РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Байдакова Наталия Алексеевна

Байдакова Наталия Алексеевна

baidakova.jpgМладший научный сотрудник лаборатории основ наноэлектронной компонентной базы информационных технологий (181)

Персональные данные

Родился 2 апреля 1987 г. в Горьком.

Научные интересы

Физика полупроводников и полупроводниковых приборов; Спектроскопия люминесценции; SiGe гетероструктуры

Образование

  • 2004 — закончила физ-мат. лицей № 82, г. Нижний Новгород
  • 2004−2010 — студентка факультета ВШОПФ Нижегородского госуниверситета им. Н. И. Лобачевского (ННГУ)
  • 2010−2013 — аспирантура ИФМ РАН

Профессиональная карьера

  • 2008−2010 — инженер-исследователь ИФМ РАН, студентка межфакультетской базовой кафедры «Физика наноструктур и наноэлектроника»
  • 2010−н.в. — младший научный сотрудник ИФМ РАН

Избранные публикации

  1. Оптически активные центры в гетероструктурах Si/Si1-xGex, связанные с ионами Er3+ / Л. В. Красильникова, М. В. Степихова, Н. А. Байдакова, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, ФТП 43 (7), 909 (2009)
  2. Narrow photoluminescence peak from Ge (Si) islands embedded between tensile-strained Si layers / M. Shaleev, A. Novikov, N. Baydakova, A. Yablonskiy, O. Kuznetsov, Yu. Drozdov, D. Lobanov, and Z. Krasilnik, Phys. Status Solidi 8 (3), 1055 (2011)
  3. Метод спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, модифицированный для исследования структур с самоформирующимися Ge (Si)/Si (001) наноостровками / Н. А. Байдакова, А. В. Новиков, Д. Н. Лобанов, А. Н. Яблонский, Письма в журнал технической физики, 38 (18), с. 7 — 15 (2012)
  4. Спектры возбуждения и кинетика фотолюминесценции в структурах с самоформирующимися Ge (Si) наноостровками / А. Н. Яблонский, Н. А. Байдакова, А. В. Новиков, Д. Н. Лобанов, М. В. Шалеев, ФТП 49 (11), 1458−1462 (2015)
  5. Электролюминесценция структур с самоформирующимися Ge (Si) наноостровками, заключенными между напряженными слоями кремния / Н. А. Байдакова, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, М. В. Юрасов, Е. Е. Морозова, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник, ФТП, 50 (12), 1685−1689 (2016)
  6. Рост светоизлучающих SiGe гетероструктур на подложках «напряженный кремний на изоляторе с тонким слоем окисла / Н. А. Байдакова, А. И. Бобров, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, ФТП 49 (8), 1129−1135 (2015)
  7. Sn influence on MBE growth of GeSiSn/Si MQW / A. R. Tuktamyshev, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, V. I. Mashanov, A. K. Gutakovskii and N. A. Baydakova, «", IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series 816, 012020 (2017)
  8. Formation of black silicon using SiGe self-assembled islands as a mask for selective anisotropic etching of silicon / D.V. Yurasov, A.V. Novikov, M.V. Shaleev, N.A. Baidakova, E.E. Morozova, E.V. Skorokhodov, Y. Ota, A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami, Materials Science in Semiconductor Processing 75, 143−148 (2018)
  9. Formation of light trapping structure using Ge islands grown by gas source molecular beam epitaxy as etching mask / Y. Ota, A. Hombe, R. Nezasa, D. Yurasov, A. Novikov, M. Shaleev, N. Baidakova, E. Morozova, Y. Kurokawa, N. Usami, Japanese Journal of Applied Physics 57, 08RB04−4 (2018)
  10. Influence of thermal annealing on the electrical and luminescent properties of heavy Sb-doped Ge/Si (001) layers / D.V. Yurasov, A.V. Novikov, N.A. Baidakova, E.E. Morozova, P.A. Yunin, D.V. Shengurov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, Z.F. Krasilnik, Semiconductor Science and Technology 33 (12), 124019−8 (2018)

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−82 +263
E-mail: banatale@ipmras.ru

© 2000—2019, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия