РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Яблонский Артем Николаевич

Яблонский Артем Николаевич

Photo_YablonskyAN.jpgСтарший научный сотрудник отдела физики полупроводников, к.ф.-м.н.

Персональные данные

Родился 24 июля 1978 г.

Научные интересы

Физика полупроводников, спектроскопия, люминесценция, наноструктуры

Образование

Профессиональная карьера

  • 1998−2001 гг. — стажер-исследователь, ст. лаборант-исследователь ИФМ РАН
  • 2001−2004 гг. — аспирант ИФМ РАН
  • 2001−н.в. — мнс, нс, снс ИФМ РАН

Избранные публикации

  • B.A. Andreev, I.V. Erofeeva, V.I. Gavrilenko, A.L. Korotkov, A.N. Yablonsky, O. Astafiev, Y. Kawano and S. Komiyama, «Cyclotron resonance quantum Hall effect detector», Semicond. Sci. Technol., 16, 300 (2001)
  • A.V. Novikov, D.N. Lobanov, A.N. Yablonsky, Yu.N. Drozdov, N.V. Vostokov, Z.F. Krasilnik «Photoluminescence of Ge (Si)/Si (001) self-assembled islands in the near infra-red wavelength range», Physica E, 16, 467 (2003)
  • Z.F. Krasilnik, V.Ya. Aleshkin, B.A. Andreev, O.V. Gusev, W. Yantsch, L.V. Krasilnikova, D.I. Kryzhkov, V.P. Kuznetsov, V.G. Shengurov, V.B. Shmagin, N.A. Sobolev, M.V. Stepikhova, A.N. Yablonsky, «SMBE grown uniformly and selectively doped Si: Er structures for LEDs and lasers», «Towards the first silicon laser», Kluver Academic Publishers (2003)
  • A.N. Yablonskiy, M.A.J. Klik, B.A. Andreev, V.P. Kuznetsov, Z.F. Krasilnik, T. Gregorkiewicz, «Photoluminescence excitation spectroscopy of erbium in epitaxially grown Si: Er structures», Optical Materials, 27, 890 (2005)
  • M.V. Shaleev, A.V. Novikov, A.N. Yablonskiy, Y.N. Drozdov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik, O.A. Kuznetsov, «Photoluminescence of Ge (Si) self-assembled islands embedded in a tensile-strained Si layer», APL, 88, 011914 (2006)
  • Z.F. Krasilnik, B.A. Andreev, T. Gregorkievicz, W. Jantsch, D.I. Kryzhkov, L.V. Krasilnikova, V.P. Kuznetsov, H. Przybylinska, D.Yu. Remizov, V.B. Shmagin, M.V. Stepikhova, V.Yu. Timoshenko, N.Q. Vinh, A.N. Yablonskiy, D.M. Zhigunov, «Outstanding Meeting Paper: Erbium doped silicon single- and multilayer structures for LED and laser applications», Journal of Materials Research, 21, 574 (2006)
  • В.Я. Алешкин, А. А. Антонов, С. В. Гапонов, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, А. Г. Спиваков, А. Н. Яблонский, «Перестраиваемый источник терагерцового излучения на основе генерации разностной частоты в кристалле GaP», Письма в ЖЭТФ, 88, 905 (2008)
  • A.N.Yablonskiy, L.V.Krasilnikova, B.A.Andreev, D.I.Kryzhkov, V.P.Kuznetsov and Z.F.Krasilnik, «Band-to-band and direct optical excitation of Er in silicon: Comparison of kinetics, temperature dependence of erbium PL», Physica B: Condensed Matter, 404, 4601 (2009)
  • А.Н.Яблонский, Б. А. Андреев, Д. И. Крыжков, В. П. Кузнецов, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, «Механизм подзонного возбуждения ФЛ ионов эрбия в кремнии в условиях интенсивной оптической накачки», ФТП, 46, 1435 (2012)
  • D.I. Kryzhkov, A.N. Yablonsky, S.V. Morozov, V.Ya. Aleshkin, B.N. Zvonkov, O.V. Vikhrova and Z.F. Krasilnik, «Long-wavelength shift and enhanced room temperature photoluminescence efficiency in GaAsSb/InGaAs/GaAs-based heterostructures emitting in the spectral range of 1.0−1.2 μm due to increased charge carrier’s localization», JAP, 116, 203102 (2014)
  • А.Н. Яблонский, Н. А. Байдакова, А. В. Новиков, Д. Н. Лобанов, М. В. Шалеев, «Спектры возбуждения и кинетика фотолюминесценции в структурах с самоформирующимися Ge (Si) наноостровками», ФТП, 49, 1458 (2015)
  • D.A. Grachev, A.V. Ershov, A.V. Belolipetsky, L.V. Krasilnikova, A.N. Yablonskiy, B.A. Andreev, O.B. Gusev, «Si and Ge nanocrystals in resonator multilayer structures», Physica Status Solidi A, 213, 2867 (2016)
  • А.Н. Яблонский, С. В. Морозов, Д. М. Гапонова, В. Я. Алешкин, В. Г. Шенгуров, Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Н. В. Байдусь, З. Ф. Красильник, «Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si (001)», ФТП, 50, 1455 (2016)
  • V.Y. Aleshkin, N.V. Baidus, A.V. Dubinov, A.G. Fefelov, Z.F. Krasilnik, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, I.V. Samartsev, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, A.A. Sushkov, A.N. Yablonskiy, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, «Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grown by MOCVD on exact Ge/Si (001) substrate», APL, 109, 061111 (2016)
  • А.Н. Яблонский, Р. Х. Жукавин, Н. А. Бекин, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, М. В. Шалеев, «Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами», ФТП, 50, 1629 (2016)
  • T.V. Balashova, A.P. Pushkarev, A.N. Yablonskiy, B.A. Andreev, I.D. Grishin, R.V. Rumyantcev, G.K. Fukin, M.N. Bochkarev, «Organic Er-Yb complexes as potential upconversion materials», Journal of Luminescence, 192, 208 (2017)
  • В.Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, «Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом МОГФЭ на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si (001)», ФТП, 51, 695 (2017)
  • B.A. Andreev, K.E. Kudryavtsev, A.N. Yablonskiy, D.N. Lobanov, P.A. Bushuykin, L.V. Krasilnikova, E.V. Skorokhodov, P.A. Yunin, A.V. Novikov, V. Yu Davydov, Z.F. Krasilnik, «Towards the indium nitride laser: obtaining infrared stimulated emission from planar monocrystalline InN structures», Scientific Reports, 8, 9454 (2018)

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−82 +261

E-mail: yablonsk@ipmras.ru

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия