Бовкун Леонид Сергеевич

Младший научный сотрудник отдела физики полупроводников.

Персональные данные

Родился 17 апреля 1991 года в г. Н. Новгород. Женат, есть сын.

Научные интересы

Физика полупроводников, двумерные гетероструктуры, спектроскопия, циклотронный резонанс, магнитотранспорт.

Образование

• 2008 — закончил МОУ «Гимназия № 2», Нижний Новгород;
• 2012 — получил степень бакалавра физики; на физическом факультете Нижегородского госуниверситета им. Н. И. Лобачевского;
• 2013 — стажировка в Политехническом университете Каталунии в рамках стипендии EranetMundus;
• 2014 — получил степень магистра по специальности «210100 Электроника и наноэлектроника» на физическом факультете Нижегородского госуниверситета им. Н. И. Лобачевского;
• 2014 — зачислен в аспирантуру ИФМ РАН;
• 2015 — зачислен в совместную русско-французскую аспирантуру Университета им. Ж. Фурье в рамках стипендии правительства Франции им. Вернадского;

Профессиональная карьера

• 2008 — 2014 — учеба в ННГУ.
• 2012 — 2013 — инженер лаборатории ЛСМ, ИХВВ РАН, г. Н. Новгород
• 2013 — 2014 — стажировка в Институте Биоинжиниринга Каталунии, г. Барселона, Испания
• с 2014 — аспирантура в ИФМ РАН.

Избранные публикации

1. Bovkun, L.S., Krishtopenko, S.S., Zholudev, M.S. et al. Semiconductors (2015) 49: 1627. doi:10.1134/S1063782615120052
2. Maremyanin, K.V., Ikonnikov, A.V., Antonov, A.V. et al. Semiconductors (2015) 49: 1623. doi:10.1134/S1063782615120118

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−82 +262

E-mail: bovkun@ipmras.ru