РусскийEnglish

Технология формирования релаксированных слоев Ge

С использованием метода МПЭ разработана технология формирования на подложках Si (001) релаксированных слоев Ge с малой (≤1нм) шероховатостью поверхности и низкой (~107 см-2) плотностью прорастающих дислокаций. Полученные буферы Ge/Si (001) использованы для роста на кремнии методом МОС ГФЭ гибридных А3В5 лазеров. На неотклоненных подложках Si (001) с буферными слоями Ge впервые созданы инжекционные гибридные лазеры ближнего ИК диапазона (длина волны генерации 0.94−0.99 мкм) с квантовыми ямами InGaAs/GaAs в качестве активной среды. Для полосковых лазеров пороговая плотность тока составила 0.46 и 5.5 кА/см2 при 77 и 300 К, соответственно. В микродисковых лазерах диаметром 20÷30 мкм достигнута генерация при комнатной температуре при импульсной накачке. В микродисковых лазерах получена одномодовая генерация с шириной линии излучения 35 пм.

Публикации:

  • Д.В. Юрасов, А. И. Бобров, В. М. Данильцев, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин. Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных Ge/Si (001) слоев, полученных методом МПЭ. ФТП 49, 1463 (2015)
  • В.Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge. Письма в ЖТФ 41, 72 (2015)
  • V. Ya. Aleshkin, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, A.G. Fefelov, Z.F. Krasilnik, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, I.V. Samartsev, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, A.A. Sushkov, A.N. Yablonskiy, P.A. Yunin, D.V. Yurasov. Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grown by MOCVD on exact Ge/Si (001) substrate. Appl. Phys. Lett. 109, 06111 (2016)
  • В.Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский. Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si (001). ФТП 51, 695 (2017)
  • N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, Yu.S. Polubakina, M.V. Maximov, M.M. Kulagin, S.I. Troshnikov, YU.M. Zadiranov, A.A. Lipovskii, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, Z.F. Krasilnik, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, D.V. Yurasov, A.E. Zhukov. Electrically pumped InGaAs/GaAs quantum well microdisk lasers directly grown on Si (100) with Ge/GaAs buffer". Optics Express 25, 16754 (2017)
  • Н.В. Крыжановская, Ю. С. Полубавкина, Э. И. Моисеев, Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, А. А. Липовский, А. Е. Жуков, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, Ю. М. Задиранов, Н. В. Байдусь, А. В. Рыков, Д. В. Юрасов, А. В. Новиков, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, Микролазеры на основе дисковых резонаторов и квантоворазмерных гетероструктур для перспективных устройств фотоники. Электроника и микроэлектроника СВЧ 1, 115 (2017)
  • В.Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, И. В. Самарцев, А. Г. Фефелов, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник, Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке. ФТП 51, 1530 (2017)

© 2000—2019, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия