РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Дроздов Михаил Николаевич

Дроздов Михаил Николаевич

Старший научный сотрудник отдела технологии наноструктур и приборов, к. ф.-м. н.

Научные интересы

Физика полупроводников и аналитические методы исследования поверхности твердого тела: электронная Оже — спектроскопия и вторично-ионная масс-спектрометрия. В последнее время основное направление — постановка и проведение исследований твердотельных структур методом время-пролетной вторично-ионной масс-спектрометрии на установке TOF. SIMS-5.

Образование

  • 1972 — 1977 — учеба в ННГУ;
  • 1979 — 1983 — заочная аспирантура при ИПФ РАН;
  • 1987 — кандидат физико-математических наук (рук. — А. М. Белянцев).

Профессиональная карьера

  • 1977 — 1993 — стажер-исследователь, инженер, младший научный сотрудник, научный сотрудник ИПФ РАН;
  • 1994 — н/вр — научный сотрудник, старший научный сотрудник отдела ИФМ РАН;

Избранные публикации

  • S.S.Andreev, A. D. Akhsakhalyan, M. N. Drozdov, N. I. Polushkin, N. N. Salashchenko. High — resolution Auger depth profiling of multilayer structures Mo/Si, Mo/B4C, Ni/C. Thin Solid Films, 1995, v.263, p.169−174.
  • М.Н.Дpоздов, В. М. Данильцев, Н. Н. Салащенко, Н. И. Полушкин, О. И. Хpыкин, В. И. Шашкин. Послойный оже-анализ сверхвысокого разрешения: проблема минимизации аппаратурных погрешностей. Письма в ЖТФ. 1995, т.21, в.18, с.1−7.
  • М.Н.Дpоздов, В. М. Данильцев, Ю. Н. Дpоздов, Д. В. Мастеpов, О. И. Хpыкин, В. И. Шашкин. Сверхвысокое разрешение при послойном оже-анализе гетероструктур InGaAs/GaAs с глубоко залегающими квантовыми ямами. Письма в ЖТФ. 1996, т.22, в.18, с.61.
  • N.I.Polushkin, S. A. Gusev, M. N. Drozdov, Yu. K.Verevkin, V. N. Petryakov. Arrays of magnetic wires created in phase-separating Fe-containing alloys by interference laser irradiation. J. Appl. Phys., 1997, v.81, N8, p.5478.
  • В.А.Курнаев, Н. Н. Трифонов, М. Н. Дроздов, Н. Н. Салащенко. О возможности неразрушающего послойного анализа многослойных структур из сверхтонких пленок с помощью ионов водорода низких энергий. Письма в ЖТФ. 1999, т.25, в.11, с.52−56.
  • M.N.Drozdov, S. V. Gaponov, S. A. Gusev, E. B. Kluenkov, V. I. Luchin, D. V. Masterov, S. K. Saykov, A. K. Vorobiev. Y-Ba-Cu-O thin film composition formation during magnetron sputtering. IEEE Trans. on Appl. Supercond. 1999, v.9, № 2, p.2371−2374.
  • А.К.Воробьев, С. В. Гапонов, М. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, Д. В. Мастеров. Исследование изменений состава мишени высокотемпературного сверхпроводника Y-Ba-Cu-O при ионном распылении. ФТТ. 2000, т.42, в.4, с.589−594.
  • V.A.Kurnaev, N. N. Trifonov, M. N. Drozdov, N. N. Salashchenko. «On the possibility of the in situ growth control and nondestructive depth profiling of ultrathin multilayer structures using keV hydrogen ions». Vacuum. 2000, Vol. 56, № 4, pp. 253−255 (2000).
  • Н.Н.Востоков, М. Н. Дроздов, Д. В. Мастеров, Н. Н. Салащенко, К. А. Прохоров. Послойный элементный анализ многослойных структур Mo/Si методом электронной оже-спектроскопии. Поверхность. 2001, № 1, с.43−47.
  • М.Н.Дpоздов, В. М. Данильцев, Ю. Н. Дpоздов, О. И. Хpыкин, В. И. Шашкин. Субнанометровое разрешение по глубине при послойном анализе с использованием скользящих Оже-электронов. Письма в ЖТФ. 2001, т.27, в.3, с.59−66.
  • М.Н.Дpоздов, В. М. Данильцев, Ю. Н. Дpоздов, О. И. Хpыкин, В. И. Шашкин. Новый метод определения резкости гетеропереходов InGaAs/GaAs при послойном Оже — анализе. Письма в ЖТФ. 2001, т.27, в.20, с.51−56.
  • Pakhomov G. L., Drozdov M. N., Vostokov N. V. Plasma irradiation effects in phthalocyanine films. Applied Surface Science, 2004, Volume/Issue 230/1−4, pp. 241−248.
  • М.Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, М. М. Барышева, В. Н. Полковников, Н. И. Чхало. Использование кластерных вторичных ионов для минимизации матричных эффектов при послойном анализе многослойных наноструктур La/B4C методом ВИМС. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2010, № 10, с.14−18.
  • М.Н.Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов. Использование кластерных вторичных ионов Ge<2>, Ge<3> для повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом ВИМС. ФТП. 2010, т.44, вып.3, с.418−421.
  • М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Е. Б. Клюенков, А. Я. Лопатин, В. И. Лучин, Н. Н. Салащенко, Н. Н. Цыбин, Л. А. Шмаенок. Эволюция распределения элементов в свободно висящих структурах Zr/ZrSi2 с защитными слоями MoSi2 и ZrSi2 при отжиге. «Известия Российской Академии наук. Серия физическая», 2011, том 75, № 1, с. 80−83.
  • G. L. Pakhomov, M. N. Drozdov, V. V. Travkin. SIMS study of gold/phthalocyanine interface. Applied Surface Science, 2010, v.256, pp.1946−1950.
  • М.Н.Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Д. А. Пряхин, В. И. Шашкин, П. Г. Сенников, Х.-Й.Поль. Количественный безэталонный анализ концентрации изотопов <28,29,30>Si в кремнии методом ВИМС на установке TOF. SIMS-5. «Известия Российской Академии наук. Серия физическая». 2010. Т.74, № 1, С.82−84.
  • E. Bulska, M. N. Drozdov, G. Mana, A. Pramann, O. Rienitz, P. Sennikov and S. Valkiers. The isotopic composition of enriched Si: a data analysis. Metrologia 48 (2011) S32-S36.
  • М.Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, В. Н. Полковников, С. Д. Стариков, П. А. Юнин. Новая альтернатива вторичным ионам CsM<+> для послойного анализа многослойных металличеcких структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии. Письма в ЖТФ, 2012, том 38, вып. 24, с.75−85.
  • P.G. Sennikov, A. V. Vodopyanov, S. V. Golubev, D. A. Mansfeld, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, B. A. Andreev, L. V. Gavrilenko, D. A. Pryakhin, V. I. Shashkin, O. N. Godisov, A. I. Glasunov, A. Ju. Safonov, H.-J. Pohl, M. L. W. Thewalt, P. Becker, H. Riemannh, N. V. Abrosimov, S. Valkiers. Towards 0.99999 <28>Si. SolidStateCommunications. 2012, v.152, p.455−457.
  • М.Н. Дроздов, Н. В. Востоков, В. М. Данильцев, Е. В. Демидов, Ю. Н. Дроздов, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин. Количественный анализ элементного состава и концентрации электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным каналом методами ВИМС и C-V профилирования. Известия Российской Академии наук. Серия физическая. 2012, том 76, с. 250−254.
  • П.А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, Д. Н. Лобанов. Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов. Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, вып. 12, с.1580−1585.
  • М.Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Г. Л. Пахомов, В. В. Травкин, П. А. Юнин. Послойный молекулярный анализ фуллерен-содержащих структур методом время-пролетной вторично-ионной масс-спектрометрии. ПисьмавЖТФ, 2013, т.39, в.24, с.45−54.
  • B. Ber, P. Bábor, P. N. Brunkov, P. Chapon, M. N. Drozdov, R. Duda, D. Kazantsev, V. N. Polkovnikov, P. Yunin, A. Tolstogouzov. Sputter depth profiling of Mo/B4C/Si and Mo/Si multilayer nanostructures: A round-robin characterization by different techniques. Thin Solid Films. 2013, V.540, P.96−105.
  • А.Б. Толстогузов, М. Н. Дроздов, И. А. Зельцер, К. А. Арушанов, ОрландуМ. Н. ДуартеТеодору. Ионно-плазменнаяобработкаповерхности контактов герконов: исследования методом масс-спектрометрии вторичных ионов. Масс-спектрометрия. 2013, т.10, № 3, с.167−174.
  • K.A. Arushanov, M. N. Drozdov, S. M. Karabanov, I. A. Zeltser, A. Tolstogouzov. TOF-SIMS study on surface modification of reed switch blades by pulsing nitrogen plasma. Applied Surface Science 2013, V.265, P.642- 647.
  • E. V. Salomatina, N. M. Bityurin, M. V. Gulenova, T. A. Gracheva, M. N. Drozdov, A. V. Knyazev, K. V. Kir’yanov, A. V. Markina and L. A. Smirnova. Synthesis, structure, and properties of organic-inorganic nanocomposites containing poly (titanium oxide). Journal of Materials Chemistry C, 2013, V. 39, N1, p.6375−6385.

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−92

E-mail: drm@ipmras.ru

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия