РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Охапкин Андрей Игоревич

Охапкин Андрей Игоревич

Научный сотрудник отдела технологии наноструктур и приборов (8140), к.х.н.

Персональные данные

Родился 1 апреля 1989 г.

Научные интересы

Плазмохимическое травление материалов (полупроводников, проводников и диэлектриков)

Плазмохимическое осаждение тонких пленок

Образование

2006 — 2012 — учеба в ННГУ, химический факультет

2012 — 2016 — учеба в аспирантуре ННГУ

Профессиональная карьера

2012−2016 — младший научный сотрудник ИФМ РАН

2016− н.в. — научный сотрудник ИФМ РАН

Избранные публикации

  1. Vopilkin E.A., Chiginev A.V., Revin L.S., Tropanova A.N., Shuleshova I.Y., Okhapkin A.I., Shovkun A.D., Kulakov A.B., Pankratov A.L. Quick and reliable technology for fabrication of stand-alone BSCCO mesas. // Superconductor science and technology, 28 (4), 045006 (2015)
  2. Muchnikov A.B., Vikharev A.L., Butler J.E., Chernov V.V., Isaev V.A., Bogdanov S.A., Okhapkin A.I., Yunin P.A., Drozdov Yu.N. Homoepitaxial growth of CVD diamond after ICP pretreatment. // Physica Status Solidi A, 212 (11), 2572−2577 (2015)
  3. Юнин П.А., Дроздов Ю. Н. Дроздов М.Н., Королев С. А. Охапкин А.И., Хрыкин О. И., Шашкин В. И. Слои Si3N4 для in situ пассивации транзисторных структур на основе GaN. //ФТП, 49 (11), 1421−1424 (2015)
  4. Volkov P. V, Goryunov A. V, Luk’yanov A.Yu., Okhapkin A.I., Tertyshnik A. D, Travkin V.V., Yunin P.A. Continuous monitoring of temperature and rate of plasma etching of semiconductor slabs. // Applied Physics Letters, 107 (11) 111601 (2015)
  5. Васильев В.К., Королев Д. С., Королев С. А., Мастеров Д. В., Михайлов А. Н., Охапкин А. И., Павлов С. А., Парафин А. Е., Юнин П. А., Скороходов Е. В., Тетельбаум Д. И. Модификация пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-δ методом ионной имплантации. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 4, 80−84 (2016)
  6. Travkin V.V., Stuzhin P.A., Okhapkin A.I., Korolyov S.A., Pakhomov G.L. Organic tandem Schottky junction cells with high open circuit voltage. // Synthetic Metals, 212, 51−54 (2016)
  7. Ilyakov I.E., Shishkin B.V., Fadeev D.A., Oladyshkin I.V., Chernov V.V., Okhapkin A.I. Yunin P.A., Mironov V.A., Akhmedzhanov R.A. Terahertz radiation from bismuth surface induced by femtosecond laser pulses. // Optics Letters, 41 (18), 4289−4292 (2016)
  8. Охапкин А.И., Королёв С. А., Юнин П. А., Дроздов М. Н., Краев С. А., Хрыкин О. И., Шашкин В. И. Низкотемпературное осаждение пленок SiNx в индуктивно-связанной плазме SiH4/Ar+N2 в условиях сильного разбавления силана аргоном. // ФТП, 51 (11), 1503−1506 (2017)
  9. Oladyshkin I., Fadeev D., Mironov V., Ilyakov I., Shishkin B., Chernov V., Okhapkin A., Yunin P., Akhmedzhanov R. Mechanisms of Optical-to-THz Conversion on Metal and Semimetal Surfaces. // AIP Conference Proceedings, 1874, 030028 (2017)
  10. Волков П.В., Зеленцов С. В., Королёв С. А., Лукьянов А. Ю., Охапкин А. И., Тропанова А. Н. Исследование процессов плазмохимического травления фоторезиста с помощью in situ оптического мониторинга. // Микроэлектроника, 46 (1), 44−49 (2017)
  11. Охапкин А.И., Юнин П. А., Дроздов М. Н., Краев С. А., Скороходов Е. В., Шашкин В. И. Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C2F5Cl. // ФТП, 52 (11), 1362−1365 (2018)
  12. Drozdov M.N., Drozdov Y.N., Okhapkin, A.I., Kraev S.A., Lobaev M.V. A New Approach to TOF-SIMS Analysis of the Phase Composition of Carbon-Containing Materials. // Technical physics letters, 45 (1), 48−52 (2019)

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−50 (+342)

E-mail: poa89@ipmras.ru

© 2000—2019, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия