РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Байдакова Наталия Алексеевна

Байдакова Наталия Алексеевна

Младший научный сотрудник отдела физики полупроводников.

Персональные данные

Родился 2 апреля 1987 г. в Горьком. Замужем.

Научные интересы

Физика полупроводников, наноструктуры, спектроскопия люминесценции.

Образование

Школа

Лицей № 82 г. Нижнего Новгорода.

ВУЗ

ВШОПФ, ННГУ.

Профессиональная карьера

  • 2007 — 2010 — инженер-исследователь ИФМ РАН;
  • 2010 — н. в. — младший научный сотрудник ИФМ РАН;

Избранные публикации

  • Оптически активные центры иона Er3+ в структурах Si/Si1-xGe1-x в условиях сильного оптического возбуждения / Л. В. Красильникова, Н. А. Байдакова, М. В. Степихова, З. Ф. Красильник, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, Изв. РАН: Сер. Физическая 73 (1), 103 (2009).
  • Оптически активные центры в гетероструктурах Si/Si1-xGex, связанные с ионами Er3+ / Л. В. Красильникова, М. В. Степихова, Н. А. Байдакова, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, ФТП 43 (7), 909 (2009).
  • Narrow photoluminescence peak from Ge(Si) islands embedded between tensile-strained Si layers / M. Shaleev, A. Novikov, N. Baydakova, A. Yablonskiy, O. Kuznetsov, Yu. Drozdov, D. Lobanov, and Z. Krasilnik, Phys. Status Solidi 8 (3), 1055 (2011).
  • Ширина линии фотолюминесценции от самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных между напряженными Si-слоями / М. В. Шалеев, А. В. Новиков, Н. А. Байдакова, А. Н Яблонский, О. А. Кузнецов, Д. Н. Лобанов, З. Ф. Красильник, ФТП 45 (2), 202 (2011).

Контактная информация

Тел.: (831) 417-94-82 +163

E-mail: banatale@ipmras.ru

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия