РусскийEnglish
ИФМ РАН / Об институте / Юбилей 25 лет / Результаты. Полупроводники.

Объемные полупроводники и гетероструктуры

BestResults_Semiconductors_Result1_MieResonance

Развита технология молекулярно-пучковой эпитаксии светоизлучающих структур с самоформирующимися наноостровками и квантовыми точками GeSi…
подробнее >>>

BestResults_Semiconductors_Result2_HybridLaser

С использованием метода МПЭ разработана технология формирования на подложках Si (001) релаксированных слоев Ge с малой (≤1нм) шероховатостью поверхности и низкой (~107 см-2) плотностью прорастающих дислокаций…
подробнее >>>

Semiconductors_Result3_KeyneFermions.jpg

Продемонстрировано существование нового типа псевдо-релятивистских частиц — фермионов Кейна в узкозонных твердых растворах HgCdTe…
подробнее >>>

BestResults_Semiconductors_Result4_Laser19p5nm

В волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe при оптической накачке получено стимулированное излучение на рекордно большой длине волны 19.5 мкм…
подробнее >>>
Созданы первые в мире лазеры на основе кремния…
подробнее >>>
Разработана лабораторная технология получения кремния и германия в плазменном разряде смеси SiF4 или GeF4 и водорода…
подробнее >>>

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия