РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Степихова Маргарита Владимировна

Степихова Маргарита Владимировна

stepihova.jpgНаучный сотрудник отдела физики полупроводников, к. ф.-м. н, дипломированный инженер

Персональные данные

Родилась 31 мая 1964 г. в Горьком.

Мастер спорта СССР по русским и международным шашкам, многократная чемпионка России.

Научные интересы

Физика полупроводников, низкоразмерные структуры, кремниевая нанофотоника, примеси редкоземельных элементов в полупроводниковых материалах, спектроскопия.

Образование

Школа

Школа № 1г. Нижнего Новгорода.

ВУЗ

Физический факультет ННГУ.

Профессиональная карьера

  • 1986 — 1987 — инженер Горьковского НИИ Радиотехники;
  • 1987 — 1997 — инженер, аспирантка, мл. науч. сотр. ННГУ им. Н. И. Лобачевского;
  • 1997 — н. в. —  мл. научный сотрудник, научный сотрудник ИФМ РАН.

Работа за рубежом

  • 1994 — 2000 — приглашенный ученый университета г. Линц (Австрия);
  • 2000 — 2001 — приглашенный ученый университета Миньо, г. Брага (Португалия).

Избранные публикации

  • Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP / И. А. Карпович, Б. И. Бедный, Н. В. Байдусь, С. М. Планкина, М. В. Степихова, М. В. Шилова, ФТП 23, 2164 (1989);
  • Optically active erbium centers in silicon / H. Przybylinska, W. Jantsch, Yu. Suprun-Belevitch, M. Stepikhova, L. Palmetshofer, G. Hendorfer, A. Kozanecki, R. J. Wilson and B. J. Sealy, Phys. Rev. B 54, 2532 (1996);
  • Direct excitation spectroscopy of Er centers in porous silicon M. Stepikhova, W. Jantsch, G. Kocher, L. Palmetshofer, M. Schoisswohl and H. J. von Bardeleben / Appl. Phys. Lett. 71, 2975 (1997);
  • Влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности на спектры фоточувствительности и рекомбинационные параметры слоев GaAs / И. А. Карпович, М. В. Степихова, ФТП 32 (2), 182 (1998);
  • Different Er centers in Si and their use for electroluminescence devices / W. Jantsch, S. Lanzerstorfer, L. Palmetshofer, M. Stepikhova and H. Preier, Journal of Luminescence 80, 9 (1999);
  • 1.54 mm infrared photoluminescence phenomena in Er doped porous silicon / M. Stepikhova, L. Palmetshofer, W. Jantsch, H. J. von Bardeleben, N. Gaponenko, Appl. Phys. Lett. 74 (4), 537 (1999);
  • Uniformly and selectively silicon: erbium structures produced by the sublimation MBE method / M. Stepikhova, B. Andreev, Z. Krasil’nik, A. Soldatkin, V. Kuznetsov, O. Gusev, Mat. Science & Engineering B 81, 67 (2001);
  • Dielectric function of nanocrystalline silicon with few nanometers (<3nm) grain size / M. Losurdo, M. M. Giangregorio, P. Capezzuto, G. Bruno, M. F. Cerqueira, E. Alves, M. Stepikhova, Appl. Phys. Lett. 82 (18), 2993 (2003);
  • The role of microstructure in luminescent properties of Er-doped nanocrystalline Si thin films / M. Stepikhova, M. F. Cerqueira, M. Losurdo, M. M. Giangregorio, E. Alves, T. Monteiro, M. J. Soares, ФТТ 46 (1), 114 (2004);
  • Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия / М. В. Степихова, Д. М. Жигунов, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Тимошенко, Л. В. Красильникова, В. Ю. Чалков, С. П. Светлов, О. А. Шалыгина, П. К. Кашкаров, З. Ф. Красильник, Письма в ЖЭТФ 81 (10), 614 (2005);
  • Si/SiGe:Er/Si structures for laser realization: Theoretical analysis and luminescent studies / M. V. Stepikhova, L. V. Krasil’nikova, Z. F. Krasil’nik, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. P. Svetlov, D. M. Zhigunov, V. Yu. Timoshenko, P. K. Kashkarov, Journal of Crystal Growth, 288 (1), 65 (2006);
  • Erbium doped silicon single- and multilayer structures for light-emitting device and laser applications / Z. F. Krasilnik, B. A. Andreev, D. I. Kryzhkov, L. V. Krasilnikova, V. P. Kuznetsov, D. Yu. Remizov, V. B. Shmagin, M. V. Stepikhova, A. N. Yablonskiy, T. Gregorkievicz, N. Vinh, W. Jantsch, H. Przybylinska, V. Yu. Timoshenko, D. M. Zhigunov, Journal of Materials Research 21 (3), 574 (2006);
  • Modification of Erbium Photoluminescence Excitation Spectra for the Emission Wavelength 1.54 mm in Mesoscopic Structures / N. V. Gaponenko, D. M. Unuchak, A. V. Mudryi, G. K. Malyarevich, O. B. Gusev, M. V. Stepikhova, L. V. Krasilnikova, A. P. Stupak, S. M. Kleshcheva, M. I. Samoilovich, M. Yu. Tsvetkov, Journal of Luminescence 121 (2), 217 (2006);
  • Оптически активные центры иона Er3+ в гетероструктурах Si/Si1-xGex:Er / Л. В. Красильникова, М. В. Степихова, Н. А. Байдакова, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, ФТП 43 (7), 909 (2009);
  • On the role of heterolayer relaxation in luminescence response of Si/SiGe:Er structures / L. Krasilnikova, M. Stepikhova, Yu. Drozdov, V. Chalkov, V. Shengurov, Z. Krasilnik, Physica Status Solidi © 8 (3), 1044 (2011);

Патенты

  • М.В. Степихова, А. М. Шаронов, В. П. Кузнецов «Полупроводниковый светоизлучающий прибор» // Патент R. U. 2407109С1, дата опубликования — 20.12.2010.

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−82 +273

E-mail: mst@ipmras.ru

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия