РусскийEnglish

Государственная премия СССР в области науки и техники 1987 года «Инвертированные распределения горячих носителей заряда в полупроводниках и генерация стимулированного излучения в ММ, СБММ и ДИК диапазонах»

Предсказаны, обнаружены и детально исследованы новые физические явления, возникающие при динамическом разогреве носителей заряда в полупроводниках в сильных электрических и магнитных полях, приводящем с значительной деформации функции распределения, локализации и накоплению носителей в выделенных оюластях импульсного програнства. Впервые получено стимулированное излучение в инвертированных системах горячих дырок в Ge и созданы первые в мире лабораторные образцы полупроводниковых мазеров и лазеров коротковолновой части миллиметрового, субмиллиметрового и дальнего ИК (терагерцового) диапазонов

λ ≈ 0,8-8 мм, E || H
1984 г. — NEMAG
λ ≈ 0,1 мм, EH
1984 г. — лазер на l-h переходах в Ge
Ge, Т = 4,2 K, импульсный режим

Премия была присуждена следующим ученым:

В.Н. Шастин, З. Ф. Красильник, В. И. Гавриленко, А. А. Андронов, А. М. Белянцев, В. А. Козлов

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия