РусскийEnglish
ИФМ РАН / Об институте / Юбилей 25 лет / Результаты. Элементная база.

Элементная база и устройства

Предложен способ управления эффективной высотой баpьеpа Шоттки (Мотта) Al/GaAs за счет дельта-легирования кремнием GaAs в нескольких нанометрах от границы с металлом, что изменяет характер токопереноса с термоэмиссионного на термополевой/туннельный…
подробнее >>>
Разработаны и изготовлены образцы силовых p-i-n диодов на основе гетероструктур (Al)Ga)As, выращенных методом жидкофазной эпитаксии…
подробнее >>>
Разработана технология изготовления элементов ВТСП электроники на основе пленок YBCO, осаждаемых на одну или обе стороны подложек из различных материалов: сапфир с подслоями фианита и оксида церия, галата неодима, алюмината лантана, титаната стронция…
подробнее >>>
Разработана промышленная автоматизированная волоконно-оптическая система для дистанционного измерения толщины листового стекла в горячей зоне его производства…
подробнее >>>
Разработана оригинальная система оптического мониторинга температуры, изгиба подложек и толщины полупроводниковых структур в ходе технологических процессов их формирования (эпитаксии, осаждения и плазмохимического травления)…
подробнее >>>

© 2000—2018, ИФМ РАН.
E-mail: director@ipmras.ru

Фактический адрес: ул. Академическая, д. 7, д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, 603087, Россия
Схема проезда, Документ WordТелефоны сотрудников (240 Kбайт)

Tелефон: (831) 417–94–73,
Факс: (831) 417–94–64,
Адрес для писем: ГСП-105, Нижний Новгород, 603950, Россия