РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Юрасов Дмитрий Владимирович

Юрасов Дмитрий Владимирович

Научный сотрудник отдела физики полупроводников, к. ф.-м. н.

Персональные данные

Родился 22 июля 1985 года в Горьком (Нижний Новгород).

Научные интересы

Физика полупроводниковых наноструктур, оптоэлектроника, эпитаксия, SiGe гетероструктуры, квантовые точки, примеси, легирование

Образование

  • Физ.-мат. лицей № 40 г. Нижнего Новгорода
  • 2002 — 2008 — ННГУ, радиофизический факультет
  • 2008 — 2011 — аспирантура в ИФМ РАН
  • 2012 — кандидат физико-математических наук (диссертация — «Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями», рук. — Новиков А. В..)

Профессиональная карьера

  • 2005 — н. в. — лаборант-исследователь, инженер-исследователь, младший научный сотрудник, научный сотрудник ИФМ РАН
  • 2005−2008 — Стажер-исследователь, инженер-исследователь ИФМ РАН
  • 2008−2012 — Младший научный сотрудник ИФМ РАН
  • 2012 — н.вр. Научный сотрудник ИФМ РАН.

Награды, премии

  • 2010, 2011 — Лауреаут региональной стипендии для аспирантов им. акад. Г. А. Разуваева
  • 2011 — Победитель конкурса «УМНИК осень-2011» (секция «Машиностроение, электроника и приборостроение»)
  • 2013 — Лауреат Стипендии Президента Р. Ф. молодым ученым и аспирантам, осуществляющим перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики
  • 2015 — Почетная грамота министерства образования Нижегородской области

Избранные публикации

  • Д. В. Юрасов, Ю. Н. Дроздов, «Критическая толщина перехода по Странскому-Крастанову с учетом эффекта сегрегации», ФТП 42 (5), 579−585 (2008)
  • D.V. Yurasov, Yu. N. Drozdov, M.V. Shaleev, and A.V. Novikov, «Features of two-dimensional to three-dimensional growth mode transition of Ge in SiGe/Si (001) heterostructures with strained layers», Appl. Phys. Lett. 95, 151902 (2009)
  • D.V. Yurasov, M.N. Drozdov, A.V. Murel, M.V. Shaleev, N.D. Zakharov and A.V. Novikov, «Usage of antimony segregation for selective doping of Si in molecular beam epitaxy», J. Appl. Phys. 109, 113533 (2011)
  • П.В. Волков, А. В. Горюнов, А. Ю. Лукьянов, А. Д. Тертышник, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, В. Д. Кузьмин, «Оптический мониторинг технологических параметров в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии», ФТП 46, 1505−1509 (2012)
  • M.V. Shaleev, A.V. Novikov, D.V. Yurasov, J.M. Hartmann, O.A. Kuznetsov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik, «Transition from planar to island growth mode in SiGe structures fabricated on SiGe/Si (001) strain-relaxed buffers», Applied Physics Letters 101, 151601 (2012)
  • P. A. Yunin, Yu. N. Drozdov, M. N. Drozdov, D. V. Yurasov, «Recovery of SIMS depth profiles with account for nonstationary effects», Appl. Surf. Sci. 307, 33−41 (2014). 7. D.V. Yurasov, A.Yu. Luk’yanov, P.V. Volkov, A.V. Goryunov, A.D. Tertyshnik, M.N. Drozdov and A.V. Novikov, «Real-time measurement of substrate temperature in molecular beam epitaxy using low-coherence tandem interferometry», J. Cryst Growth 413, 42−45 (2015)
  • O. Aonuma, Y. Hoshi, T. Tayagaki, A. Novikov, D. Yurasov and N. Usami, «Control of surface dip diameter in Si-based photonic nanostructures by changing growth temperature of Ge quantum dot multilayer structures and its impact on their optical properties», Jap. J. Appl. Phys. 54, 08KA01 (2015)
  • D. V. Yurasov, A. V. Antonov, M. N. Drozdov, V. B. Schmagin, K. E. Spirin, and A. V. Novikov, «Antimony segregation in Ge and formation of n-type selectively doped Ge films in molecular beam epitaxy», J. Appl. Phys. 118, 145701 (2015)
  • Д.В. Юрасов, А. И. Бобров, В. М. Данильцев, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, «Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных Ge/Si (001) слоев, полученных методом МПЭ», ФТП 49, 1463 (2015)
  • P.V. Volkov, А.V. Goryunov, D.N. Lobanov, А.Yu. Lukyanov, А.V. Novikov, А.D. Tertyshnik, М.V. Shaleev, D.V. Yurasov, «Features of SOI substrates heating in MBE growth process obtained by low-coherence tandem interferometry», J. Cryst. Growth 448, 89 (2016)
  • V.Ya. Aleshkin, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, A.G. Fefelov, Z.F. Krasilnik, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, I.V. Samartsev, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, A.A. Sushkov, A.N. Yablonskiy, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, «Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grown by MOCVD on exact Ge/Si (001) substrate», Appl. Phys. Lett. 109, 061111 (2016)
  • N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, Yu.S. Polubavkina, M.V. Maximov, M.M. Kulagina, S.I. Troshkov, Yu. M. Zadiranov, A.A. Lipovskii, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, Z.F. Krasilnik, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, D.V. Yurasov, A.E. Zhukov, «Electrically pumped InGaAs/GaAs quantum well microdisk lasers directly grown on Si (100) with Ge/GaAs buffer», Opt. Expr. 25, 16754 (2017)
  • D.V. Yurasov, A.V. Novikov, M.V. Shaleev, N.A. Baidakova, E.E. Morozova, E.V. Skorokhodov, Y. Ota, A. Hombe, Y. Kurokawa and N. Usami, «Formation of black silicon using SiGe self-assembled islands as a mask for selective anisotropic etching of silicon «, Mater. Sci. Semicond. Proc. 75, 143 (2018).

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−82 +102

E-mail: inquisitor@ipmras.ru

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия