РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Красильникова Людмила Владимировна

Красильникова Людмила Владимировна

Научный сотрудник отдела физики полупроводников, к. ф.-м. н.

Персональные данные

Родилась 8 июля 1979 г. в г. Дзержинск Нижегородской области.

Научные интересы

Физика полупроводников, наноструктуры, спектроскопия твердого тела, кремниевая оптоэлектроника.

Образование

Школа

Средняя общеобразовательная школа №23 г. Дзержинска.

ВУЗ

Физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского.

Профессиональная карьера

  • 1996 — 2002 — учеба в ННГУ;
  • 2002 — 2005 — аспирантура в ИФМ РАН;
  • 2005 — 2009 -младший научный сотрудник ИФМ РАН;
  • 2007 — кандидат физико-математических наук (диссертация — «Люминесцентные свойства гетероструктур Si/SiGe, легированных примесью эрбия»);
  • 2010 — н. в. — научный сотрудник ИФМ РАН.

Избранные публикации

  • М.В. Степихова, Д. М. Жигунов, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Тимошенко, Л. В. Красильникова, В. Ю. Чалков, С. П. Светлов, О. А. Шалыгина, П. К. Кашкаров, З. Ф. Красильник «Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия” // Письма в ЖЭТФ. Т.81, вып.10, 2005. С.614-617.
  • M.V. Stepikhova, L. V. Krasil’nikova, Z. F. Krasil’nik, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, D. M. Zhigunov, O. A. Shalygina, V. Yu. Timoshenko «Observation of the population inversion of erbium ion states in Si/Si1-xGex:Er/Si structures under optical excitation” // Journal of Optical Materials 28, 2006. P. 893-896.
  • Z.F. Krasilnik, B. A. Andreev, T. Gregorkievicz, L. V. Krasil’nikova, V. P. Kuznetsov, H. Przybylinska, D. Yu. Remizov, V. B. Shmagin, V. G. Shengurov, M. V. Stepikhova, V. Yu. Timoshenko, D. M. Zhigunov «Single- and multilayer Si: Er structures for LED and laser applications grown with sublimation MBE technique” // in Photonics, Devices, and Systems III (edited by Pavel Tomanek, Miroslav Hrabovsky, Miroslav Miler, Dagmar Senderakova). Proc. of SPIE, 2006, v. 6180. P.61800L1-L8.
  • M. Stepikhova, L. Krasil’nikova, Z. Krasil’nik, V. Shengurov, V. Chalkov, S. Svetlov, D. Zhigunov, V. Timoshenko, O. Shalygina, P. Kashkarov «Si/SiGe:Er/Si Structures for Laser Realization: Theoretical Analysis and Luminescent Studies” // Journal of Crystal Growth 288, 2006. Issue 1, p. 65-69.
  • Z.F.Krasilnik, B. A.Andreev, T. Gregorkievicz, W. Jantsch, D. I.Kryzhkov, L. V.Krasilnikova, V. P.Kuznetsov, H. Przybylinska, D. Yu.Remizov, V. B.Shmagin, M. V.Stepikhova, V. Yu.Timoshenko, N. Q.Vinh, A. N.Yablonskiy, D. M.Zhigunov, «Erbium doped silicon single- and multilayer structures for light-emitting device and laser applications” // Journal of Materials Research, 2006, 21, p.574-583.
  • Л.В. Красильникова, М. В. Степихова, Н. А. Байдакова, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров «Оптически активные центры в гетероструктурах Si/Si1-xGex: Er, связанные с ионами Er3+” // ФТП, т.43, вып. 7, с.909-916 (2009)
  • A.N. Yablonskiy, L. V. Krasilnikova, B. A. Andreev, D. I. Kryzhkov, V. P. Kuznetsov and Z. F. Krasilnik «Band-to-band and direct optical excitation of Er in silicon: comparison of kinetics and temperature dependence of erbium PL” // Physica B: Condensed Matter, v.404, iss. 23-24, p. 4601-4603 (2009)
  • Яблонский А. Н., Андреев Б. А., Красильникова Л. В., Крыжков Д. И., Кузнецов В. П., Красильник З. Ф. «Особенности механизмов возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si: Er/Si” // ФТП, т.44, вып. 11, с.1519-1522 (2010).
  • Красильникова Л. В., Яблонский А. Н., Степихова М. В., Дроздов Ю. Н., Шенгуров В. Г., Красильник З. Ф. «Особенности спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции структур Si1-xGex:Er/ Si с релаксированным гетерослоем” // ФТП, т.44, вып. 11, с.1527-1532 (2010).
  • L. Krasilnikova, M. Stepikhova, Y. Drozdov, V. Chalkov, V. Shengurov, Z. Krasilnik. «On the role of heterolayer relaxation in luminescence response of Si/SiGe:Er structures” // Phys. Status Solidi C, v.8, No. 3, 1044-1048 (2011)

Контактная информация

Тел.: (831) 417-94-82

E-mail: luda@ipmras.ru

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия