Шастин Валерий Николаевич
Заведующий лабораторией, ведущий научный сотрудник отдела физики полупроводников, д. ф.-м. н., профессор.
Персональные данные
Родился 18 июня 1948 г. в Горьком.
Научные интересы
Полупроводники, ИК лазеры и лазерная физика, неравновесные состояния электронов.
Образование
Радиофизический факультет Горьковского госуниверситета им.
Профессиональная карьера
- 1971−1977 — НИРФИ: инженер, мнс;
- 1977−1993 — ИПФ РАН: мнс, снс;
- 1994-н.в. — ИФМ РАН: снс, внс, зав. лаб.
Избранные публикации
- Об усилении далекого инфракрасного излучения в германии при инверсии населенностей «горячих» дырок /
Шастин В. Н. ,Андронов А. А. ,Козлов В. А. ,Мазов Л. С. , Письма в ЖЭТФ 30 (9), 585 (1979). - Стимулированное излучение в длинноволновом ИК диапазоне на горячих дырках Ge в срещенных электрическом и магнитном полях /
Шастин В. Н. ,Андронов А. А. ,Зверев И. В. ,Козлов В. А. ,Ноздрин Ю. Н. ,Павлов С. А. , Письма в ЖЭТФ 40 (2), 69 (1984). - Перестраиваемые лазеры дальнего ИК-диапазона на горячих дырках в полупроводниках /
Шастин В. Н. ,Андронов А. А. ,Ноздрин Ю. Н. , Изв. АН СССР. Сер. физическая 50 (6), 1103 (1986); - Квантовые осцилляции коэффициента усиления и стимулированное излучение на межподзонных переходах горячих дырок p-Ge /
В. Н. Шастин ,А. В. Муравьев ,Ю. Н. Ноздрин , Письма в ЖЭТФ 43 (7), 348 (1986). - Субмиллиметровые лазеры на горячих дырках в полупроводниках /
В. Н. Шастин и др., Коллективная монография под редакциейА. А. Андронова , Горький, ИПФ АН СССР (1987). - Hot hole inter-sub-band transition p-Ge FIR laser /
В. Н. Шастин , Opt. Quantum Electronics 23 (2), 111 (1991). - Landau quantization and hot hole stimulated emission in crossed electric and magnetic fields /
V. N. Shastin , A. V. Murav'jov, Opt. Quantum Electronics 23 (2), S313 (1991). - Stimulated emission from donor transitions in silicon /
S. G. Pavlov , R. Kh. Zhukavin,E. E. Orlova ,V. N. Shastin ,A. V. Kirsanov , A. H-W. Hubers, K. Auen and Riemann, Phys. Rev. Lett. 84 (22), 5220 (2000). - Terahertz lasers based on germanium and silicon /
V. N. Shastin , Hübers H.-W.,S. G. Pavlov , Semiconductor Science and Technology 20, 1 (2005). - Stimulated Terahertz Stokes Emission of Silicon Crystals Doped with Antimony Donors /
S. G. Pavlov , H.-W. Hübers,J. N. Hovenier ,T. O. Klaassen ,D. A. Carder ,P. G. Phillips , B. Redlich, H. Riemann, R. Kh. Zhukavin andV. N. Shastin , Phys. Rev. Let. 96, 037404 (2006). - Influence of uniaxial stress on stimulated terahertz emission from phosphor and antimony donors in silicon /
V. N. Shastin , R. Kh. Zhukavin,V. V. Tsyplenkov ,K. A. Kovalevsky ,S. G. Pavlov , H.-W. Hübers et. al., Appl. Phys. Lett. 90, 051101 (2006). - Stimulated terahertz emission due to electronic Raman scattering in silicon /
V. N. Shastin ,S. G. Pavlov , U. Böttger,J. N. Hovenier ,N. V. Abrosimov , H. Riemann et. al., Appl. Phys. Lett. 94, 171112 (2009). - Spin-orbit coupling effect on bismuth donor lasing in stressed silicon / R. Kh. Zhukavin,
K. A. Kovalevsky ,V. V. Tsyplenkov ,V. N. Shastin ,S. G. Pavlov , H.-W. Hubers, H. Riemann,N. V. Abrosimov andA. K. Ramdas , Appl. Phys. Lett. 99, 171108 (2011).
Контактная информация
Тел.: (831) 417−94−79
E-mail: shastin@ipmras.ru