РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Румянцев Владимир Владимирович

Румянцев Владимир Владимирович

Rumyantsev2.jpgНаучный сотрудник отдела физики полупроводников, к.ф.-м.н.

Персональные данные

Родился 9 августа 1988 года.

Научные интересы

Физика полупроводников, наноструктуры, фотопроводимость, фотолюминесценция, дальний инфракрасный диапазон, узкозонные полупроводники.

Образование

  • 2005 — закончил МОУ СОШ № 111, Нижний Новгород;
  • 2005 — 2011 — студент факультета Высшая школа общей и прикладной физики Нижегородского госуниверситета им. Н. И. Лобачевского (ВШОПФ ННГУ);
  • 2011 — н/вр. — аспирант Института физики микроструктур РАН.
  • 2014 — защитил кандидатскую диссертацию по теме: «Фотопроводимость и фотолюминесценция эпитаксиальных пленок и структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в среднем и дальнем инфракрасном диапазоне», рук. Гавриленко В. И..

Профессиональная карьера

  • 2009 — 2011 — инженер-исследователь Института физики микроструктур (ИФМ) РАН, Нижний Новгород, студент межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника»
  • 2011 — 2014 — младший научный сотрудник ИФМ РАН, Нижний Новгород
  • 2015 — н/вр. — научный сотрудник ИФМ РАН, Нижний Новгород.

Избранные публикации

  • Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe / А. В. Иконников, А. А. Ластовкин, К. Е. Спирин, М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. В. Антонов, В. Я. Алёшкин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Садофьев, N. Samal, Письма в ЖЭТФ 92 (11), 837 (2010)
  • Spectra and kinetics of THz photoconductivity in narrow-gap Hg1-xCdxTe (x<0.2) epitaxial films / V.V.Rumyantsev, S.V.Morozov, A.V.Antonov, M.S.Zholudev, K.E.Kudryavtsev, V.I.Gavrilenko, S.A.Dvoretskii, N.N.Mikhailov // Semicond. Sci. Technol. — Vol.28. — P. 125007 (2013)
  • Efficient long wavelength interband photoluminescence from HgCdTe epitaxial films at wavelengths up to 26μm / S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, A. V. Antonov, K. V. Maremyanin, K. E. Kudryavtsev, L. V. Krasilnikova, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii and V. I. Gavrilenko // Appl. Phys. Lett. — Vol. 104. — P. 072102 (2014)
  • Time resolved photoluminescence spectroscopy of narrow gap Hg1-xCdxTe/CdyHg1-yTe quantum well heterostructures / S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, A. V. Antonov, A.M. Kadykov, K. V. Maremyanin, K. E. Kudryavtsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii and V. I. Gavrilenko // Appl. Phys. Lett. — Vol. 105. — P. 022102 (2014)
  • Long wavelength superluminescence from narrow gap HgCdTe epilayer at 100K / S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, A. A. Dubinov, A. V. Antonov, A. M. Kadykov, K. E. Kudryavtsev, D. I. Kuritsin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, and V. I. Gavrilenko // Appl. Phys. Lett. — Vol. 107. — P. 042105 (2015)
  • Long wavelength stimulated emission up to 9.5 μm from HgCdTe quantum well heterostructures / S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, and V.I. Gavrilenko // Appl. Phys. Lett. — Vol. 108. — P. 092104 (2016)
  • HgCdTe-based heterostructures for terahertz photonics / S. Ruffenach, A. Kadykov, V. V. Rumyantsev, J. Torres, D. Coquillat, D. But, S. S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winnerl, M. Helm, M. A. Fadeev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, and F. Teppe APL Materials, V. 5, I. 3, p. 035503 (2017)
  • Terahertz photoconductivity of double acceptors in narrow gap HgCdTe epitaxial films grown by molecular beam epitaxy on GaAs (013) and Si (013) substrates / Rumyantsev, V. V., D. V. Kozlov, S. V. Morozov, M. A. Fadeev, A. M. Kadykov, F. Teppe, V. S. Varavin, M. V. Yakushev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii and V. I. Gavrilenko. // Semiconductor Science and Technology 32 (9): 095007 (2017)
  • Stimulated emission from HgCdTe quantum well heterostructures at wavelengths up to 19.5 μm / Morozov, S.V., V.V. Rumyantsev, M.A. Fadeev, M.S. Zholudev, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, and V.I. Gavrilenko // Applied Physics Letters. 111 (19): p. 192101 (2017)
  • Stimulated emission in the 2.8 -- 3.5 micron wavelength range from Peltier cooled HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures / M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, A. M. Kadykov, A. A. Dubinov, A. V. Antonov, K. E. Kudryavtsev, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, V. I. Gavrilenko and S. V. Morozov // Optics Express 26 (10): p. 12755 (2018)

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−82 +262

E-mail: rumyantsev@ipmras.ru

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия