РусскийEnglish
ИФМ РАН / Структура / Сотрудники / Новиков Алексей Витальевич

Новиков Алексей Витальевич

anovikov.jpgЗав. лабораторией молекулярно-пучковой эпитаксии кремний-германиевых структур отдела физики полупроводников, к. ф.-м. н.

Персональные данные

Родился 6 марта 1968 г.

Научные интересы

Молекулярно-лучевая эпитаксия полупроводниковых гетероструктур, кремний, германий, нитриды металлов третьей группы, самоформирующиеся квантовые точки и наноостровки, сегрегация, спектроскопия люминесценции, атомно-силовая микроскопия.

Образование

  • 1992 — закончил факультет Прикладной физики и микроэлектроники Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского;
  • 1993 — 1996 — аспирант Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского, г. Н. Новгород, Россия;
  • июнь 2001 — защита диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по теме «Исследование роста и свойств самоорганизующихся наноостровков GeSi на Si (001)».

Профессиональная карьера

  • 1992 — 1993 — инженер в Научно-исследовательском физико-техническом институте при Нижегородском государственном университете;
  • 1996 — 2003 — младший / старший научный сотрудник ИФМ РАН;
  • Май — июль 1999 — стажировка в лаборатории проф. Y. Shiraki, University of Tokyo, Tokyo, Japan;
  • 2003 — 2015 — заведующий лабораторией молекулярно-пучковой эпитаксии кремний-германиевых структур ИФМ РАН;
  • Сентябрь — октябрь 2003 — стажировка в лаборатории проф. O.G. Schmidt, Max-Planck-Institute for Solid State Research, Stuttgart, Germany;
  • Апрель — июнь 2007 — стажировка в лаборатории проф. J. Kolodzey, Department of Electrical and Computer Engineering, University of Delaware, USA;
  • 2015 — н/в — заведующий лабораторией молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых гетероструктур ИФМ РАН;
  • 2018 — н/в — заместитель директора ИФМРАН по научно-техническому развитию
  • 2003 — н/в — доцент Радиофизического факультета ННГУ им. Н. И. Лобачевского, чтение спецкурса лекций «Основы полупроводниковой технологии».

Избранные публикации

  • Self-organization of germanium nanoislands obtained in silicon bymolecular-beam epitaxy / V. Ya. Aleshkin, N. A. Bekin, N. G. Kalugin, Z. F. Krasil’nik, A. V. Novikov, V. V. Postnikov, H. Seyringer, JETP Letters 67 (1), 48−53 (1998).
  • Low-Energy Photoluminescence of Structures with GeSi/Si (001)Self-Assembled Nanoislands / N. V. Vostokov, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasil’nik, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, A. N. Yablonskii, JETP Letters 76, 365 (2002).
  • Growth and photoluminescence of Ge (Si) self-assembled islandsobtained during the deposition of Ge on a strained SiGe layer / D. N. Lobanov, A. V. Novikov, N.V. Vostokov, Y. N. Drozdov, A. N. Yablonskiy, Z. F. Krasilnik, M. Stoffel, U. Denker, O. G. Schmidt, Optical Materials 27, 818−821 (2005).
  • Photoluminescence of Ge (Si) self-assembled islands embedded in atensile-strained Si laye r/ M. V. Shaleev, A. V. Novikov, A. N. Yablonskiy, Y. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z.F.Krasilnik, O. A. Kuznetsov, Applied Physical Letters 88, 011914 (2006).
  • Photoluminescence of dome and hut shaped Ge (Si) self-assembledislands embedded in a tensile-strained Si layer / M. V. Shaleev, A. V. Novikov, A. N. Yablonskiy, Y. N. Drozdov, D. N. Lobanov, Z.F. Krasilnik, O. A. Kuznetsov, Applied Physics Letters 91, 021916 (2007).
  • Features of two-dimensional to three-dimensional growth modetransition of Ge in SiGe/Si (001) heterostructures with strainedlayers / D. V. Yurasov, Yu. N. Drozdov, M. V. Shaleev, A. V. Novikov, Applied Physical Letters 95, 151902 (2009).
  • Observation of the electron-hole liquid in Si1-xGex/Si quantumwells by steady-state and time-resolved photoluminescencemeasurements / V. S. Bagaev, V. S. Krivobok, S. N. Nikolaev, A. V. Novikov, E. E. Onishchenko, M. L. Skorikov, Phys. Rev. B 82, 115313−5 (2010).
  • Distinctions in the Ge wetting layer formation and self-assembledisland nucleation between single- and multilayer SiGe/Si (001)structures / D. V. Yurasov, M. V. Shaleev, А. V. Novikov, Journal of Crystal Growth 313, 12 (2010).
  • SiGe nanostructures with self-assembled islands for Si-basedoptoelectronic / Z. F. Krasilnik, A. V. Novikov, D. N. Lobanov, K. E. Kudryavtsev, A. V. Antonov, S. V. Obolenskiy, N. D. Zakharov, P Werner, Semiconductor Science and Technology 26, 014209 (2011).
  • Usage of antimony segregation for selective doping of Si inmolecular beam epitaxy / D. V. Yurasov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, M. V. Shaleev, N. D. Zakharov, A. V. Novikov, Journal of Applied Physics 109, 113533 (2011).
  • Barrier-Height Modification in Schottky Silicon Diodes with Highly Doped 3D and 2D Layers / A. V. Murel, A. V. Novikov, V. I. Shashkin, and D. V. Yurasov, Semiconductors 46 (11), 1358−1361 (2012).
  • Transition from planar to island growth mode in SiGe structures fabricated on SiGe/Si (001) strain-relaxed buffers / M.V. Shaleev, A.V. Novikov, D.V. Yurasov, J.M. Hartmann, O.A. Kuznetsov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik, Appl. Phys. Lett. 101, 151601 (2012).
  • Сегрегация сурьмы в напряженных SiGe-гетероструктурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии / М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, ФТП 47 (11), 1493−1496 (2013).
  • Кинетика фотолюминесценции самоформирующихся Ge (Si) островков в многослойных структурах SGe/Si и SiGe/SOI / А. Н. Яблонский, Н. А. Байдакова, А. В. Новиков, Д. Н. Лобанов, ФТП 47 (11), 1509−1512 (2013).
  • Динамика фазовых переходов в системе неравновесных носителей заряда квантоворазмерных структур Si1-x Gex/Si / В. С. Багаев, В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, Е. Е. Онищенко, А. А. Пручкина, Д. Ф. Аминев, М. Л. Скориков, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, ЖЭТФ 144 (5), 1045−1060 (2013).
  • Segregation of Sb in SiGe heterostructures grown by molecular beam epitaxy: interdependence of growth conditions and structure parameters / D.V. Yurasov, M.N. Drozdov, N.D. Zakharov and A. V. Novikov, J. of Crystal Growth 396, 66−70 (2014).
  • Investigation of deformations and strain fields in silicon matrix structures embedded with vertically stacked Ge (Si) self-assembled islands / D.A. Pavlov, A.I. Bobrov, A.V. Novikov, D.S. Sorokin, N.V. Malekhonova, A.V. Pirogov, D.E. Nikolitchev, A.V. Boryakov, Appl. Phys. Lett. 105, 161910 (2014).
  • Real-time measurement of substrate temperature in molecular beam epitaxy using low-coherence tandem interferometry / D.V. Yurasov, A.Yu. Luk’yanov, P.V. Volkov, A.V. Goryunov, A.D. Tertyshnik, M.N. Drozdov and A.V. Novikov, J. Crystal Growth 413, 42−45 (2015).
  • Рост светоизлучающих SiGe гетероструктур на подложках «напряженный кремний на изоляторе» с тонким слоем окисла / Н. А. Байдакова, А. И. Бобров, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, ФТП 49 (8), 1129−1135 (2015).
  • Excitonic luminescence of SiGe/Si quantum wells δ-doped with boron / V.S. Bagaev, V.S. Krivobok, S.N. Nikolaev, A.V. Novikov, E.E. Onishchenko, A.A.Pruchkina, J. Appl. Phys. 117, 185705 (2015).
  • Control of surface dip diameter in Si-based photonic nanostructures by changing growth temperature of Ge quantum dot multilayer structures and its impact on their optical properties / O. Aonuma, Yu. Hoshi, T. Tayagaki, A. Novikov, D. Yurasov, and N. Usami, Jap. J. of Appl. Phys. 54, 08KA01 (2015).
  • Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных Ge/Si (001) слоев, полученных методом МПЭ / Д. В. Юрасов, А. И. Бобров, В. М. Данильцев, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, ФТП 49 (11), 1463−1468 (2015).
  • Antimony segregation in Ge and formation of n-type selectively doped Ge films in molecular beam epitaxy / D.V. Yurasov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, V.B. Schmagin, K.E. Spirin, A.V. Novikov, J. Appl. Phys.118, 145701 (2015).
  • Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп / Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, Б. А. Андреев, П. А. Бушуйкин, П. А. Юнин, Е. В. Скороходов, Л. В. Красильникова, ФТП 50 (2), 264−268 (2016).
  • Quantitative depth profiling of Si1−xGex structures by time-of-flight secondary ion mass spectrometry and secondary neutral mass spectrometry / M.N. Drozdov, Y.N. Drozdov, A. Csik, A.V. Novikov, K. Vad, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, S.F. Belykh, G.P. Gololobov, D.V. Suvorov, A. Tolstogouzov, Thin Solid Films 607, 25−31 (2016).

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−80

E-mail: anov@ipmras.ru

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия