. Physica E, 21/2−4, 464−468 (2004).
  • A.V. Novikov, M. V. Shaleev, D. N. Lobanov, A. N. Yablonsky, N. V. Vostokov and Z. F. Krasilnik. Photoluminescence of GeSi/Si (001) self-assembled islands with dome and hut shape. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures Volume 23, Issues 3−4, July 2004, Pages 416−420.
  • Валах М. Я., Джаган В. Н., Красильник З. Ф., Литвин П. М., Лобанов Д. Н., Моздор Е. В., Новиков А. В., Юхимчук В. А., Яремко А. М… Взаимосвязь энергии наноостровков SiGe с их формой и размерами. ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1, c. 70−73.
  • Шенгуров В. Г., Светлов С. П., Чалков В. Ю., Андреев Б. А., Красильник З. Ф., Крыжков Д. И. Влияние режимов роста на фотолюминесценцию слоев кремния, легированных эрбием в процессе сублимационной МЛЭ. ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1, c. 102−104.
  • Шмагин В. Б., Ремизов Д. Ю., Красильник З. Ф., Кузнецов В. П., Шабанов В. Н., Красильникова Л. В., Крыжков Д. И., Дроздов М. Н. Влияние характера пробоя p-n-перехода на интенсивность и эффективность возбуждения электролюминесценции ионов Er3+ в эпитаксиальных слоях Si: Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1, c. 110−113.
  • М.Я. Валах, В. Н. Джаган, П. М. Литвин, В. А. Юхимчук, З. Ф. Красильник, А. В. Новиков, Д. Н. Лобанов. Компонентный состав и упругие напряжения в многослойных структурах с наноостровками Si1-xGex. ФТТ 46, стр. 88−90, 2004.
  • Андреев Б. А., Красильник З. Ф., Крыжков Д. И., Яблонский А. Н., Кузнецов В. П., Gregorkiewicz T., Klik M. A. J. Особенности спектров возбуждения фотолюминесценции ионов Er3+ в эпитаксиальных кремниевых структурах, легированных эрбием. ФТТ, 2004, том 46, вы-пуск 1, c. 98−101.
  • Светлов С. П., Чалков В. Ю., Шенгуров В. Г., Дроздов Ю. Н., Красильник З. Ф., Красильникова Л. В., Степихова М. В., Павлов Д. А., Павлова Т. В., Шиляев П. А., Хохлов А. Ф. Структурные и фотолюминесцентные свойства гетероэпитаксиальных слоев кремния на сапфире. ФТТ, 2004, т. 46, вып.1, c. 15−17.
  • Востоков Н. В., Красильник З. Ф., Лобанов Д. Н., Новиков А. В., Шалеев М. В., Яблонский А. Н. Фотолюминесценция GeSi/Si (001) самоорганизующихся наноостровков различной формы. ФТТ, 2004, том 46, выпуск 1, c. 63−66.

2003

  • З.Ф.Красильник. Наноструктуры для нанофотоники. Известия А. Н., сер. физическая, 2003, 67, № 2, 152−154.
  • H.Kirmse, R. Otto, R. Schneider, W. Neumann, M. Hanke, M. Schmidbauer, R. Kohler, M. Lentzen, K. Urban, H. Wawra, T. Boeck, I. P. Soshnikov, N. N. Ledentsov, Z. F. Krasilnik, A. Novikov. HRTEM study of growth-correlated properties of (Si, Ge) islands. Microscopy and Microanalysis 9 (Suppl. 3) (2003) 220−221.
  • N.Q. Vinh, H. Przyblinska, Z. F. Krasilnik, T. Gregorkiewicz. Phys. Rev. Letters. 90, N6 p.0664011−0664014 2003. Microscopic Structure of Er-related optically active centers in crystalline Si.
  • H.Przybylinska, N. Q. Vinh, B. A. Andreev, Z. F. Krasil’nik, T. Gregorkiewicz. Microscopic Structure of Er-Related Optically Active Centers in Si. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 770, p.1711−1717, 2003.
  • Z.F. Krasilnik, V. Y. Aleshkin, B. A. Andreev, O. B. Gusev, W. Jantsch, L. V. Krasilnikova, D. I. Krizhkov, V. P. Kuznetsov, V. G. Shengurov, V. B. Shmagin, N. A. Sobolev, M. V. Stepikhova, A. N. Yablonsky. SMBE grown uniformly and selectively doped Si: Er structures for LEDs and lasers. L. Pavesi, S. Gaponenko, Luca Dal Negro. Towards thr First Silicon Laser. NATO SCIENCE SERIES: II: Mathematics, Physics and Chemistry: V93. 2003 Kluwer Academic Publishers. Netherlands. 445−454.
  • М.С.Дунаевский, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, А. Н. Титков, R. Laiho. Визуализация заращенных наноостровков GeSi в кремниевых структурах методом атомно-силовой микроскопии на сколах. ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, c. 692−699.
  • С.П.Светлов, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, Л. В. Красильникова, М. В. Степихова, Д. А. Павлов, Т. В. Павлова, П. А. Шиляев, А. Ф. Хохлов. Структура и свойства эпитаксиальных слоев кремния на сапфире, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Материалы электронной техники № 2, 2003, с. 27−30.
  • Н.В.Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский. Фотолюминесценция структур с самоорганизующимися наноостровками GeSi/Si (001). Известия А. Н., сер. физическая, 2003, 67, № 2, 159−162.
  • С.В.Гастев, А. М. Емельянов, Н. Н. Соболев, Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник, В. Б. Шмагин. Эффективное сечение возбуждения фотолюминесценции и время жизни в возбужденном состоянии ионов эрбия в многослойных селективно легированных Si: Er структурах. ФТП 2003, т.37 №.9 1123−1126.

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−73

E-mail: zfk@ipmras.ru

© 2000—2016, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия