РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Иконников Антон Владимирович

Иконников Антон Владимирович

Старший научный сотрудник отдела физики полупроводников, к. ф.-м. н.

Персональные данные

Родился 4 января 1981 года.

Научные интересы

Физика полупроводников, физика низкоразмерных структур, спектроскопия, циклотронный резонанс, мелкие примеси.

Образование

Факультет ВШОПФ Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского.

Профессиональная карьера

  • 1997 — 2003 — учеба в ННГУ.
  • 2003 — 2006 — аспирантура в ИФМ РАН.
  • 2006 — кандидат физико-математических наук (диссертация — «Циклотронный резонанс и примесное магнитопоглощение в гетероструктурах с квантовыми ямами»).
  • 2006 — 2015 — научный сотрудник ИФМ РАН.
  • 2015 — н. в. — старший научный сотрудник ИФМ РАН.

Избранные публикации

  1. Переходы с участием мелких примесей в спектрах субмиллиметрового магнитопоглощения в напряженных квантоворазмерных гетероструктурах Ge/GeSi (111) / В. Я. Алешкин, Д. Б. Векслер, В. И. Гавриленко, И. В. Ерофеева, А. В. Иконников, Д. В. Козлов, О. А. Кузнецов // ФТТ. — 2004. — Т. 46, вып. 1. — С. 126−130.
  2. Межподзонный циклотронный резонанс дырок в напряженных гетероструктурах Ge/GeSi (111) с широкими квантовыми ямами Ge и циклотронный резонанс 1L-электронов в слоях GeSi / В. Я. Алешкин, Д. Б. Векслер, В. И. Гавриленко, И. В. Ерофеева, А. В. Иконников, Д. В. Козлов, О. А. Кузнецов // ФТТ. — 2004. — Т. 46, вып. 1. — С. 131−137
  3. Far IR magnetoabsorption in Ge/GeSi multiple-quantum-well heterostructures / V. Ya. Aleshkin, I. V. Erofeeva, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, D. V. Kozlov, O. A. Kuznetsov, D. B. Veksler // Physica B. — 2003. — Vol. 340−342. — P. 840−843.
  4. Мелкие акцепторы в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами в магнитном поле / В. Я. Алешкин, А. В. Антонов, Д. Б. Векслер, В. И. Гавриленко, И. В. Ерофеева, А. В. Иконников, Д. В. Козлов, О. А. Кузнецов, К. Е. Спирин // ФТТ. — 2005. — Т. 47, вып. 1. — С. 74−79.
  5. Циклотронный резонанс в легированных и нелегированных гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами / В. Я. Алёшкин, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, Ю. Г. Садофьев, J. P. Bird, S. R. Johnson, Y.-H. Zhang // ФТП. — 2005. — Т. 39, вып. 1. — С. 71−75.
  6. Спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами / В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, Д. М. Гапонова, А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, Ю. Г. Садофьев, S. R. Johnson, Y.-H. Zhang // ФТП. — 2005. — Т. 39, вып. 1. — С. 30−34.
  7. THz spectroscopy of extremely shallow acceptors states in Ge/GeSi multiple-quantum-well heterostructures / V. Ya. Aleshkin, I. V. Erofeeva, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, D. V. Kozlov, O. A. Kuznetsov, D. B. Veksler // Acta Physica Polonica A. — 2005. — Vol. 107. — P. 137−141.
  8. Обменное усиление g-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb / В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, Ю. Г. Садофьев, К. Е. Спирин // ФТП. — 2008. —  Т. 42. — С. 846−851.
  9. High-field splitting of the cyclotron resonance absorption in strained p-InGaAs/GaAs quantum wells / O. Drachenko, D. V. Kozlov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, K. V. Maremyanin, A. V. Ikonnikov, B. N. Zvonkov, M. Goiran, J. Leotin, G. Fasching, S. Winner, H. Schneider, J. Wosnitza and M. Helm // Phys. Rev B. — 2009. — Vol. 79 .- P. 073301
  10. Спектры излучения квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона / А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, А. А. Ластовкин, С. В. Морозов, Д. В. Ушаков, Ю. Г. Садофьев, Н. Самал // Известия вузов. Радиофизика. — 2009. — Т. LII, № 7. — P. 550−556.
  11. Splitting of Cyclotron Resonance Line in InAs/AlSb Q. W. Heterostructures in High Magnetic Fields: Effects of Electron-Electron and Electron-Phonon Interaction / A. Ikonnikov, S. Krishtopenko, V. Gavrilenko, Y. Sadofyev, Y. Vasilyev, M. Orlita & W. Knap // Journal of Low Temperature Physics. — 2010. — Vol. 159. N. 1−2. — P. 197−202.
  12. Спиновое расщепление в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с квантовыми ямами / К. Е. Спирин, А. В. Иконников, A. A. Ластовкин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов // Письма в ЖЭТФ. — 2010. — Т. 92. N. 1−2. — P. 65−68.
  13. Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами / В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, А. А. Ластовкин, К. В. Маремьянин, Ю. Г. Садофьев, К. Е. Спирин // ФТП. — 2010. — Т. 44, вып. 5. — С. 642−648.
  14. Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона с высоким спектральным разрешением / А. В. Иконников, А. В. Антонов, А. А. Ластовкин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, N. Samal // ФТП. — 2010. — Т. 44, вып. 11. — С. 1514−1518.
  15. Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/ GaAs с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях / А. В. Иконников, К. Е. Спирин, В. И. Гавриленко, Д. В. Козлов, О. Драченко, H. Schneider, M. Helm // ФТП. — 2010. — Т. 44, вып. 11. — С. 1539−1542.
  16. Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe / А. В. Иконников, A. A. Ластовкин, К. Е. Спирин, М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. В. Антонов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Садофьев, N. Samal // Письма в ЖЭТФ. — 2010. — Т. 92. вып. 11−12. — С. 837−841.
  17. Cyclotron resonance and interband optical transitions in HgTe/CdTe (013) quantum well heterostructures / A. V. Ikonnikov, M. S. Zholudev, K. E. Spirin, A. A. Lastovkin, K. V. Maremyanin, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, O. Drachenko, M. Helm, J. Wosnitza, M. Goiran, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, F. Teppe, N. Diakonova, C. Consejo, B. Chenaud, W. Knap // Semiconductor Science and Technology. — 2011. — V. 26. N. 12. — P. 125011.
  18. Циклотронный резонанс в узкозонных гетероструктурах на основе HgTe/CdTe (013) в квантующих магнитных полях / А. В. Иконников, М. С. Жолудев, К. В. Маремьянин, К. Е. Спирин, A. A. Ластовкин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов // Письма в ЖЭТФ. — 2012. — Т. 95. вып. 8. — С. 452−456.
  19. Cyclotron resonance study in InAs/AlSb quantum well heterostructures with two occupied electronic subbands / S. S. Krishtopenko, A. V. Ikonnikov, K. V. Maremyanin, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, Yu. G. Sadofyev, M. Goiran, M. Sadowsky and Yu. B. Vasilyev // Journal of applied physics. — 2012. — V. 111. — P. 093711−1−093711−7.
  20. Cyclotron resonance in HgTe/CdTe based heterostructures in high magnetic fields / M. S. Zholudev, A. V. Ikonnikov, F. Teppe, M. Orlita, K. V. Maremyanin, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, W. Knap, S. A. Dvoretskiy, N. N. Mikhailov // Nanoscale Research Letters. — 2012. — V. 7. — P. 534.
  21. Magnetospectroscopy of two-dimensional HgTe-based topological insulators around the critical thickness / M. Zholudev, F. Teppe, M. Orlita, C. Consejo, J. Torres, N. Dyakonova, M. Czapkiewicz, J. Wróbel, G. Grabecki, N. Mikhailov, S. Dvoretskii, A. Ikonnikov, K. Spirin, V. Aleshkin, V. Gavrilenko, W. Knap // Phys. Rev. B. — 2012. — V. 86. — P. 205420.
  22. Long spin relaxation time of holes in InGaAs/GaAs quantum wells probed by cyclotron resonance spectroscopy / O. Drachenko, D. Kozlov, A. V. Ikonnikov, K. E. Spirin, V. Gavrilenko, H. Schneider, M. Helm and J. Wosnitza // Phys. Rev. B. — 2013. — V. 87. — P. 075315.
  23. Effect of electron-electron interaction on cyclotron resonance in high-mobility InAs/AlSb quantum wells / S. S. Krishtopenko, A. V. Ikonnikov, M. Orlita, Yu. G. Sadofyev, M. Goiran, F. Teppe, W. Knap, and V. I. Gavrilenko // Journal of Applied Physics. — 2015. — V. 117. — P. 112813.
  24. Temperature-dependent magnetospectroscopy of HgTe quantum wells / A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, O. Drachenko, M. Goiran, M. S. Zholudev, V. V. Platonov, Yu. B. Kudasov, A. S. Korshunov, D. A. Maslov, I. V. Makarov, O. M. Surdin, A. V. Philippov, M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, F. Teppe, W. Knap, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, andV. I. Gavrilenko // Phys. Rev. B. — 2016. — V. 94. — P. 155421

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−82 +262

E-mail: antikon@ipmras.ru

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия