РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Дубинов Александр Алексеевич

Дубинов Александр Алексеевич

Старший научный сотрудник отдела физики полупроводников, к. ф.-м. н.

Персональные данные

Родился 25 февраля 1979 года в г. Арзамасе Нижегородской области. Женат.

Научные интересы

Полупроводниковые лазеры, электронный транспорт в наноструктурах, нелинейные явления в полупроводниках, графен.

Образование

  • 1986 — 1996 — средняя школа № 10 г. Арзамаса Нижегородской области.
  • 1996 — 2002 — ВШОПФ ННГУ.
  • 2002 — 2005 — аспирантура в ИФМ РАН.
  • 2005 — кандидат физико-математических наук (диссертация — «Механизмы генерации излучения среднего и дальнего инфракрасных диапазонов при продольном транспорте электронов и смешении оптических мод в полупроводниковых микроструктурах А3В5», рук. — В. Я. Алешкин).

Профессиональная карьера

  • 1999−2002 — старший лаборант-исследователь ИФМ РАН;
  • 2002 — 2005 — младший научный сотрудник ИФМ РАН;
  • 2005 — 2013 — научный сотрудник ИФМ РАН;
  • 2013 — н. в. — старший научный сотрудник ИФМ РАН.

Научные визиты

  • сентябрь — декабрь 2009 — Университет Айдзу, Аидзувакамацу, Япония;
  • август — ноябрь 2010 — Университет Айдзу, Аидзувакамацу, Япония;
  • октябрь — декабрь 2013 — Исследовательский институт электрических коммуникаций Университета Тохоку, Сендай, Япония

Педагогическая деятельность

Практические занятия по курсу «Твердотельная электроника» на кафедре ФНН в ННГУ.

Награды, премии

  • Диплом и стипендия победителя конкурса для молодых ученых-физиков со степенью кандидата наук, специализирующихся в области теоретической физики, от частного некоммерческого Фонда Дмитрия Зимина «Династия» (2013);
  • Лауреат (III место) Международного конкурса научных работ молодых ученых в области нанотехнологий по секции «Наноэлектроника», проводимого Международным форумом по нанотехнологиям «Rusnanotech'08» (2008);
  • Диплом и грант Фонда содействия отечественной науке в области естественных и гуманитарных наук по номинации «Лучшие аспиранты РАН» (2005);
  • Дипломы и стипендии им. академика Г. А. Разуваева (2003, 2004);
  • Диплом «Лучшая научная студенческая работа по естественным, техническим и гуманитарным наукам в вузах Российской Федерации по итогам открытого конкурса Министерства образования Российской Федерации» (2002);

Избранные публикации

  • Monte Carlo simulation of hot electron transport in quantum well heterostructures under Г -L intervalley transfer / V. Ya. Aleshkin, A. A. Andronov and A. A. Dubinov, Semicond. Sci. Technol. 19, S29 (2004);
  • Parametric generation of a mid-infrared mode in semiconductor waveguides using a surface diffraction grating / A. A. Afonenko, V. Ya. Aleshkin and A. A. Dubinov, Semicond. Sci. Technol. 20, 357−362 (2005);
  • Nonlinear mode mixing in dual-wavelenght semiconductor lasers with tunnel junctions / S. M. Nekorkin, A. A. Biryukov, P. B. Demina, N. N. Semenov, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, K. V. Maremyanin, S. V. Morozov, A. A. Belyanin, V. V. Kocharovsky, Vl. V. Kocharovsky, Appl. Phys. Lett. 90, 171106 (2007);
  • Room-temperature intracavity difference-frequency generation in butt-joint diode lasers / B. N. Zvonkov, A. A. Biryukov, A. V. Ershov, S. M. Nekorkin, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, A. A. Dubinov, K. V. Maremyanin, S. V. Morozov, A. A. Belyanin, V. V. Kocharovsky, and Vl. V. Kocharovsky, Appl. Phys. Lett. 92, 021122 (2008);
  • Генерация излучения на разностной частоте в среднем и дальнем ИК диапазонах с использованием субпико- и пикосекундных полупроводниковых лазеров / В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Квантовая электроника 38 (2), 149 (2008);
  • Генерация излучения на разностной частоте в дальнем и среднем ИК диапазонах в двухчиповом лазере на основе арсенида галлия с германиевой подложкой / В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Квантовая электроника, 38 (9), 855 (2008);
  • Terahertz laser based on optically pumped graphene: model and feasibility of realization / V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. Ryzhii, Письма в ЖЭТФ 89 (2), 70 (2009);
  • Внутрирезонаторная генерация разностной частоты терагерцевого диапазона в двухчастотном InGaAsP/InP-лазере с квантовыми ямами InGaAs / В. Я. Алёшкин, А. А. Дубинов, Квантовая электроника 39 (8), 727−730 (2009);
  • Terahertz laser with optically pumped graphene layers and Fabri-Perot resonator / A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, M. Ryzhii, T. Otsuji, and V. Ryzhii, Applied Physics Express 2 092301.32 (2009);
  • Feasibility of terahertz lasing in optically pumped epitaxial multiple graphene layer structures / V. Ryzhii, M. Ryzhii, A. Satou, T. Otsuji, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, J. Appl. Phys. 106, 084507 (2009);
  • Terahertz lasers based on optically pumped multiple graphene structures with slot-line and dielectric waveguides / V. Ryzhii, A. A. Dubinov, T. Otsuji, V. Mitin, and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 107, 054505 (2010);
  • Полупроводниковый лазер с улучшенными энергетическими характеристиками и сверхузкой диаграммой направленности / В. Я. Алешкин, Т. С. Бабушкина, А. А. Бирюков, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. Н. Колесников, С. М. Некоркин, Квантовая электроника 40 (10), 855−857 (2010);
  • Terahertz surface plasmons in optically pumped graphene structures / A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, V. Mitin, T. Otsuji and V. Ryzhii, J. Phys.: Condens. Matter 23, 145302 (2011);
  • Direct band Ge and Ge/InGaAs quantum wells in GaAs / V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, J. Appl. Phys. 109, 123107 (2011);
  • Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами HgxCd1−xTe/CdyHg1−yTe / С. В. Морозов, М. С. Жолудев, А. В. Антонов, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, O. Drachenko, S. Winnerl, H. Schneider, M. Helm, ФТП 46, 1388−1392 (2012);
  • Роль оже-рекомбинации в определении пороговой плотности тока лазера зеленого диапазона длин волн / А. А. Дубинов, Письма в ЖЭТФ 97 (5), 283−286 (2013);
  • The gain enhancement effect of surface plasmon polaritons on terahertz stimulated emission in optically pumped monolayer graphene / T. Watanabe, T. Fukushima, Y. Yabe, S. A. Boubanga Tombet, A. Satou, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, V. Mitin, V. Ryzhii and T. Otsuji, New Journal of Physics 15, 075003 (2013);
  • Injection terahertz laser using the resonant inter-layer radiative transitions in double-graphene-layer structure / V. Ryzhii, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, M. Ryzhii, and T. Otsuji, Appl. Phys. Lett. 103, 163507 (2013).

Контактная информация

Тел. (831) 417−94−82 +234

E-mail: sanya@ipmras.ru

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия