Бовкун Леонид Сергеевич
Младший научный сотрудник отдела физики полупроводников.
Персональные данные
Родился 17 апреля 1991 года в г. Н. Новгород. Женат, есть сын.
Научные интересы
Физика полупроводников, двумерные гетероструктуры, спектроскопия, циклотронный резонанс, магнитотранспорт.
Образование
- 2008 — закончил МОУ «Гимназия № 2», Нижний Новгород;
- 2012 — получил степень бакалавра физики; на физическом факультете Нижегородского госуниверситета им.
Н. И. Лобачевского ; - 2013 — стажировка в Политехническом университете Каталунии в рамках стипендии EranetMundus;
- 2014 — получил степень магистра по специальности «210100 Электроника и наноэлектроника» на физическом факультете Нижегородского госуниверситета им.
Н. И. Лобачевского ; - 2014 — зачислен в аспирантуру ИФМ РАН;
- 2015 — зачислен в совместную русско-французскую аспирантуру Университета им. Ж. Фурье в рамках стипендии правительства Франции им. Вернадского;
Профессиональная карьера
- 2008 — 2014 — учеба в ННГУ.
- 2012 — 2013 — инженер лаборатории ЛСМ, ИХВВ РАН, г. Н. Новгород
- 2013 — 2014 — стажировка в Институте Биоинжиниринга Каталунии, г. Барселона, Испания
- с 2014 — аспирантура в ИФМ РАН.
Избранные публикации
- Bovkun, L.S., Krishtopenko, S.S., Zholudev, M.S. et al. Semiconductors (2015) 49: 1627. doi:10.1134/S1063782615120052
- Maremyanin, K.V., Ikonnikov, A.V., Antonov, A.V. et al. Semiconductors (2015) 49: 1623. doi:10.1134/S1063782615120118
Контактная информация
Тел.: (831) 417−94−82 +262
E-mail: bovkun@ipmras.ru