РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Шмагин Вячеслав Борисович

Шмагин Вячеслав Борисович

Старший научный сотрудник отдела физики полупроводников (отд. 110), к. х. н.

Персональные данные

Родился 10.12.1951 г., г. Кинешма Ивановской обл.

Научные интересы

Светоизлучающие кремниевые микро- и наноструктуры, в том числе на основе кремния, легированного эрбием (диапазон 1.5 мкм) и другими редкоземельными элементами, светоизлучающие гетероструктуры SiGe/Si с квантово-размерными объектами.

Образование

  • 1973 — закончил радиофизический факультет Горьковского государственного университета;
  • 1987 — защитил кандидатскую диссертацию по теме «Исследование электрически активных примесей в гидридном германии методом бесконтактной фотоэлектрической спектроскопии», научный руководитель — д. х. н., акад. Г. Г. Девятых

Профессиональная карьера

  • 1978 — 1997 — Институт химии высокочистых веществ РАН;
  • 1997 — н/вр — Институт физики микроструктур РАН.

Педагогическая деятельность

Руководство диссертационными работами

  • 2008 — Ремизов Дмитрий Юрьевич «Ударное возбуждение ионов эрбия в кремниевых светодиодных структурах, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии»;
  • 2013 — Кудрявцев Константин Евгеньевич «Особенности электролюминесценции Er-содержащих центров с линейчатыми спектрами излучения в эпитаксиальных кремниевых структурах»

Избранные публикации

  • Б.А.Андреев, Л. И. Герштейн, В. Б. Иконников, В. Б. Шмагин. Бесконтактный способ регистрации спектров фотопроводимости полупроводников // Приборы и техника эксперимента В3, 172 (1985);
  • Г. Г. Девятых, Б. А. Андреев, В. А. Гавва, Д. М. Гордеев, А. В. Гусев, Г. А. Максимов, В. Г. Пименов, Д. А. Тимонин, В. Б. Шмагин. Определение доли электрически активных форм меди в общем ее содержании в кристаллах высокочистого германия // Доклады РАН 329, 601 (1993);
  • V.B. Shmagin, A. V. Lyutov, D. Yu. Remizov, K. E. Kudryavtsev, M. V. StepikhovaandZ. F. Krasilnik. Temperature increase in erbium electroluminescence from epitaxially grown Si: Er diodes // Materials Science & Engineering B146, 256 (2008).
  • K.E. Kudryavtsev, V. B. Shmagin, D. V. Shengurov and Z. F. Krasilnik. Extremely sharp electroluminescence from Er-doped silicon // Semicond. Sci. Technol. 24, 065009 (2009);
  • В.Б. Шмагин, В. П. Кузнецов, К. Е. Кудрявцев, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, З. Ф. Красильник. Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур p+/n+/n-Si:Er туннельно-пролетного типа // Физика и техника полупроводников 44, 1533 (2010);

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−81

E-mail: shm@ipmras.ru

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия