РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Пашенькин Игорь Юрьевич

Пашенькин Игорь Юрьевич

Младший научный сотрудник лаборатории основ наноэлектронной компонентной базы информационных технологий (181)

Персональные данные

Родился 17 октября 1994 года в Дальнеконстантиновском районе Нижегородской области. Женат

Научные интересы

  • Магнитные наноструктуры
  • Магнитоэлектрические эффекты
  • Гибридные наноструктуры ферромагнетик/диэлектрик, в том числе туннельные магниторезистивные контакты
  • Мемристорные структуры

Образование

  • 2012 — 2016 — бакалавриат физического факультета ННГУ им. Н. И. Лобачевского по направлению подготовки «Нанотехнологии и микросистемная техника». Кафедра физики полупроводников и оптоэлектроники
  • 2016 -2018 — магистратура физического факультета ННГУ им. Н. И. Лобачевского по направлению подготовки «Электроника и наноэлектроника»

Профессиональна карьера

  • 2017 г. — техник НИФТИ ННГУ
  • 2018 г. — инженер НИФТИ ННГУ
  • 2018−2019 гг. — инженер ИФМ РАН
  • 05.2019 г. — н. вр. — младший научный сотрудник ИФМ РАН

Публикации

  1. Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света / Планкина С. М., Вихрова О. В., Данилов Ю. А., Звонков Б. Н., Коннова Н. Ю., Нежданов А. В., Пашенькин И. Ю. // ФТП, том 50, вып. 11, с. 1561−1564 (2016)
  2. Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур / Планкина С. М., Вихрова О. В., Звонков Б. Н., Нежданов А. В., Пашенькин И. Ю. // ФТП, том 51, вып. 11, с. 1510−1513 (2017)
  3. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A3B5 импульсным лазерным отжигом / Вихрова О. В., Данилов Ю. А., Звонков Б. Н., Здоровейщев А. В., Кудрин А. В., Лесников В. П., Нежданов А. В., Павлов С. А., Парафин А. Е., Пашенькин И. Ю., Планкина С. М..// ФТТ, том 59, вып. 11, с. 2130−2134 (2017)
  4. Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs / Самарцев И. В., Некоркин С. М., Звонков Б. Н., Алешкин В. Я., Дубинов А. А., Пашенькин И. Ю., Дикарева Н. В., Чигинева А. Б. // ФТП, том 52, вып. 12, с. 1460−1463 (2018)
  5. Взаимодействие ферромагнитных слоев через магнитную перемычку/ Пашенькин И. Ю., Горев Р. В., Фраерман А. А. // ФТТ, том 61, вып. 9, с. 1649−1651 (2019)

Контактная информация

Тел.:
E-mail:

© 2000—2019, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия