Андреев Борис Александрович
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

Андреев Борис Александрович

Андреев Борис Александрович

Андреев Борис Александрович

Ведущий научный сотрудник отдела физики полупроводников (лаборатория спектроскопии твердого тела)
д.ф.-м. н. 

Персональные данные

Родился 2 августа 1946 года в г. Комсомольске, Ивановской обл.

Научные интересы

Физика полупроводников, оптические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых структур.

Образование

Школа

Школа №1 г. Комсомольска.

ВУЗ

Физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского, кафедра теоретической физики.

Профессиональная карьера

  • 1969 — 1971 — служба в армии.
  • 1971 — 1983 — младший научный сотрудник Института химии АН СССР.
  • 1982 — кандидат химических наук (диссертация — «Исследование летучих неорганических гидридов методом субмиллиметровой радиоспектроскопии»).
  • 1983 — 1997 — с. н.с., в. н. с. Института химии АН СССР (с 1992 г. Института химии высокочистых веществ РАН).
  • 1997 — с. н. с., отдела физики полупроводников ИФМ РАН.
  • 2004 — доктор физико-математических наук (диссертация — «Инфракрасная спектроскопия примесей в кремнии и германии). Участник 14 проектов (руководитель в 6 проектах) РФФИ, участник 4 проектов (руководитель группы в 2 проектах) ИНТАС, руководитель группы в проекте Международного научного фонда, участник проекта Нидерландской научной организации — РФФИ. Опубликовано более 400 работ. Ведущий научный сотрудник отдела физики полупроводников ИФМ РАН

Избранные публикации

  1. Andreev B. A., Burenin A. V., Karyakin E. N., Krupnov A. F., Shapin S. M., Submillimeter wave spectrum and molecular constants of N2O // J. Molec. Spectr. 1976. V. 62. P. 125.
  2. Андреев Б. А., Герштейн Л. И., Иконников В. Б., Шмагин В. Б., Бесконтактный способ регистрации спектров фотопроводимости полупроводников//ПТЭ. 1985. №3. С.172.
  3. Андреев Б. А., Воронкова Г. И., Лифшиц Т. М., Иконников В. Б., Шмагин В. Б., Обращение типа примесной фотопроводимости в легированном полупроводнике.//Письма в ЖЭТФ 1986. Т.44. Вып. 6. C.282.
  4. Андреев Б. А., Иконников В. Б., Козлов Е. Б., Лифшиц Т. М., Шмагин В. Б., Интенсивность примесных оптических переходов в кремнии, легированном фосфором//Письма в ЖЭТФ. 1989. Т.49. №1. С.39.
  5. Андреев Б. А., Лифшиц Т. М., Фототермоионизационная спектроскопия примесей в германии и кремнии // Высокочистые вещества.1990. №5. C.7.
  6. Андреев Б. А., Голубев В. Г., Емцев В. В., Кропотов Г. И., Оганесян Г. А., Шмальц К. Обнаружение двойных термодоноров в энергетическом спектре «новых доноров» в кремнии // Письма в ЖЭТФ 1992. Т.55. Вып.1. C.52.
  7. Parshin V. V., Heidinger R., Andreev B. A., Gusev A. V., Shmagin V. B., Silicon as an advanced window material for high power gyrotrons//Journal of IR and MM Waves. 1995. V. 16. N.5.P. 863.
  8. Emtsev V. V., Andreev B. A., Misuik A., Jung W., and Schmalz K. Oxygen aggregation in Czochralski-grown silicon heat treated at 450 C under compressive stress. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. N.2. P.264.
  9. Emtsev V. V., Sobolev N. A., Andreev B. A., Poloskin D. S., Shek E. I. Thermal donors in silicon doped with erbium // Solid State Phenomena 1997. V. 7 N.8. P. 207.
  10. Андреев А. Ю., Андреев Б. А., М. Н. Дроздов, Кузнецов В. П., Красильник З. Ф.,. Карпов Ю. А, Рубцова Р. А., Степихова М. В., Ускова Е. А., Шмагин В. Б., Ellmer H., Palmetshofer L., Piplitz K., Hutter H. Оптически активные слои кремния, легированного эрбием в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии//ФТП 1999. Т. 33. Вып.2. С. 156.
  11. Андреев Б. А., Соболев Н. А., Николаев Ю. А.,. Курицын Д. И, Маковийчук М. И., Паршин Е. О. Низкотемпературная фотолюминесценция кремния, легированного гольмием // ФТП 1999. Т. 33. Вып.4. С. 420.
  12. Андреев Б. А., Красильник З. Ф., Кузнецов В. П., Солдаткин А. О., Бреслер М. С., Гусев О. Б.,.Яссиевич И. Н Особенности фотолюминесценции эрбия в кремниевых структурах, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии ФТТ 2001. Т. 43. Вып. 6 C.979.
  13. Andreev B., V. Chalkov, O. Gusev, A. Emel’yanov, Z. Krasil’nik, V. Kuznetsov, P. Pak, V. Shabanov, V. Shengurov, V. Shmagin, N. Sobolev, Stepikhova M., S. Svetlov Realization of photo- and electroluminescent Si: Er structures by the method of sublimation molecular beam epitaxy // Nanotechnology 2001. V. 13. P.97.
  14. Andreev B. A., Gregorkiewicz T., Krasil’nik Z. F., H. Przybylin? ska and N. Q. Vinh Observation of Zeeman effect in photoluminescence of Er3+ ion imbedded in crystalline silicon // Physica B: Condensed Matter 2001. V. 308-310. P.340.
  15. N. Abrosimov, Andreev B., S. Egorov, H. G. Grimmeiss, Jantsch W., G. Kocher and A. Zabrodskii Alloy fluctuations in Si1? x Gex crystals//Physica B: Condensed Matter 2001. V. 308-310 P.558.
  16. Krasilnik Z. F., Aleshkin V. Ya., Andreev B. A., Gusev O. B. Jantsch W., Krasilnikova L. V., Krizhkov D. I., Kuznetsov V. P., Shengurov V. G., Shmagin V. B., Sobolev N. A., Stepikhova M. V., Yablonsky A. N., SMBE grown uniformely and selectively doped Si: Er structures for LEDs and lasers // in «Towards the first silicon laser» Eds. L. Pavesi, S. Gaponenko, L. Dal Negro, Kluver Academic Publishers, 2003. P.445.
  17. Andreev B. A., Emtsev V. V., Kryzhkov D. I., Kuritsyn D. I., and Shmagin V. B., Study of IR Absorption and Photoconductivity Spectra of Thermal Double Donors in Silicon //Physica status solidi.(b) 2003. V. 235, N.1, P.79.
  18. N.Q. Vinh, M. Klik, B. A. Andreev, and T. Gregorkiewicz Spectroscopic characterization of Er-1 center in selectively doped silicon to appear in Materials Science and Engineering B. 2003. V. 105. p.150.
  19. Андреев Б. А., Красильник З. Ф., Яблонский А. Н., Кузнецов В. П., Gregorkiewicz T., Klik M. A. J., Спектроскопия возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si: Er //Физика твердого тела, 2005, т. 47(1) C. 83-85.
  20. P G Sennikov, T V Kotereva, A G Kurganov, B A Andreev, H Niemann, D Schiel, V. V. Emtsev, H-J Pohl Spectroscopic parameters of LVM absorption bands of carbon and oxygen impurities in isotopic enriched silicon 28Si, 29Si and 30Si. (Engl.)//ФТП, 2005, V.39(3), 320-326.
  21. A.A. Klochikhin, V. Yu. Davydov, V. V. Emtsev, A. V. Sakharov, V. A. Kapitonov, B. A. Andreev, Hai Lu, William J. Schaff Manifestation of the equilibrium hole distribution in photoluminescence of n- InN// Physica Status Solidi (b) 2005 Vol. 242(4),. P. R33-R35.
  22. A.A. Klochikhin, V. Yu. Davydov, V. V. Emtsev, A. V. Sakharov, V. A. Kapitonov, B. A. Andreev, Hai Lu, William J. Acceptor states in photoluminescence of n-InN//Phys.Rev.B 2005, Vol.71, p.195207-1-16
  23. N.Q.Vinh, S. Minissale, B. A. Andreev and T. Gregorkiewicz The Auger process of luminescence quenching in Si/Si:Er multinanolayers// Journal of Physics: Condensed Matter, Vol. 17 (2005) S2191-S2195
  24. Klochikhin A, Davydov V, Emtsev V, Sakharov A, Kapitonov V, Andreev B, Lu H, Schaff WJ Photoluminescence of n-InN with low electron concentrations PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 203 (1) P. 50-58 (2006)
  25. B.A. Andreev, T. Gregorkiewicz, W. Jantsch, Z. F. Krasilnik, D. I. Kryzhkov and V. P. Kuznetsov 1.54 mm Si: Er light-emitting diode with memory function Applied Physics Letters 88, 201101 (2006)
  26. T. Gregorkiewicz, B. A. Andreev, M. Forcales, I. Izeddin, W. Jantsch, Z. F. Krasil’nik, D. I. Kryzhkov, V. P. Kuznetsov, J. M. Zavada Er-doped electro-optical memory element for 1.5 mm silicon photonics // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, V.12(6), p.1539-1544 (2006)
  27. П.Г.Сенников, С. В. Голубев, В. И. Шашкин, Д. А. Пряхин, M. H. Дроздов, Б. А. Андреев, Ю. Н. Дроздов, А. С. Кузнецов, Х.-Й. Поль Получение слоев нанокристаллического кремния методом стимулированного плазмой осаждения из газовой фазы (PECVD) тетрахлорида кремния Письма в ЖЭТФ, т.89(2), с. 80-83, (2009)
  28. П.Г. Сенников¶, С. В. Голубев, В. И. Шашкин, Д. А. Пряхин, М. Н. Дроздов, Б. А. Андреев, Ю. Н. Дроздов, А. С. Кузнецов, Х.-Й. Поль Получение слоев нанокристаллического кремния плазмохимическим осаждением из газовой фазы тетрафторида кремния, Физика и техника полупроводников т. 43(7)б с. 1002-1006, (2009)
  29. Б.А. Андреев, А. А. Ежевский, Н. В. Абросимов, П. Г. Сенников, Х.-Й. Поль Зависимость энергии резонансных состояний акцептора в кремнии от изотопного состава матрицы, Письма в ЖЭТФ, т.90, вып.5-6, с.501-504, (2009)
  30. Ю.Г.Садофьев, N.Samal, Б.А.Андреев, В.И.Гавриленко, С.В.Морозов, А.Г.Спиваков, А.Н.Яблонский "Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм", Физика и техникаполупроводниковт.44(3) с.422-429 (2010) 
  31. B.A.Andreev, Z.F.Krasilnik, D. I. Kryzhkov, D.V.Shengurov, A.N.Yablonskiy Luminescent properties of MBE-grown Si:Er/SOI structures, Journal of Luminescence 132 (2012) 3148–3150 
  32. P.G.Sennikov, A.V.Vodopyanov, S.V.Golubev, D.A.Mansfeld, M. N. Drozdov, Yu.N.Drozdov, B.A.Andreev, L.V.Gavrilenko, D.A. Pryakhin, V.I.Shashkin, O.N.Godisov, A.I.Glasunov, A.Ju.Safonov, H.-J.Pohl, M.L.W.Thewalt, P.Becker, H.Riemann, N.V.Abrosimov, S. Valkiers Towards 0.99999 28Si. Solid state communications 2012, V.152 p. 455-457  http://dx.doi.org/10.1016/j.ssc.2012.01.008 
  33. Gusev O.B., Ershov A.V., Grachev D.A., Andreev B.A., Yablonskiy A.N. Effect of surface Si-Si dimers on photoluminescence of silicon nanocrystals in silicon dioxide matrix, ЖЭТФ, 2014 том 145(5), стр. 830-837
  34. К.Е. Кудрявцев, Д.И. Крыжков, Л.В. Красильникова, Д.В. Шенгуров, В.Б. Шмагин, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник Сечение поглощения для перехода 4I13/2-4I15/2 иона Er3+в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI. Письма в ЖЭТФ т. 100(12), с.913-918 (2014) DOI: 10.1134/S00213640142400961
  35. A. P. Pushkarev, V. A. Ilichev, T.V. Balashova, A. N. Yablonskiy, B. A. Andreev, M.N. Bochkarev Synthesis and luminescent properties of heteroleptic benzothiazolylnaphtholates of ytterbium Synthetic Metals 203 (2015) 117–121 DOI: 10.1016/j.synthmet.2015.02.030 
  36. V.A. Ilichev, A.P. Pushkarev, R.V. Rumyantcev, A.N. Yablonskiy, T.V. Balashova, G.K. Fukin, D.F. Grishin, B.A. Andreev and M.N. Bochkarev Luminescent properties of 2-mercaptobenzothiazolates of trivalent lanthanides Physical Chemistry Chemical Physics, 17 (2015) 11000-11005  DOI: 10.1039/c4cp05928j 
  37. B.A. Andreev, A.N. Yablonskii, Z.F. Krasilnik, A.V. Ershov, D.A. Grachev, A.V. Gert, O.B. Gusev, I.N. Yassievich Exciton self-trapped on Si-Si-dimers on the surface of silicon nanocrystal: experimental evidence Physica Status Solidi B, (2016) V.253(11) pp. 2150-2153 DOI 10.1002/pssb..201600525 
  38.  P.A. Bushuykin, B.A. Andreev, V.Yu. Davydov, D.N. Lobanov, D.I. Kuritsyn, A.N.Yablonskiy, N.S. Averkiev, G.M. Savchenko, Z.F. Krasilnik New photoelectrical properties of InN: Interband spectra and fast kinetics of positive and negative photoconductivity of InN, Journal of Applied Physics 123, 195701 (2018); doi: 10.1063/1.5022844 doi: 10.1063/1.5022844
  39. B.A. Andreev, K. E. Kudryavtsev, A. N. Yablonskiy, D. N. Lobanov, P. A. Bushuykin, L. V. Krasilnikova, E. V. Skorokhodov, P. A. Yunin, A. V. Novikov, V. Yu Davydov, Z. F. Krasilnik Towards the indium nitride laser: obtaining infrared stimulated emission from planar monocrystalline InN structures. Scientific Reports (2018) 8(1), 9454 DOI:10.1038/s41598-018-27911-2 
  40. Б.А. Андреев, Д.Н. Лобанов, Л.В. Красильникова, П.А. Бушуйкин, А.Н. Яблонский, А.В. Новиков, В.Ю. Давыдов, П.А. Юнин, М.И. Калинников, Е.В. Скороходов, З.Ф. Красильник Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия ФТП, 53(10), с. 1395-1400 (2019)
  41. M.Olaru, E.Rychagova, S.Ketkov, Y.Shynkarenko, S. Yakunin, M. Kovalenko, A. Yablonskiy, B. Andreev, F. Kleemiss, J. Beckmann, M. Vogt A Small Cationic Organo-Copper Cluster as Thermally Robust Highly Photo- and Electro Luminescent Material Journal of the American Chemical Society 2020, 142, 1,pp.373-381. DOI: 10.1021/jacs.9b108291.      
  42. D.V. Yurasov, A.V. Novikov, N.A. Baidakova, V.Ya. Aleshkin, P.A. Bushuykin, B.A. Andreev, P.A. Yunin, M.N. Drozdov, A.N. Yablonskiy, A.A. Dubinov, Z.F. Krasilnik Effect of antimony doping on the energy of optical transitions in n-Ge layers grown on Si (001) and Ge (001) substrates. Journal of Applied Physics 127, 165701 (2020); 
  43. M.A. Galin, V.V. Kurin, I.A. Shereshevskiy, N.K. Vdovicheva, A.V. Antonov, B.A. Andreev, A.M. Klushin Coherent Radiation from Active Josephson Antennas IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 31(5), pp. 1-5, (2021), doi: 10.1109/TASC.2021.3064533 
  44. D.N. Lobanov, K.E. Kudryavtsev, M.I. Kalinnikov, L.V. Krasilnikova, P.A. Yunin, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, A.V. Novikov, B.A. Andreev, Z.F. Krasilnik Near-infrared stimulated emission from indium-rich InGaN layers grown by plasma-assisted MBE. Appl. Phys. Lett. 118, 151902 (2021); https://doi.org/10.1063/5.0047674
  45.  Huapeng Liu, Bowen Sheng,Tao Wang, Konstantin Kudryavtsev, Artem Yablonskiy,Jiaqi Wei , Ali Imran, Zhaoying Chen, Xiantong Zheng, Renchun Tao, Xuelin Yang ,Fujun Xu, Weikun Ge, Bo Shen, Boris Andreev, Xinqiang Wang Infrared stimulated emission with ultralow threshold from low-dislocation-density InN films grown on vicinal GaN substrate. Fundamental Research (2022) 2(5) 794-798 https://doi.org/10.1016/j.fmre.2021.09.020 
  46. K.E. Kudryavtsev, D.N. Lobanov, L.V. Krasilnikova, A.N. Yablonskiy, P.A. Yunin, E.V. Skorokhodov, M. A. Kalinnikov, A.V. Novikov, B. A. Andreev, Z. F. Krasilnik Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy of In-Rich InGaN:Growth Optimization for Near-IR Lasing ECS Journal of Solid State Science and Technology (2022) 11 014003 DOI: 10.1149/2162-8777/ac4d80 
  47. Б.А. Андреев, Д.Н. Лобанов, Л.В. Красильникова, К.Е. Кудрявцев, А.В. Новиков, П.А. Юнин, М.А. Калинников, Е.В. Скороходов, З.Ф. Красильник Формирование слоев InGaN средних составов методом МПЭ ПА для лазерных источников красного и ИК диапазона Физика и техника полупроводников, 2022, т. 56(7), с.700-704

  48.       Ilichev, V.A., Rogozhin, A.F., Rumyantcev, R.V., Kozlova, E. A., Fukin, G.K,. Yablonskiy, A. N, Andreev, B.A, Bochkarev, M.N. Lanthanide Coordination Polymers with Soft-Base Ditopic Bisthiazolate Ligands Inorganic Chemistry, 62(32) p.12625–12629 (2023), DOI:10.1021/acs.inorgchem.3c01349 (IF=4.6  Q1)

  49. K.E. Kudryavtsev, B.A. Andreev, D.N. Lobanov, M.A. Kalinnikov, A.N. Yablonskiy, P.A. Yunin, A.V. Novikov, Z.F. Krasilnik Analysis of the optical gain due to free-to-bound electronic transitions in indium-rich InGaN layers. Journal of Applied Physics 134(21), 215701 (2023); doi: 10.1063/5.0178131 (IF=2.877 Q2)

Контактная информация

Тел.: (831) 417−94−81
E-mail: boris@ipmras.ru

Возврат к списку