РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Королев Сергей Александрович

Королев Сергей Александрович

Младший научный сотрудник отдела технологии наноструктур и приборов.

Персональные данные

Родился 5 января 1989 г. в р. п. Большое Мурашкино Нижегородской области. Женат, двое детей.

Научные интересы

Физика полупроводников и полупроводниковых приборов, электрофизическая диагностика, сканирующая зондовая микроскопия, микроволновая микроскопия.

Образование

  • 1995−2004 Большемурашкинская средняя школа
  • 2004−2006 Лицей-интернат Центр одарённых детей, физико-математический профиль
  • 2006−2012 ННГУ, Радиофизический факультет, кафедра Электроники и межфакультетская базовая кафедра Физика наноструктур и наноэлектроника
  • 2012−2016 Аспирантура ИФМ РАН

Профессиональная карьера

  • 2012 — 2016 — аспирант ИФМ РАН
  • 2016 — н. в. —  младший научный сотрудник отдела Технологии наноструктур и приборов ИФМ РАН

Избранные публикации

  • Применение низкобарьерных структур металл-полупроводник-металл для детектирования микроволновых сигналов / Н. В. Востоков, С. А. Королёв, В. И. Шашкин. Журнал технической физики, том 84, вып. 7, стр. 91−95 (2014)
  • Monopole antenna in quantitative near-field microwave microscopy of planar structures / A.N. Reznik, S.A. Korolyov. Journal of Applied Physics, vol. 119, No. 9, pp. 094504: 1−10 (2016)
  • Microwave microscopy of diamond semiconductor structures / A.N. Reznik, S.A. Korolyov, and M.N. Drozdov. Journal of Applied Physics, vol. 121, issue 16, pp. 164503: 1−7 (2017)
  • Влияние высоты барьера затвор-канал на характеристики детектирования полевого транзистора в сверхвысокочастотном и терагерцовом диапазонах / С. А. Королёв, Н. В. Востоков, Н. В. Дьяконова, В. И. Шашкин. Журнал технической физики, том 87, № 5, с. 746−753 (2017)
  • Низкотемпературное осаждение плёнок SiNx в индуктивно-связанной плазме SiH4/Ar+N2 в условиях сильного разбавления силана аргоном / А. И. Охапкин, С. А. Королёв, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин. Физика и техника полупроводников, том 51, № 11, с. 1503−1506 (2017)

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−92, +204
E-mail: pesh@ipmras.ru

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия