Новости
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

Новости

По итогам рейтингового голосования по важнейшим результатам 2024 года

Ученый совет ИПФ РАН провел рейтинговое голосование по важнейшим результатам 2024 года, которые были представлены отделениям ИПФ РАН и филиалами на заседаниях в ноябре и декабре.

По итогам рейтингового голосования членов Ученого совет в число отобранных для отправки в Отделение физических наук РАН вошли 2 результата, полученные ИФМ РАН:

- Зеркальная рентгеновская оптика на основе монокристаллического кремния для синхротронов (130 отдел);

- Непрерывный двухфотонный квантовый каскадный лазер терагерцового диапазона (110 отдел).

Еще один результат

- Сенсор на основе алмазного диода Шоттки, был получен совместно сотрудниками I отделения ИПФ РАН и отдела 140 ИФМ РАН.


10.12.2024
26-я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике.

29 ноября 2024 года в Санкт-Петербурге завершила работу 26-я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. В конференции приняли участие около ста студентов, аспирантов и молодых ученых из 10 городов России (Санкт-Петербург, Москва, Нижний Новгород, Новосибирск, Екатеринбург, Саратов, Пенза, Уфа, Воронеж) и Армении. Они представляли более 20 вузов и научных центров.

Дипломами Программного комитета были отмечены молодые ученые ИФМ РАН:

Захаров Всеволод Евгеньевич, доклад: «Исследование pin светоизлучающих диодов с Ge(Si) наноостровками в двумерных фотонных кристаллах»

Мажукина Ксения Александровна, доклад: «Лазерное излучение среднего ИК диапазона в мезаструктурах на основе HgCdTe при оптической накачке»

Янцер Арина Андреевна, доклад: «Длинноволновый VCSEL на основе гетероструктуры с квантовыми ямами HgTe/HgCdTe с сильнолегированным полупроводником и металлом в качестве зеркал».

04.12.2024