Институт физики микроструктур РАН
Твердотельные наноструктуры
Технология изготовления наноструктур
Рентгеновская оптика
Фемтосекундная спектроскопия
Горячая электролюминесценция из кремниевых светодиодов: туннельный, смешанный и лавинный механизмы пробоя
Ростовая камера МПЭ установки Riber
Изображение солнца, полученное на длине волны 171 Å
Кинетика фотолюминесценции гетероструктуры GaAs/AlGaAs с туннельносвязанными квантовыми ямами

Институт физики микроструктур РАН

Институт физики микроструктур РАН — филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения «Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук» образован в результате реорганизации ФГБУН Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) путем присоединения к ИПФ РАН, в соответствии с приказом ФАНО России от 30.06.2015 № 334.

ИФМ РАН образован Постановлением Президиума РАН № 173 от 28 сентября 1993 года на базе Отделения физики твердого тела Института прикладной физики АН СССР. ИФМ РАН числился в составе Отделения физических наук Российской академии наук (1993−2013), Нижегородского научного центра РАН (2009−2013). В соответствии с Федеральным законом от 27 сентября 2013 г. № 253-ФЗ «О Российской академии наук, реорганизации государственных академий наук и внесении изменений в отдельные законодательные акты Российской Федерации» и распоряжением Правительства Российской Федерации от 30 декабря 2013 г. № 2591-р ИФМ РАН был передан в ведение Федерального агентства научных организаций (ФАНО России). С 1 марта 2016 года Институт физики микроструктур вошел в состав образованного Федерального государственного бюджетного научного учреждения «Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук» на правах обособленного подразделения (филиала). Указом Президента Р. Ф. от 15 мая 2018 «О структуре федеральных органов исполнительной власти» ФАНО было ликвидировано, а подведомственные ему институты переданы вновь образованному Министерству науки и высшего образования РФ.

Директором-основателем института, возглавлявшим его в 1993—2009 гг. г., является академик С. В. Гапонов. С июня 2009 г. по июль 2020 г. директором института был чл.-корр. З. Ф. Красильник. В настоящее время З.Ф.Красильник занимает должность руководителя научного направления «Физика микро- и наноструктур». С 30 июля 2020 г. исполняющим обязанности директора ИФМ РАН является д.ф.-м.н., проф. В.И.Гавриленко.

В институте проводятся фундаментальные научные исследования по направлениям: физика, технология и диагностика твердотельных микро- и наноструктур; многослойная оптика рентгеновского и ультрафиолетового диапазонов; кремниевая оптоэлектроника; спектроскопия, спектрометрия и электроника терагерцового и субтерагерцового диапазонов; физика магнитных наноструктур и спинтроника; физика сверхпроводников и сверхпроводниковая электроника.

Эффективное использование уникального оборудования обеспечивают общепризнанные «Центр коллективного пользования «Физика и технология микро- и наноструктур» и уникальный стенд «Фемтоспектр».

В ИФМ 275 сотрудников, из них более 180 исследователей (25 докторов и  80 кандидатов наук,1 академик, 3 чл.-корр. РАН).

ИФМ РАН имеет тесные связи с Нижегородским государственным университетом в области научных исследований и подготовки кадров. В ИФМ РАН работает межфакультетская базовая кафедра Университета Лобачевского «Физика наноструктур и наноэлектроника».


Семинары

18 января 2021, 14:00

Физика твердого тела

С.С.Уставщиков

Approaching depairing current in dirty thin superconducting strip covered by low resistive normal metal

We experimentally demonstrate that a thin dirty superconducting (S) strip covered by low resistive normal metal (N) approaches closer to the depairing current than a single S strip, which makes its non-linear properties stronger. The obtained result comes from proximity-induced superconductivity in the N layer, its large contribution to the superconducting properties of the SN bilayer and larger sensitivity to the current than that of the host S layer. We argue that such an SN bilayer could be a promising system for different applications based on the current-dependent kinetic inductance. In addition, we also find that in the presence of the N layer the maximal vortex velocity in the resistive state considerably increases.

© 2000—2021, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия