Твердотельные наноструктуры
Технология изготовления наноструктур
Рентгеновская оптика
Фемтосекундная спектроскопия
Горячая электролюминесценция из кремниевых светодиодов: туннельный, смешанный и лавинный механизмы пробоя
Ростовая камера МПЭ установки Riber
Изображение солнца, полученное на длине волны 171 Å
Кинетика фотолюминесценции гетероструктуры GaAs/AlGaAs с туннельносвязанными квантовыми ямами

Институт физики микроструктур РАН

Институт физики микроструктур РАН — филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения «Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук» (ФИЦ ИПФ РАН) образован в результате реорганизации ФГБУН Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) путем присоединения к ФИЦ ИПФ РАН, в соответствии с приказом ФАНО России от 30.06.2015 № 334. 1 апреля 2016 г. директором ИФМ РАН назначен член-корреспондент РАН З. Ф. Красильник.

ИФМ РАН образован Постановлением Президиума РАН № 173 от 28 сентября 1993 года на базе Отделения физики твердого тела Института прикладной физики АН СССР. ИФМ РАН числился в составе Отделения физических наук Российской академии наук (1993−2013), Нижегородского научного центра РАН (2009−2013). В соответствии с Федеральным законом от 27 сентября 2013 г. № 253-ФЗ «О Российской академии наук, реорганизации государственных академий наук и внесении изменений в отдельные законодательные акты Российской Федерации» и распоряжением Правительства Российской Федерации от 30 декабря 2013 г. № 2591-р ИФМ РАН был передан в ведение Федерального агентства научных организаций (ФАНО России). С 1 марта 2016 года Институт физики микроструктур вошел в состав образованного Федерального государственного бюджетного научного учреждения «Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук» на правах обособленного подразделения (филиала). Указом Президента Р. Ф. от 15 мая 2018 «О структуре федеральных органов исполнительной власти» ФАНО было ликвидировано, а подведомственные ему институты переданы вновь образованному Министерству науки и высшего образования РФ.

Директором-основателем института, возглавлявшим его в 1993—2009 гг. г., является академик С. В. Гапонов. С июня 2009 г. институт возглавил чл.-кор. З. Ф. Красильник.

В институте проводятся фундаментальные научные исследования по направлениям: физика, технология и диагностика твердотельных микро- и наноструктур; многослойная оптика рентгеновского и ультрафиолетового диапазонов; кремниевая оптоэлектроника; спектроскопия, спектрометрия и электроника терагерцового и субтерагерцового диапазонов; физика магнитных наноструктур и спинтроника; физика сверхпроводников и сверхпроводниковая электроника.

Эффективное использование уникального оборудования обеспечивают общепризнанные «Центр коллективного пользования «Физика и технология микро- и наноструктур» и уникальный стенд «Фемтоспектр».

В ИФМ 275 сотрудников, из них более 180 исследователей (25 докторов и 86 кандидатов наук, в т. ч. 1академик и 3 члена-корреспондента РАН, 8 лауреатов Государственной премии, 1 лауреат Государственной премии Российской Федерации для молодых ученых).

ИФМ РАН имеет тесные связи с Нижегородским государственным университетом в области научных исследований и подготовки кадров. В ИФМ РАН работает межфакультетская базовая кафедра Университета Лобачевского «Физика наноструктур и наноэлектроника».


Семинары

22 октября 2018, 16:00

Физика твердого тела

Куликов Кирилл Вячеславович (Лаборатория теоретической физики, Объединённый Институт Ядерных Исследований (ОИЯИ), Дубна)

Особенности динамики и вольт-амперных характеристик джозефсоновских наноструктур, обусловленные резонансными, топологическими и неравновесными явлениями

Предложена теоретическая основа для разработки нового метода создания стандарта напряжения, позволяющий существенно уменьшить используемую мощность внешнего электромагнитного излучения. Показано, что в системе связанных джозефсоновских переходов временная зависимость полного напряжения стека отражает возникновение электрического заряда на сверхпроводящих слоях, что может служить основой метода его регистрации. Разработан фазочувствительный метод обнаружения майорановских связанных состояний в джозефсоновских наноструктурах. Показано, что зарядовый разбаланс ветвей спектра элементарных возбуждений квазичастиц может приводить к наклону ступенек Шапиро на вольт-амперной характеристике.

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия