РусскийEnglish

Научные методики УСУ «Фемтоспектр»

Cуществующие методики

  • Методика регистрации спектров возбуждения фотолюминесценции структур в диапазоне 0,4-2.5 мкм;
  • Методика измерения кинетики фотолюминесценции с наносекундным и фемтосекундным разрешением;
  • Методика измерения температурных зависимостей интенсивности фото- и электролюминесценции;
  • Методика генерации терагерцового излучения фемтосекундными импульсами, воздействующими на полупроводниковые источники;
  • Методика регистрации абсорбции и флуоресценции с субпикосекундным временным разрешением;
  • Методика измерения ФЛ, абсорбции и фотопроводимости на базе инфракрасного фурье-спектрометра.

Разрабатываемые и модернизируемые методики

  • Методика регистрации разрешенных во времени спектров люминесценции с помощью стрик-камеры и многоэлементного приемника излучения (ССD-камеры);
  • Методики «pump-probe» и «up-conversion» исследования кинетики фотогенерированных носителей в структурах GaAs с металлическими нанокластерами при их возбуждении фемтосекундными оптческими импульсами;
  • Методика определения радиационной стойкости структур с самоорганизующимися наностровками Ge (Si) на основе спектров и кинетики фотолюминесценции структур;
  • Методика измерения квантовой эффективности люминесценции кремниевых структур;
  • Методика регистрации кинетики люминесценции в области спектра 0,8-1,7 мкм в режиме счета фотонов;
  • Методика генерации ТГц излучения с использованием излучателя «TeraSed» на основе напыленной на поверхность GaAs встречно-штрыревой системы, возбуждаемого фемтосекундными лазерными импульсами, с целью обужения полосы терагерцового излучения за счет использования двухчастотной объемной брэгговской решетки;
  • Методика быстрой модуляции терагерцового излучения, генерируемого фемтосекундными импульсами, воздействующими на излучатель «TeraSed»;
  • Методика абсорбционной спектроскопии циклотронного резонанса в полупроводниковых наноструктурах с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне с использованием широкополосного ТГц излучения, получаемого при оптической ректификации фемтосекундных лазерных импульсов и узкополосного полупроводникового приемника n-GaAs;
  • Методика измерений времен релаксации фотопроводимости на циклотронном резонансе и примесной фотопроводимости в терагерцовом диапазоне в полупроводниковых наноструктурах с разрешением 50 нс с использованием излучателя «TeraSed», возбуждаемого фемтосекундными лазерными импульсами;
  • Методики диагностики функционирования полупроводниковых приборов при импульсном межзонном возбуждении свободных носителей (моделирования ионизационного воздействия радиации);
  • Методика генерации и регистрации терагерцового излучения фемтосекундными импульсами с использованием кристаллов ZnTe.

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия