РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Фадеев Михаил Александрович

Фадеев Михаил Александрович

Младший научный сотрудник лаборатории основ наноэлектронной компонентной базы информационных технологий (181)

Персональные данные

Родился 19 ноября 1993 г.

Научные интересы

Терагерцовая спектоскопия двумерных полупроводниковых систем; мелкие примеси; квантовые каскадные лазеры; приемники и источники терагерцового излучения; коллективные и спин-зависимые явления в квантовых ямах на основе узкозонных и бесщелевых полупроводников

Образование

  • 2010 — закончил лицей № 40 Нижнего Новгорода
  • 2010−2016 — студент факультета ВШОПФ Нижегородского госуниверситета им. Н. И. Лобачевского (ННГУ)
  • 2016 — аспирант ИФМ РАН

Профессиональная карьера

  • 2014−2016 — старший лаборант ИФМ РАН, студент межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника»
  • 2016−н.в. — младший научный сотрудник ИФМ РАН

Избранные публикации

  1. Stimulated emission from HgCdTe quantum well heterostructures at wavelengths up to 19.5 μm / S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, M.A. Fadeev, M.S. Zholudev, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, and V.I. Gavrilenko, Applied Physics Letters 111 (19), 192101 (2017)
  2. HgCdTe-based heterostructures for Terahertz photonics / S. Ruffenach, A. Kadykov, V.V. Rumyantsev, J. Torres, D. Coquillat, D. But, S.S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winner, M. Helm, M.A. Fadeev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov, and F. Teppe, APL Materials.5 (3), 035503 (2017)
  3. Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe / В. В. Румянцев, Н. С. Куликов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. В. Иконников, А. С. Казаков, М. С. Жолудев, В. Я. Алешкин, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, Физика и техника полупроводников. 52 (11), 1263−1267 (2018)
  4. Stimulated emission in the 2.8−3.5 μm wavelength range from Peltier cooled HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures / M.A. Fadeev, V.V. Rumyantsev, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, A.V. Antonov, K.E. Kudryavtsev, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov, V.I. Gavrilenko, and S.V. Morozov. Optics Express 26 (10), 12755−12760 (2018)
  5. Magnetooptical Studies and Stimulated Emission in Narrow Gap HgTe/CdHgTe Structures in the Very Long Wavelength Infrared Range / V.V. Rumyantsev, L.S. Bovkun, A.M. Kadykov, M.A. Fadeev, A.A. Dubinov, V.Ya. Aleshkin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, B. Piot, M. Orlita, M. Potemski, F. Teppe, S.V. Morozov and V.I. Gavrilenko, Semiconductors 52 (4), 436 — 441 (2018)
  6. Experimental Observation of Temperature-Driven Topological Phase Transition in HgTe/CdHgTe Quantum Wells. / M.S. Zholudev, A.M. Kadykov, M. A. Fadeev, M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, C. Consejo, W, Knap, J. Torres, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S. A Dvoretskii and F. Teppe, Condensed Matter, 4 (1), 27 (2019)
  7. Temperature-dependent terahertz spectroscopy of inverted-band three-layer InAs/GaSb/InAs quantum well / S.S. Krishtopenko, S. Ruffenach, F. Gonzalez-Posada, G. Boissier, M. Marcinkiewicz, M.A. Fadeev, A.M. Kadykov, V.V. Rumyantsev, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko, C. Consejo, W. Desrat, B. Jouault, W. Knap, E. Tournié, and F. Teppe, Physical Review B 97 (24), 245419 (2018)

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−82 (262)
E-mail: fadeev@ipmras.ru

© 2000—2019, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия