РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Гавриленко Владимир Изяславович

Гавриленко Владимир Изяславович

Заместитель директора ИФМ РАН по научной работе, зав. отделом физики полупроводников, профессор ВШОПФ ННГУ (по совместительству), д. ф.-м. н., профессор.

Лауреат Государственной премии СССР в области науки и техники 1987 г.

Персональные данные

Родился 15 декабря 1951 года.

Научные интересы

Терагерцовый отклик двумерных полупроводниковых систем, циклотронный резонанс, мелкие примеси, квантовые каскадные лазеры, приемники терагерцового излучения, горячие носители, коллективные и спин-зависимые явления в квантовых ямах на основе узкозонных и бесщелевых полупроводников.

Образование

Факультет общей и прикладной физики Московского физико-технического института.

Профессиональная карьера

  • 1969 — 1975 — учеба в МФТИ;
  • 1975 — 1978 — аспирантура в МФТИ;
  • 1978 — кандидат физико-математических наук (диссертация — «Исследование магнетоплазменного резонанса в электронно-дырочных каплях в германии»);
  • 1978 — 1983 — младший научный сотрудник ИПФ АН СССР;
  • 1983 — 1992 — старший научный сотрудник ИПФ АН СССР;
  • 1983 — 1992 — старший научный сотрудник ИПФ АН СССР;
  • 1987 — учёное звание старшего научного сотрудника по специальности «физика полупроводников и диэлектриков»;
  • 1992 — доктор физико-математических наук (диссертация — «Поглощение и испускание электромагнитного излучения дальнего ИК диапазона длин волн горячими дырками в германии»);
  • 1992 — 1993 — зав. лабораторией ИПФ РАН;
  • 1994 — 2008 — учёный секретарь, зав. лабораторией ИФМ РАН;
  • 2007 — учёное звание профессора по специальности «физика полупроводников»;
  • 2008 — 2009 — зав. лабораторией ИФМ РАН;
  • 2009 — 2015 — зам. директора, зав. отделом, зав. лабораторией ИФМ РАН;
  • 2015 — 2016 — ВРИО директора, зав. отделом ИФМ РАН;
  • 2016 — н.в. — зам. директора, зав. отделом ИФМ РАН;

Педагогическая деятельность и научное руководство кандидатскими диссертационными работами

Педагогическая деятельность

  • 1986 — 1991 г. — доцент базовой кафедры электрофизики физико-технического факультета Горьковского политехнического института в ИПФ АН СССР;
  • 1990 — 1992 г. — доцент, заведующий филиалом кафедр электроники твердого тела и теоретической физики факультета прикладной физики и микроэлектроники ННГУ им. Н. И. Лобачевского в ИПФ АН СССР;
  • 1992 — н/вр — профессор Высшей школы общей и прикладной физики ННГУ им. Н. И. Лобачевского.

Диссертации

  • 1990 — Никоноров Вячеслав Васильевич «Исследование механизмов индуцированного излучения горячими дырками в Ge по их поглощению и излучению в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волнах».
  • 1995 — Коротков Андрей Леноктович «Детектирование инфракрасного и миллиметрового излучения болометрами на основе YbaCuO».
  • 2000 — Молдавская Мария Давидовна «Субмиллиметровая спектроскопия носителей заряда в напряженных гетероструктурах Ge/GeSi».
  • 2003 — Козлов Дмитрий Владимирович «Локализованные и резонансные состояния мелких акцепторов в напряженных полупроводниковых гетероструктурах и одноосно деформированном германии».
  • 2006 — Ерофеева Ирина Викторовна «Субмиллиметровая фотопроводимость в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах».
  • 2006 — Иконников Антон Владимирович «Циклотронный резонанс и примесное магнитопоглощение в гетероструктурах с квантовыми ямами».
  • 2007 — Маремьянин Кирилл Владимирович «Генерация и детектирование терагерцового излучения в полупроводниковых наноструктурах А3В5».
  • 2008 — Спирин Кирилл Евгеньевич «Магнитотранспорт и терагерцовый отклик в двумерных полупроводниковых наноструктурах».
  • 2011 — Криштопенко Сергей Сергеевич «Спиновые и и коллективные эффекты в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами».
  • 2014 — Ластовкин Артём Анатольевич «Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона и их применение для спектроскопии гетероструктур на основе HgTe/CdTe с квантовыми ямами».
  • 2014 — Румянцев Владимир Владимирович «Фотопроводимость и фотолюминесценция эпитаксиальных пленок и структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в среднем и дальнем инфракрасном диапазоне»

Избранные публикации

2015

  • Effect of electron-electron interaction on cyclotron resonance in high-mobility InAs/AlSb quantum wells / S. S. Krishtopenko, A. V. Ikonnikov, M. Orlita, Yu. G. Sadofyev, M. Goiran, F. Teppe, W. Knap, V. I. Gavrilenko. // J. Appl. Phys. 117, 112813 (2015).
  • Long wavelength superluminescence from narrow gap HgCdTe epilayer at 100K / S.V.Morozov, V.V.Rumyantsev, A.A.Dubinov, A.V.Antonov, A.M.Kadykov, K.E.Kudryavtsev, D.I.Kuritsin, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretskii, V.I.Gavrilenko // Appl. Phys. Lett. 107, 042105 (2015).
  • Detection of Terahertz Radiation by Dense Arrays of InGaAs Transistors / D.M.Yermolayev, E.A.Polushkin, S.Yu.Shapoval, V.V.Popov, K.V.Marem'yanin, V.I.Gavrilenko, N.A.Maleev, V.M.Ustinov, V.E.Zemlyakov, V.I.Yegorkin, V.A.Bespalov, A.V.Muravjov, S.L.Rumyantsev, M.S.Shur. // Int. J. High Speed Electronics and Systems, 24, Nos.1&2 1550002 (2015).

2014

  • Observation of three-dimensional massless Kane fermions in a zinc-blende crystal / M. Orlita, D. M. Basko, M. S. Zholudev, F. Teppe, W. Knap, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, P. Neugebauer, C. Faugeras, A-L. Barra, G. Martinez M. Potemski. // Nature Physics v.10, 233−238 (2014)
  • Efficient long wavelength interband photoluminescence from HgCdTe epitaxial films at wavelengths up to 26 μm / S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.V. Antonov, K.V. Maremyanin, K.E. Kudryavtsev, L.V. Krasilnikova, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko. // Appl. Phys. Lett. 104, 072102 (2014);
  • Detection of terahertz radiation by tightly concatenated InGaAs field-effect transistors integrated on a single chip / V. V. Popov, D. M. Yermolaev, K. V. Maremyanin, V. E. Zemlyakov, N. A. Maleev, V. I. Gavrilenko, V. A. Bespalov, V. I. Yegorkin, V. M. Ustinov, S. Yu. Shapoval. // Appl. Phys. Lett. v.104, 163508 (2014);
  • Time resolved photoluminescence spectroscopy of narrow gap Hg1-xCdxTe/CdyHg1-yTe quantum well heterostructures / S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, A. V. Antonov, A. M. Kadykov, K. V. Maremyanin, K. E. Kudryavtsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko. // Appl. Phys. Lett. v.105, 022102 (2014);
  • Антипересечение уровней Ландау в квантовых ямах HgTe/CdHgTe (013) с инвертированной зонной структурой / М. С. Жолудев, F. Teppe, С. В. Морозов, M. Orlita, C. Consejo, S. Ruffenach, W. Knap, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий. // Письма в ЖЭТФ, т.100, вып.12, с. 895−899 (2014).

2013

  • Terahertz detection in a slit-grating-gate field-effect-transistor structure / D. M. Yermolaev, K. M. Marem’yanin, D. V. Fateev, S. V. Morozov, N. A. Maleev, V. E. Zemlyakov, V. I. Gavrilenko, S. Yu. Shapoval, F. F. Sizov, and V. V. Popov // Solid State Electronics, 86C (2013), pp. 64−67.
  • Long spin relaxation time of holes in InGaAs/GaAs quantum wells probed by cyclotron resonance spectroscopy / O. Drachenko, D. Kozlov, A. V. Ikonnikov, K. E. Spirin, V. Gavrilenko, H. Schneider, M. Helm, and J. Wosnitza // Phys.Rev.B, Vol. 87 p. 075315 (2013). http://prb.aps.org/abstract/PRB/v87/i7/e075315
  • Type II-type I conversion of GaAs/GaAsSb heterostructure energy spectrum under optical pumping / S. V. Morozov, D. I. Kryzhkov, A. N. Yablonsky, A. V. Antonov, D. I. Kuritsin, D. M. Gaponova, Yu. G. Sadofyev, N. Samal, V. I. Gavrilenko, and Z. F. Krasilnik //J. Appl. Phys. 113, 163107 (2013)
  • Spectra and kinetics of THz photoconductivity in narrow-gap Hg1-xCdxTe (x<0.2) epitaxial films / V.V.Rumyantsev, S.V.Morozov, A.V.Antonov, M.S.Zholudev, K.E.Kudryavtsev, V.I.Gavrilenko, S.A.Dvoretskii, N.N.Mikhailov // Semicond. Sci. Technol., 28 125007 (2013).

2012

2011

  • Cyclotron resonance and interband optical transitions in HgTe/CdTe (013) quantum well heterostructures / A. V. Ikonnikov, M. S. Zholudev, K. E. Spirin, A. A. Lastovkin, K. V. Maremyanin, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, O. Drachenko, M. Helm, J. Wosnitza, M. Goiran, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, F. Teppe, N. Diakonova, C. Consejo, B. Chenaud, W. Knap // Semiconductor Science and Technology. — 2011. — V. 26. N. 12. — P. 125011.
  • High-responsivity terahertz detection by on-chip InGaAs/GaAs field-effect-transistor array / V. V. Popov, D. M. Ermolaev, K. V. Maremyanin, N. A. Maleev, V. E. Zemlyakov, V. I. Gavrilenko, S. Yu. Shapoval // Appl. Phys. Lett. v.98, 153504 (2011).
  • Relaxation of the impurity photoconductivity in p-Ge/Ge1-xSix quantum well heterostructures / S. V. Morozov, L. V. Gavrilenko, I. V. Erofeeva, A. V. Antonov, K. V. Maremyanin, A. N. Yablonskiy, D. I. Kuritsin, E. E. Orlova V. I. Gavrilenko // Semicond. Sci. Technol. v.26, 085009 (2011).
  • Исследование перестройки частоты импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона / А. А. Ластовкин, А. В. Иконников, В. И. Гавриленко, А. В. Антонов, Ю. Г. Садофьев // Известия ВУЗов. Радиофизика, т. LIV, № 8−9, стр.676−683 (2011).
  • Modification to the central-cell correction of germanium acceptors / O. Drachenko, H. Schneider, M. Helm, D. Kozlov, V. Gavrilenko, J. Wosnitza, J. Leotin // Phys. Rev. B v.84, 245207 (2011).

2010

2009

  • High-field splitting of the cyclotron resonance absorption in strained p-InGaAs/GaAs quantum wells / O. Drachenko, D. V. Kozlov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, K. V. Maremyanin, A. V. Ikonnikov, B. N. Zvonkov, M. Goiran, J. Leotin, G. Fasching, S. Winner, H. Schneider, J. Wosnitza and M. Helm // Phys. Rev B. — 2009. — Vol. 79 .- P. 073301
  • Спектры излучения квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона / А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, А. А. Ластовкин, С. В. Морозов, Д. В. Ушаков, Ю. Г. Садофьев, Н. Самал // Известия вузов. Радиофизика. — 2009. — Т. LII, № 7. — P. 550−556.
  • Резонансы Фано в спектре примесного фототока в соединении GaAs и в гетероструктуре InGaAs/GaAsP с квантовыми ямами, легированных мелкими акцепторами / В. Я. Алёшкин, А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, Л. В. Гавриленко, Б. Н. Звонков // ЖЭТФ т.136, вып.3 (9), стр.543−549 (2009).

2008

  • Обменное усиление g-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb / В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, Ю. Г. Садофьев, К. Е. Спирин // ФТП. — 2008. —  Т. 42. — С. 846−851.
  • Room-temperature intracavity difference-frequency generation in butt-joint diode lasers / B. N. Zvonkov, A. A. Biryukov, A. V. Ershov, S. M. Nekorkin, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, A. A. Dubinov, K. V. Maremyanin, S. V. Morozov A. A. Belyanin, V. V. Kocharovsky, Vl. V. Kocharovsky /Appl. Phys. Lett. v.92, 021122 (2008).
  • Magnetic field dependence of the photoresponse time of GaAs/AlGaAs quantum Hall effect device / K. E. Spirin, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, Y. Kawaguchi, S. Komiyama // Semicond. Sci. Technol. v.23095014 (2008).

2007 и ранее

  • Plasma wave resonant detection of terahertz radiations by nanometric transistors / W. Knap, A. Fatimy, J. Torres, F. Teppe, М. Orlov, V. Gavrilenko //Fizika Nizkikh Temperaturv.33, Nos. 2/3, pp.388−391 (2007).
  • Fano resonance study in impurity photocurrent spectra of bulk GaAs and GaAs quantum wells doped with shallow donors / V. Ya. Aleshkin, A. V. Antonov, L. V. Gavrilenko, V. I. Gavrilenko // Phys. Rev. B v.75, 125201 (2007).
  • Room temperature tuneable detection of sub-terahertz radiation by plasma waves in nanometer InGaAs transistors / F. Teppe, M. Orlov, A. El Fatimy, A. Tiberj, W. Knap, J. Torres, V. Gavrilenko, A. Shchepetov, S. Bollaert // Appl. Phys. Lett. V.89, 222109 (2006).
  • Characteristics of a Si dual-band detector responding in both near- and very-long-wavelength-infrared regions / G. Ariyawansa, M. B. M. Rinzan, S. G. Matsik, G. Hastings, A. G. U. Perera, H. C. Liu, M. Buchanan, G. I. Sproule, V. I. Gavrilenko, V. P. Kuznetsov // Appl. Phys. Lett. v.89, 061112 (2006).
  • Мелкие акцепторы в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами в магнитном поле / В. Я. Алешкин, А. В. Антонов, Д. Б. Векслер, В. И. Гавриленко, И. В. Ерофеева, А. В. Иконников, Д. В. Козлов, О. А. Кузнецов, К. Е. Спирин // ФТТ. — 2005. — Т. 47, вып. 1. — С. 74−79.
  • Циклотронный резонанс в легированных и нелегированных гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами / В. Я. Алёшкин, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, Ю. Г. Садофьев, J. P. Bird, S. R. Johnson, Y.-H. Zhang // ФТП. — 2005. — Т. 39, вып. 1. — С. 71−75.
  • THz spectroscopy of extremely shallow acceptors states in Ge/GeSi multiple-quantum-well heterostructures / V. Ya. Aleshkin, I. V. Erofeeva, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, D. V. Kozlov, O. A. Kuznetsov, D. B. Veksler // Acta Physica Polonica A. — 2005. — Vol. 107. — P. 137−141.
  • Near- and far-infrared p-GaAs dual-band detector / G. Ariyawansa, M. B. M. Rinzan, D. G. Esaev, S. G. Matsik, G. Hastings, A. G. U. PereraH. C. Liu, B. N. Zvonkov, V. I. Gavrilenko // Appl. Phys. Lett. v.86, 143510 (2005).
  • Резонансы Фано в полупроводниках, легированных мелкими донорами / В. Я. Алешкин, А. В. Антонов, Л. В. Гавриленко, В. И. Гавриленко // ЖЭТФ т.128, № 4, с.822−830 (2005)
  • Переходы с участием мелких примесей в спектрах субмиллиметрового магнитопоглощения в напряженных квантоворазмерных гетероструктурах Ge/GeSi (111) / В. Я. Алешкин, Д. Б. Векслер, В. И. Гавриленко, И. В. Ерофеева, А. В. Иконников, Д. В. Козлов, О. А. Кузнецов // ФТТ. — 2004. — Т. 46, вып. 1. — С. 126−130.
  • Межподзонный циклотронный резонанс дырок в напряженных гетероструктурах Ge/GeSi (111) с широкими квантовыми ямами Ge и циклотронный резонанс 1L-электронов в слоях GeSi / В. Я. Алешкин, Д. Б. Векслер, В. И. Гавриленко, И. В. Ерофеева, А. В. Иконников, Д. В. Козлов, О. А. Кузнецов // ФТТ. — 2004. — Т. 46, вып. 1. — С. 131−137.
  • High performance single emitter homojunction interfacial workfunction far infrared detectors / D. G. Esaev, M. B. M. Rinzan, S. G. Matsik, A. G. U. Perera, H. C. Liu, B. N. Zvonkov, V. I. Gavrilenko, A. A. Belyanin // J. Appl. Phys., 2004, v.95, No2, pp.512−519.
  • Far IR magnetoabsorption in Ge/GeSi multiple-quantum-well heterostructures / V. Ya. Aleshkin, I. V. Erofeeva, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, D. V. Kozlov, O. A. Kuznetsov, D. B. Veksler // Physica B. — 2003. — Vol. 340−342. — P. 840−843.
  • The effects of light-heavy hole transitions on the cutoff wavelengths of far infrared detectors / A. G. U. Perera, S. G. Matsik, M. B. M. Rinzan, A. Weerasekara, M. Alevli, H. C. Liu, M. Buchanan, B. Zvonkov, V. Gavrilenko // Infrared Physics & Technology, 2003, v.44, No 5−6, pp.347−353.
  • Localised and resonant states of shallow acceptors in Ge/Ge1-xSix multiple-quantum well heterostructures / V. Ya. Aleshkin, B. A. Andreev, V. I. Gavrilenko, I. V. Erofeeva, D. V. Kozlov, O. A. Kuznetsov // Physica E, 2002, v.13, ## 2−4, pp.317−320.
  • Effect of magnetic field quantization on the shallow acceptor spectrum in strained Ge/GeSi heterostructures / V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, D. B. Veksler, L. Reggiani // Phys. Rev. B, v.66, p.155336 (2002).
  • Cyclotron resonance quantum Hall effect detector / B. A. Andreev, I. V. Erofeeva, V. I. Gavrilenko, A. L. Korotkov, A. N. Yablonskiy O. Astafiev, Y. Kawano, S. Komiyama // Semicond. Sci. Technol., 2001, v.16, pp.300−303.
  • Time constant of the far IR response of a quantum Hall device / I. V. Erofeeva, V. I. Gavrilenko, S. Komiyama //Nanotechnology, 2001, v.12, pp. 453−456.
  • Shallow acceptors in Ge/GeSi multi-quantum well heterostructures / V. Ya. Aleshkin, B. A. Andreev, V. I. Gavrilenko, I. V. Erofeeva, D. V. Kozlov, O. A. Kuznetsov, M. D. Moldavskaya, A. V. Novikov // Physica E 2000, v.7, 608−611.
  • Resonant acceptor states in Ge/Ge1-xSix MQW heterostructures / V. Ya. Aleshkin, B. A. Andreev, V. I. Gavrilenko, I. V. Erofeeva, D. V. Kozlov, O. A. Kuznetsov // Nanotechnology, 2000, v.11, N 4, pp. 348−350.
  • Far infrared spectroscopy of shallow acceptors in strained Ge/GeSi quantum well heterostructures / V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, I. V. Erofeeva, A. L. Korotkov, D. V. Kozlov, O. A. Kuznetsov, M. D. Moldavskaya // phys. stat. sol.(b), 1998, v.210, p.649.
  • Мелкие акцепторы в напряженных многослойных гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами / В. И. Гавриленко, И. В. Ерофеева, А. Л. Коротков, З. Ф. Красильник, О. А. Кузнецов, М. Д. Молдавская, В. В. Никоноров, Л. В. Парамонов // Письма в ЖЭТФ, 1997, т.65 (2), с. 194.
  • ИК излучение горячих дырок при пространственном переносе в селективно легированных гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами / В. Я. Алешкин, А. А. Андронов, А. В. Антонов, Н. А. Бекин, В. И. Гавриленко, Д. Г. Ревин, Б. Н. Звонков, Е. Р. Линькова, И. Г. Малкина, Е. А. Ускова // Письма в ЖЭТФ, 1996, т.64, вып.8, с. 478.
  • Циклотронный резонанс носителей заряда в напряженных гетероструктурах Ge/Ge1-xSix / В. И. Гавриленко, И. Н. Козлов, О. А. Кузнецов, М. Д. Молдавская, В. В. Никоноpов, Л. К. Орлов, А. Л. Чернов // Письма в ЖЭТФ, 1994, т.59, вып.5, с. 327.
  • Межподзонное излучение горячих дырок в Ge и неравновесные фононы / Р. Х. Амиров, В. И. Гавриленко // ФТП, 1993, т.27, вып.8, с. 1297.
  • On the nature of the «stimulated» FIR emission of hot carriers in uniaxially stressed p-Ge in the absence of the magnetic field / V. I. Gavrilenko, V. V. Nikonorov, A. V. Galyagin, P. N. Tsereteli // Lith. J. Phys., 1992, v.32, N.5, suppl., p.161.
  • Inverted distribution of hot holes in uniaxially stressed germanium / V. I. Gavrilenko, N. G. Kalugin, Z. F. Krasil’nik, V. V. Nikonorov // Semicond. Sci. Technol. 1992, v.7, No 3B, p. B649.
  • Far IR cyclotron resonance and luminescence of hot holes in p-Ge / V. I. Gavrilenko, A. L. Korotkov, Z. F. Krasil’nik, V. V. Nikonorov // Opt. Quantum Electronics, 1991, v.23, N2, p. S163.
  • Remarkable effects of uniaxial stress on stimulated far IR emission from hot holes in germanium in crossed electric and magnetic fields / V. I. Gavrilenko, V. V. Nikonorov // Opt. Quantum Electronics, 1991, v.23, N2, p. S217.
  • Negative mass cyclotron resonance maser / V. I. Gavrilenko, Z. F. Krasil’nik // Opt. Quantum Electronics, 1991, v.23, N2, p. S323.
  • Вольт-амперная характеристика и тепловая неустойчивость резистивного состояния сверхпроводящих пленок YBa2Cu3Oy // В. И. Гавриленко, А. Л. Коротков, В. Я. Косыев, А. В. Кочемасов, И. Л. Максимов, М. Д. Стриковский // Письма ЖТФ, 1989, т.15, вып.13, с. 83.
  • Far IR luminescence of hot holes in Ge: diagnostics of intersubband population inversion and effects of uniaxial stress / V. I. Gavrilenko, A. L. Korotkov, Z. F. Krasil’nik, V. V. Nikonorov, S. A. Pavlov // Sol. St. Electronics, 1988, v.31, N ¾, p.758.
  • Мазер на циклотронном резонансе горячих дырок германия с отрицательными эффективными массами / А. А. Андронов, А. М. Белянцев, В. И. Гавриленко, Е. П. Додин, З. Ф. Красильник, В. В. Никоноров, С. А. Павлов, М. М. Шварц // ЖЭТФ, 1986, т.90, вып.1, с. 367.
  • Индуцированное миллиметровое излучение горячих дырок германия в Е//Н полях (NEMAG на ЦР) / А. А. Андронов, А. М. Белянцев, В. И. Гавриленко, Е. П. Додин, З. Ф. Красильник, В. В. Никоноров, С. А. Павлов // Письма в ЖЭТФ, 1984, т.40, вып.6, с. 221.
  • Циклотронный резонанс горячих дырок германия в постоянных электрическом и магнитном полях Е^Н / В.И.Гавриленко, Е. П. Додин, З. Ф. Красильник, Ю. Н. Ноздрин, М. Д. Чернобровцева // Письма в ЖЭТФ, 1982, т.53, вып.10, с. 432.
  • Наблюдение эффекта накопления легких дырок в p-Ge в скрещенных электрическом и магнитном полях по оптическим измерениям в далекой ИК области / В. И. Гавриленко, В. Н. Мурзин, С. А. Стоклицкий, А. П. Чеботарев // Письма в ЖЭТФ, 1982, т.35, вып.2, с. 81.
  • Экспериментальное обнаружение магнетодипольных резонансов в электронно-дырочных каплях в германии / В. И. Гавриленко, В. Л. Кононенко, Т. С. Мандельштам, В. Н. Мурзин, С. А. Саунин // Письма в ЖЭТФ, 1977, т.26, вып.2, с. 102.
  • Магнетоплазменный резонанс в электронно-дырочных каплях в германии на субмиллиметровых волнах / В. И. Гавриленко, В. Л. Кононенко, Т. С. Мандельштам, В. Н. Мурзин // Письма в ЖЭТФ, 1976, т.23, вып.12, с. 701.
  • Спектры фотовозбуждения непрямых экситонов в германии в области 2,0−2,6 мэВ / В. И. Гавриленко, В. Л. Кононенко, Т. С. Мандельштам, В. Н. Мурзин // Краткие сообщения по физике, ФИАН СССР, 1975, N12, с. 9.

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−62

E-mail: gavr@ipmras.ru

© 2000—2017, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия