РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Гавриленко Людмила Владимировна

Гавриленко Людмила Владимировна

Научный сотрудник отдела физики полупроводников, к. ф.-м. н.

Персональные данные

Родилась 26 сентября 1981 г. в Н. Новгороде. Замужем.

Научные интересы

Физика полупроводников, наноструктуры, спектроскопия.

Образование

Школа

Физико-математический лицей №40 г. Н. Новгорода,

ВУЗ

ВШОПФ ННГУ.

Избранные публикации

  • V. Ya. Aleshkin, A. V. Antonov, L. V. Gavrilenko, and V. I. Gavrilenko, Fano resonance study in impurity photocurrent spectra of bulk GaAs and GaAs quantum wells doped with shallow donors, Phys. Rev. B 75, 125201.
  • Алешкин В. Я., Антонов А. В., Гавриленко В. И., Гавриленко Л. В., Звонков Б. Н., Резонансы Фано в спектре примесного фототока в соединении GaAs и в гетероструктуре InGaAs/GaAsP с квантовыми ямами, легированных мелкими акцепторами // ЖЭТФ, т. 136, сс.543-549.
  • T. V. Shubina, A. A. Toropov, V. N. Jmerik, D. I. Kuritsyn, L. V. Gavrilenko, Z. F. Krasil’nik, T. Araki, Y. Nanishi, B. Gil, A. O. Govorov, and S. V. Ivanov, Plasmon-induced Purcell effect in InN/In metalsemiconductor Nanocomposites // Phys. Rev. B 82, 073304 (2010).
  • V Ya Aleshkin, D I Burdeiny and L V Gavrilenko, Calculation of the parameters for the Fano resonance in the impurity photocurrent spectrum of semiconductors doped with hydrogen-like donors // Semicond. Sci. Technol. 25 (2010) 085005
  • S.V. Morozov, L. V. Gavrilenko, I. V. Erofeeva, A. V. Antonov, K. V. Maremyanin, A. N. Yablonskiy, D. I. Kuritsin, E. E. Orlova, V. I. Gavrilenko, Relaxation of the impurity photoconductivity in p-Ge/GeSi quantum well heterostructures // Semicond. Sci. Tehnol. 26 (2011) 085009 (6pp).
  • В.Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, В. Г. Лысенко, Claus B. Sørensen, Оптическое детектирование электрического поля в n-i-n GaAs/AlGaAs -гетероструктуре с двойными квантовыми ямами // Письма в ЖЭТФ т. 93, в. 7, сс. 437-441 (2011).
  • В.Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, В. Г. Лысенко, Ближнепольный механизм возбуждения фотолюминесценции в гетероструктуре с квантовыми ямами // Письма в ЖЭТФ т.94 (11), 890-894 (2011).

Контактная информация

Тел.: (831) 417-94-82 +234

E-mail: aritany@ipmras.ru

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия