РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Юнин Павел Андреевич

Юнин Павел Андреевич

Научный сотрудник отдела технологии наноструктур и приборов (8140), к.ф.-м.н.

Персональные данные

Родился 16 мая 1989 г.

Научные интересы

Рентгеновская дифрактометрия полупроводниковых гетероструктур; рентгеновский фазовый анализ поликристаллов; малоугловая рентгеновская рефлектометрия; послойный ВИМС анализ; методы анализа и обработки данных рентгеновской дифрактометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов; кристаллофизика; методы диагностики структуры и состава твердых тел.

Образование

  • 1996 — 2006 — Гимназия № 2 г. Нижнего Новгорода
  • 2006 — 2012 — Физический факультет ННГУ им. Н.И. Лобачевского
  • 2012 — 2016 — аспирантура ИФМ РАН
  • 2016 г. — защитил диссертацию кандидата физико-математических наук по теме «Развитие методов вторично-ионной масс-спектрометрии и рентгеновской дифрактометрии для исследования многослойных полупроводниковых гетероструктур» под руководством Ю.Н. Дроздова

Профессиональная карьера

  • 2010 — 2012 — инженер-исследователь ИФМ РАН, студент межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника»
  • 2012 — 2016 — младший научный сотрудник ИФМ РАН
  • 2016 — н. вр. — научный сотрудник ИФМ РАН, старший преподаватель межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника», читает курс лекций «Основы дифракционного структурного анализа»

Избранные публикации

  1. P.A. Yunin, Y.N. Drozdov, M.N. Drozdov, O.I. Khrykin, V.I. Shashkin, Quantitative SIMS depth profiling of Al in AlGaN/AlN/GaN HEMT structures with nanometer-thin layers, Surf. Interface Anal., 49, 117−121 (2017)
  2. P.A. Yunin, Yu.N. Drozdov, M.N. Drozdov A new approach to express ToF SIMS depth profiling, Surf. Interface Anal., 2015, V. 47, P. 771−776; P.A. Yunin. Yu.N. Drozdov, M.N. Drozdov, D.V. Yurasov Recovery of SIMS depth profiles with account for nonstationary effects, Appl. Surf. Sci., 2014, V. 307, p. 33−41
  3. P.A. Yunin, Y.N. Drozdov How to distinguish between opposite faces of an a-plane sapphire wafer, Journal of Applied Crystallography, 2018, V. 51, part 2, P. 549−551
  4. B.A. Andreev, K.E. Kudryavtsev, A.N. Yablonskiy, D.N. Lobanov, P.A. Bushuykin, L.V. Krasilnikova, E.V. Skorokhodov, P.A. Yunin, A.V. Novikov, V.Y. Davydov, Z.F. Krasilnik, Towards the indium nitride laser: obtaining infrared stimulated emission from planar monocrystalline InN structures, Sci. Rep., 8 (2018) 9454
  5. P.V. Volkov, A.V. Goryunov, A.Y. Lukyanov, A.I. Okhapkin, A.D. Tertyshnik, V.V. Travkin, P.A. Yunin, Continuous monitoring of temperature and rate of plasma etching of semiconductor wafers, Appl. Phys. Lett., 107 (2015) 111601
  6. V.Y. Aleshkin, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, A.G. Fefelov, Z.F. Krasilnik, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, I.V. Samartsev, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, A.A. Sushkov, A.N. Yablonskiy, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grown by MOCVD on exact Ge/Si (001) substrate, Appl. Phys. Lett., 109 (2016) 061111
  7. A.M. Kutyin, E.Y. Rostokina, E.M. Gavrishchuk, V.V. Drobotenko, A.D. Plekhovich, P.A. Yunin, Kinetics and formation mechanism of yttrium aluminum garnet from an amorphous phase prepared by the sol-gel method, Ceram. Int., 2015, V. 41, P. 10616−10623
  8. V.V. Travkin, A.Y. Luk’yanov, M.N. Drozdov, E.A. Vopilkin, P.A. Yunin, G.L. Pakhomov, Ultrathin metallic interlayers in vacuum deposited MoOx/metal/MoOx electrodes for organic solar cells, Appl. Surf. Sci., 2016, V. 390, P. 703−709
  9. I. E. Ilyakov, B. V. Shishkin, D. A. Fadeev, I. V. Oladyshkin, V. V. Chernov, A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, V. A. Mironov, R. A. Akhmedzhanov Terahertz radiation from bismuth surface induced by femtosecond laser pulses, Optics Letters, 2016, V. 41, Issue 18, pp. 4289−4292
  10. A.P. Pushkarev, A.N. Yablonskiy, P.A. Yunin, M.E. Burin, B.A. Andreev, M.N. Bochkarev, Features of spectral properties of Sm3+ complexes with dithia- and diselenophosphinate ligands, Spectrochimica Acta Part A: Molecular and Biomolecular Spectroscopy, 163 (2016) 134−139
  11. G.S. Zabrodina, S.G. Makarov, K.V. Kremlev, P.A. Yunin, S.A. Gusev, B.S. Kaverin, L.B. Kaverina, S.Y. Ketkov, Novel hybrid materials based on the vanadium oxide nanobelts, Appl. Surf. Sci., 368 (2016) 395−402
  12. K.V. Kremlev, M.A. Samsonov, G.S. Zabrodina, A.V. Arapova, P.A. Yunin, D.A. Tatarsky, P.E. Plyusnin, M.A. Katkova, S.Y. Ketkov, Copper (II)-cerium (III) 15-metallacrown-5 based on glycinehydroxamic acid as a new precursor for heterobimetallic composite materials on carbon nanotubes, Polyhedron, 114 (2016) 96−100
  13. D. Masterov, A. Parafin, L. Revin, A. Chiginev, E. Skorokhodov, P. Yunin, A. Pankratov, YBa2Cu3O7−δ long Josephson junctions on bicrystal Zr1−xYxO2 substrates fabricated by preliminary topology masks, Superconductor Science and Technology, 2017, V. 30, 025007
  14. Y. Buzynin, V. Shengurov, B. Zvonkov, A. Buzynin, S. Denisov, N. Baidus, M. Drozdov, D. Pavlov, P. Yunin, GaAs/Ge/Si epitaxial substrates: Development and characteristics, AIP Advances, 7 (2017) 015304
  15. M.N. Drozdov, P.A. Yunin, V.V. Travkin, A.I. Koptyaev, G.L. Pakhomov, Direct Imaging of Current-Induced Transformation of a Perovskite/Electrode Interface, Advanced Materials Interfaces, (2019)
  16. A.B. Muchnikov, A.L. Vikharev, J.E. Butler, V.V. Chernov, V.A. Isaev, S.A. Bogdanov, A.I. Okhapkin, P.A. Yunin, Y.N. Drozdov, Homoepitaxial growth of CVD diamond after ICP pretreatment, Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 212 (2015) 2572−2577
  17. B. Ber, P. Bábor, P.N. Brunkov, P. Chapon, M.N. Drozdov, R. Duda, D. Kazantsev, V.N. Polkovnikov, P. Yunin, A. Tolstogouzov, Sputter depth profiling of Mo/B4C/Si and Mo/Si multilayer nanostructures: A round-robin characterization by different techniques, Thin Solid Films, 540 (2013) 96−105.

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−91 (+238)
E-mail: yunin@ipmras.ru

© 2000—2019, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия