РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Андреев Борис Александрович

Андреев Борис Александрович

Ведущий научный сотрудник отдела физики полупроводников (лаборатория спектроскопии твердого тела)
д.ф.-м. н.

Персональные данные

Родился 2 августа 1946 года в г. Комсомольске, Ивановской обл.

Научные интересы

Физика полупроводников, оптические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых структур.

Образование

Школа

Школа №1 г. Комсомольска.

ВУЗ

Физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского, кафедра теоретической физики.

Профессиональная карьера

  • 1969 — 1971 — служба в армии.
  • 1971 — 1983 — младший научный сотрудник Института химии АН СССР.
  • 1982 — кандидат химических наук (диссертация — «Исследование летучих неорганических гидридов методом субмиллиметровой радиоспектроскопии»).
  • 1983 — 1997 — с. н.с., в. н. с. Института химии АН СССР (с 1992 г. Института химии высокочистых веществ РАН).
  • 1997 — с. н. с., отдела физики полупроводников ИФМ РАН.
  • 2004 — доктор физико-математических наук (диссертация — «Инфракрасная спектроскопия примесей в кремнии и германии). Участник 14 проектов (руководитель в 6 проектах) РФФИ, участник 4 проектов (руководитель группы в 2 проектах) ИНТАС, руководитель группы в проекте Международного научного фонда, участник проекта Нидерландской научной организации — РФФИ. Опубликовано более 200 работ.

Избранные публикации

  1. Andreev B. A., Burenin A. V., Karyakin E. N., Krupnov A. F., Shapin S. M., Submillimeter wave spectrum and molecular constants of N2O // J. Molec. Spectr. 1976. V. 62. P. 125.
  2. Андреев Б. А., Герштейн Л. И., Иконников В. Б., Шмагин В. Б., Бесконтактный способ регистрации спектров фотопроводимости полупроводников//ПТЭ. 1985. №3. С.172.
  3. Андреев Б. А., Воронкова Г. И., Лифшиц Т. М., Иконников В. Б., Шмагин В. Б., Обращение типа примесной фотопроводимости в легированном полупроводнике.//Письма в ЖЭТФ 1986. Т.44. Вып. 6. C.282.
  4. Андреев Б. А., Иконников В. Б., Козлов Е. Б., Лифшиц Т. М., Шмагин В. Б., Интенсивность примесных оптических переходов в кремнии, легированном фосфором//Письма в ЖЭТФ. 1989. Т.49. №1. С.39.
  5. Андреев Б. А., Лифшиц Т. М., Фототермоионизационная спектроскопия примесей в германии и кремнии // Высокочистые вещества.1990. №5. C.7.
  6. Андреев Б. А., Голубев В. Г., Емцев В. В., Кропотов Г. И., Оганесян Г. А., Шмальц К. Обнаружение двойных термодоноров в энергетическом спектре «новых доноров» в кремнии // Письма в ЖЭТФ 1992. Т.55. Вып.1. C.52.
  7. Parshin V. V., Heidinger R., Andreev B. A., Gusev A. V., Shmagin V. B., Silicon as an advanced window material for high power gyrotrons//Journal of IR and MM Waves. 1995. V. 16. N.5.P. 863.
  8. Emtsev V. V., Andreev B. A., Misuik A., Jung W., and Schmalz K. Oxygen aggregation in Czochralski-grown silicon heat treated at 450 C under compressive stress. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. N.2. P.264.
  9. Emtsev V. V., Sobolev N. A., Andreev B. A., Poloskin D. S., Shek E. I. Thermal donors in silicon doped with erbium // Solid State Phenomena 1997. V. 7 N.8. P. 207.
  10. Андреев А. Ю., Андреев Б. А., М. Н. Дроздов, Кузнецов В. П., Красильник З. Ф.,. Карпов Ю. А, Рубцова Р. А., Степихова М. В., Ускова Е. А., Шмагин В. Б., Ellmer H., Palmetshofer L., Piplitz K., Hutter H. Оптически активные слои кремния, легированного эрбием в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии//ФТП 1999. Т. 33. Вып.2. С. 156.
  11. Андреев Б. А., Соболев Н. А., Николаев Ю. А.,. Курицын Д. И, Маковийчук М. И., Паршин Е. О. Низкотемпературная фотолюминесценция кремния, легированного гольмием // ФТП 1999. Т. 33. Вып.4. С. 420.
  12. Андреев Б. А., Красильник З. Ф., Кузнецов В. П., Солдаткин А. О., Бреслер М. С., Гусев О. Б.,.Яссиевич И. Н Особенности фотолюминесценции эрбия в кремниевых структурах, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии ФТТ 2001. Т. 43. Вып. 6 C.979.
  13. Andreev B., V. Chalkov, O. Gusev, A. Emel’yanov, Z. Krasil’nik, V. Kuznetsov, P. Pak, V. Shabanov, V. Shengurov, V. Shmagin, N. Sobolev, Stepikhova M., S. Svetlov Realization of photo- and electroluminescent Si: Er structures by the method of sublimation molecular beam epitaxy // Nanotechnology 2001. V. 13. P.97.
  14. Andreev B. A., Gregorkiewicz T., Krasil’nik Z. F., H. Przybylin? ska and N. Q. Vinh Observation of Zeeman effect in photoluminescence of Er3+ ion imbedded in crystalline silicon // Physica B: Condensed Matter 2001. V. 308-310. P.340.
  15. N. Abrosimov, Andreev B., S. Egorov, H. G. Grimmeiss, Jantsch W., G. Kocher and A. Zabrodskii Alloy fluctuations in Si1? x Gex crystals//Physica B: Condensed Matter 2001. V. 308-310 P.558.
  16. Krasilnik Z. F., Aleshkin V. Ya., Andreev B. A., Gusev O. B. Jantsch W., Krasilnikova L. V., Krizhkov D. I., Kuznetsov V. P., Shengurov V. G., Shmagin V. B., Sobolev N. A., Stepikhova M. V., Yablonsky A. N., SMBE grown uniformely and selectively doped Si: Er structures for LEDs and lasers // in «Towards the first silicon laser» Eds. L. Pavesi, S. Gaponenko, L. Dal Negro, Kluver Academic Publishers, 2003. P.445.
  17. Andreev B. A., Emtsev V. V., Kryzhkov D. I., Kuritsyn D. I., and Shmagin V. B., Study of IR Absorption and Photoconductivity Spectra of Thermal Double Donors in Silicon //Physica status solidi.(b) 2003. V. 235, N.1, P.79.
  18. N.Q. Vinh, M. Klik, B. A. Andreev, and T. Gregorkiewicz Spectroscopic characterization of Er-1 center in selectively doped silicon to appear in Materials Science and Engineering B. 2003. V. 105. p.150.
  19. Андреев Б. А., Красильник З. Ф., Яблонский А. Н., Кузнецов В. П., Gregorkiewicz T., Klik M. A. J., Спектроскопия возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si: Er //ФТТ 2005. Т. 47 (1) C.83.
  20. Андреев Б. А., Красильник З. Ф., Яблонский А. Н., Кузнецов В. П., Gregorkiewicz T., Klik M. A. J., Спектроскопия возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si: Er //Физика твердого тела, 2005, т. 47(1) C. 83-85.
  21. P G Sennikov, T V Kotereva, A G Kurganov, B A Andreev, H Niemann, D Schiel, V. V. Emtsev, H-J Pohl Spectroscopic parameters of LVM absorption bands of carbon and oxygen impurities in isotopic enriched silicon 28Si, 29Si and 30Si. (Engl.)//ФТП, 2005, V.39(3), 320-326.
  22. A.A. Klochikhin, V. Yu. Davydov, V. V. Emtsev, A. V. Sakharov, V. A. Kapitonov, B. A. Andreev, Hai Lu, William J. Schaff Manifestation of the equilibrium hole distribution in photoluminescence of n- InN// Physica Status Solidi (b) 2005 Vol. 242(4),. P. R33-R35.
  23. A.A. Klochikhin, V. Yu. Davydov, V. V. Emtsev, A. V. Sakharov, V. A. Kapitonov, B. A. Andreev, Hai Lu, William J. Acceptor states in photoluminescence of n-InN//Phys.Rev.B 2005, Vol.71, p.195207-1-16
  24. N.Q.Vinh, S. Minissale, B. A. Andreev and T. Gregorkiewicz The Auger process of luminescence quenching in Si/Si:Er multinanolayers// Journal of Physics: Condensed Matter, Vol. 17 (2005) S2191-S2195
  25. Klochikhin A, Davydov V, Emtsev V, Sakharov A, Kapitonov V, Andreev B, Lu H, Schaff WJ Photoluminescence of n-InN with low electron concentrations PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 203 (1) P. 50-58 (2006)
  26. B.A. Andreev, T. Gregorkiewicz, W. Jantsch, Z. F. Krasilnik, D. I. Kryzhkov and V. P. Kuznetsov 1.54 mm Si: Er light-emitting diode with memory function Applied Physics Letters 88, 201101 (2006)
  27. T. Gregorkiewicz, B. A. Andreev, M. Forcales, I. Izeddin, W. Jantsch, Z. F. Krasil’nik, D. I. Kryzhkov, V. P. Kuznetsov, J. M. Zavada Er-doped electro-optical memory element for 1.5 mm silicon photonics // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, V.12(6), p.1539-1544 (2006)
  28. П.Г.Сенников, С. В. Голубев, В. И. Шашкин, Д. А. Пряхин, M. H. Дроздов, Б. А. Андреев, Ю. Н. Дроздов, А. С. Кузнецов, Х.-Й. Поль Получение слоев нанокристаллического кремния методом стимулированного плазмой осаждения из газовой фазы (PECVD) тетрахлорида кремния Письма в ЖЭТФ, т.89(2), с. 80-83, (2009)
  29. П.Г. Сенников¶, С. В. Голубев, В. И. Шашкин, Д. А. Пряхин, М. Н. Дроздов, Б. А. Андреев, Ю. Н. Дроздов, А. С. Кузнецов, Х.-Й. Поль Получение слоев нанокристаллического кремния плазмохимическим осаждением из газовой фазы тетрафторида кремния, Физика и техника полупроводников т. 43(7)б с. 1002-1006, (2009)
  30. Б.А. Андреев, А. А. Ежевский, Н. В. Абросимов, П. Г. Сенников, Х.-Й. Поль Зависимость энергии резонансных состояний акцептора в кремнии от изотопного состава матрицы, Письма в ЖЭТФ, т.90, вып.5-6, с.501-504, (2009).

Контактная информация

Тел.: (831) 417-94-81

E-mail: boris@ipmras.ru

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия