IPM RAS / Structure / Staff / Yurasov Dmitry

Yurasov Dmitry

Research associate of the Department for physics of semiconductors, PhD in Physics.

Personal data

Born 22 July, 1985 in Nizhny Nogvgorod.

Research interests

Physics of semiconductor nanostructures, optoelectronics, epitaxy, SiGe heterostructures, quantum dots, impurity segregation

Education

  • 2002 — 2008 — study in N. I. Lobachevsky State University of Nizhniy Novgorod., Faculty of Radiophysics.
  • 2008 — 2011 — postgraduate study in the IPM RAS.
  • 2012 — PhD in Physics (thesis — «Peculiarities of nanoislands formation in multilayer SiGe heterostructures and method of selective doping of SiGe structures with segregating impurities», supervisor — Novikov A. V.).

Career

  • 2005−2008 — Apprentice Researcher, IPM RAS
  • 2008 — 2011 — Post-graduate student at IPM RAS. Scientific advisor — Alexey V. Novikov, Lab. Head at IPM RAS
  • 2012 — Defence of a Ph.D. Thesis «Features of nanoislands formation in multilayer SiGe structures and a technique of selective doping of SiGe structures by segregating impurities», Scientific advisor — Alexey V. Novikov, Lab. Head at IPM RAS
  • 2008 — 2011 — Junior Research Fellow, IPM RAS. 2012 — present. Research Fellow, IPM RAS

Awards

  • 2010−2011 — Regional Scholarship for Ph.D. students
  • 2011 — Winner of the competition for young scientific innovators
  • 2013−2015 — Recipient of the Scholarship of the President of Russian Federation for young scientists
  • 2015 — Diploma of the Ministry of Education of Nizhnii Novgorod region

Publications

  • Д.В. Юрасов, Ю. Н. Дроздов, «Критическая толщина перехода по Странскому-Крастанову с учетом эффекта сегрегации», ФТП 42 (5), 579−585 (2008)
  • D.V. Yurasov, Yu. N. Drozdov, M.V. Shaleev, and A.V. Novikov, «Features of two-dimensional to three-dimensional growth mode transition of Ge in SiGe/Si (001) heterostructures with strained layers», Appl. Phys. Lett. 95, 151902 (2009)
  • D.V. Yurasov, M.N. Drozdov, A.V. Murel, M.V. Shaleev, N.D. Zakharov and A.V. Novikov, «Usage of antimony segregation for selective doping of Si in molecular beam epitaxy», J. Appl. Phys. 109, 113533 (2011)
  • П.В. Волков, А. В. Горюнов, А. Ю. Лукьянов, А. Д. Тертышник, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, В. Д. Кузьмин, «Оптический мониторинг технологических параметров в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии», ФТП 46, 1505−1509 (2012)
  • M.V. Shaleev, A.V. Novikov, D.V. Yurasov, J.M. Hartmann, O.A. Kuznetsov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik, «Transition from planar to island growth mode in SiGe structures fabricated on SiGe/Si (001) strain-relaxed buffers», Applied Physics Letters 101, 151601 (2012)
  • P. A. Yunin, Yu. N. Drozdov, M. N. Drozdov, D. V. Yurasov, «Recovery of SIMS depth profiles with account for nonstationary effects», Appl. Surf. Sci. 307, 33−41 (2014)
  • D.V. Yurasov, A.Yu. Luk’yanov, P.V. Volkov, A.V. Goryunov, A.D. Tertyshnik, M.N. Drozdov and A.V. Novikov, «Real-time measurement of substrate temperature in molecular beam epitaxy using low-coherence tandem interferometry», J. Cryst Growth 413, 42−45 (2015)
  • O. Aonuma, Y. Hoshi, T. Tayagaki, A. Novikov, D. Yurasov and N. Usami, «Control of surface dip diameter in Si-based photonic nanostructures by changing growth temperature of Ge quantum dot multilayer structures and its impact on their optical properties», Jap. J. Appl. Phys. 54, 08KA01 (2015)
  • D. V. Yurasov, A. V. Antonov, M. N. Drozdov, V. B. Schmagin, K. E. Spirin, and A. V. Novikov, «Antimony segregation in Ge and formation of n-type selectively doped Ge films in molecular beam epitaxy», J. Appl. Phys. 118, 145701 (2015)
  • Д.В. Юрасов, А. И. Бобров, В. М. Данильцев, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, «Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных Ge/Si (001) слоев, полученных методом МПЭ», ФТП 49, 1463 (2015)
  • P.V. Volkov, А.V. Goryunov, D.N. Lobanov, А.Yu. Lukyanov, А.V. Novikov, А.D. Tertyshnik, М.V. Shaleev, D.V. Yurasov, «Features of SOI substrates heating in MBE growth process obtained by low-coherence tandem interferometry», J. Cryst. Growth 448, 89 (2016)
  • V.Ya. Aleshkin, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, A.G. Fefelov, Z.F. Krasilnik, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, I.V. Samartsev, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, A.A. Sushkov, A.N. Yablonskiy, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, «Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grown by MOCVD on exact Ge/Si (001) substrate», Appl. Phys. Lett. 109, 061111 (2016)
  • N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, Yu.S. Polubavkina, M.V. Maximov, M.M. Kulagina, S.I. Troshkov, Yu. M. Zadiranov, A.A. Lipovskii, N.V. Baidus, A.A. Dubinov, Z.F. Krasilnik, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, D.V. Yurasov, A.E. Zhukov, «Electrically pumped InGaAs/GaAs quantum well microdisk lasers directly grown on Si (100) with Ge/GaAs buffer», Opt. Expr. 25, 16754 (2017)
  • D.V. Yurasov, A.V. Novikov, M.V. Shaleev, N.A. Baidakova, E.E. Morozova, E.V. Skorokhodov, Y. Ota, A. Hombe, Y. Kurokawa and N. Usami, «Formation of black silicon using SiGe self-assembled islands as a mask for selective anisotropic etching of silicon «, Mater. Sci. Semicond. Proc. 75, 143 (2018)

Contact detail

Phone: +7 (831) 417−94−82 +102

E-mail: inquisitor@ipmras.ru

© 2000—2020, IPM RAS.
E-mail: director@ipmras.ru

Address: Academicheskaya Str., 7, Afonino, Nizhny Novgorod region, Kstovsky district, Kstovo region, 603087, Russia

Phone: +7 831 4179473,
Fax: +7 831 4179464,
Mail address: GSP-105, Nizhny Novgorod, 603950, Russia