РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Ковалевский Константин Андреевич

Ковалевский Константин Андреевич

Младший научный сотрудник отдела физики полупроводников.

Персональные данные

Родился 6 апреля 1981 в Днепропетровске.

Научные интересы

Физика полупроводников, лазеры.

Образование

Школа

Средняя школа №2 им. А. С. Пушкина г. Арзамаса.

ВУЗ

Радиофизический факультет ННГУ.

Профессиональная карьера

  • 2004-2007 — аспирант ННГУ им. Н. И. Лобачевского;
  • 2004-н.в. — младший научный сотрудник ИФМ РАН.

Избранные публикации

D- centers in intracenter Si: P lasers / R. Kh. Zhukavin, S. G. Pavlov, K. A. Kovalevsky, H.-W. Huebers, H. Riemann, V. N. Shastin, J. Appl. Phys. 97, 113708 (2005).

Terahertz Luminescence of GaAs-Based Heterostructures with Quantum Wells under the Optical Excitation of Donors / N. A. Bekin, R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevski, S. G. Pavlov, B. N. Zvonkov, E. A. Uskova, and V. N. Shastin, Semicoductors 39 (1), 67-72 (2005).

Low-threshold terahertz Si: As laser / S. G. Pavlov, U. Boettger, H.-W. Huebers, R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, N. V. Abrosimov, H. Riemann, Appl. Phys. Lett. 90, 141109 (2007).

Influence of uniaxial stress on stimulated terahertz phosphor and antimony donors in silicon / R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, K. A. Kovalevsky, V. N. Shastin, S. G. Pavlov, U. Bottger, H.-W. Hubers, H. Riemann, N. V. Abrosimov, and N. Notzel, Appl. Phys. Lett. 90, 051101 (2007).

Релаксация возбужденных состояний доноров в кремнии с излучением междолинных фононов / В. В. Цыпленков, К. А. Ковалевский, В. Н. Шастин, Физика и техника полупроводников 42 (9), 1032 (2008).

Влияние одноосной деформации на релаксацию возбужденных состояний мелких доноров в кремнии при взаимодействии с междолинными фононами, В. В. Цыпленков, К. А. Ковалевский, В. Н. Шастин, Физика и техника полупроводников 43 (11), 1450 (2009).

Optimizing the Operation of Terahertz Silicon Lasers / Sergey G. Pavlov, Heinz-Wilhelm Hubers, Ute Bottger, Roman Kh. Zhukavin, Veniamin V. Tsyplenkov, Konstantin A. Kovalevsky and Valery N. Shastin, Selected Topics in Quantum Electronics, IEEE Journal 15 (3), 925 (2009).

Advanced THz laser performance of shallow donors in axially stressed silicon crystal / V. N. Shastin, R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, S. G. Pavlov and H.-W. Hubers, J. of Physics: Conference Series 193 (012086), 1 (2009).

Spin-orbit coupling effect on bismuth donor lasing in stressed silicon / R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, S. G. Pavlov, H.-W. Hubers, H. Riemann, N. V. Abrosimov and A. K. Ramdas, Appl. Phys. Lett. 99, 171108 (2011).

Контактная информация

Тел.: (831) 417-94-79

E-mail: atan4@yandex.ru

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия