Институт физики микроструктур РАН, официальный сайт
Меню
EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

EN

Институт физики микроструктур РАН

- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН)

ИФМ РАН

Институт физики микроструктур РАН

В ИФМ РАН ведутся фундаментальные научные исследования и прикладные работы в следующих областях: физики, технологии и диагностики твердотельных микро- и наноструктур; многослойной оптике рентгеновского и ультрафиолетового диапазонов; кремниевой оптоэлектронике; спектроскопии, спектрометрии и электроники терагерцового и субтерагерцового диапазонов; физики магнитных наноструктур и спинтроники; физики сверхпроводников и сверхпроводниковой электроники.

Исследования в указанных областях ведут 275 сотрудников, из них более 180 исследователей, в том числе 25 докторов и 80 кандидатов наук, 1 академик, 2 чл.-корр. РАН.

ИФМ имеет современное научное оборудование, возможностями которого сотрудники других организаций могут воспользоваться через «Центр коллективного пользования «Физика и технология микро- и наноструктур».

В области научных исследований и подготовки кадров ИФМ РАН тесно сотрудничает с Национальным исследовательским Нижегородским государственным университетом им. Н.И. Лобачевского. В ИФМ РАН работает межфакультетская базовая кафедра Университета Лобачевского «Физика наноструктур и наноэлектроника».

Подробно

Семинары

Руководитель: А.В. Новиков, д. ф.-м. н., директор ИФМ РАН
Секретарь: Д. М. Гапонова, уч. секретарь

Руководители: З.Ф. Красильник, д.ф.-м.н., руководитель научного направления «Физика микро- и наноструктур»

Секретарь: Л.В. Красильникова, к.ф.-м.н, н.с.

Все семинары

Новости, исследования, конкурсы

На ул.Академической появился мурал с изображением Андрея Викторовича Гапонова-Грехова

На ул.Академической появился мурал с изображением Андрея Викторовича Гапонова-Грехова

27.10.2025

В серию знаменитых ученых, кроме основателя ИПФ РАН, вошли также портреты Александра Попова, Николая Лобачевского, Михаила Ломоносова, Исаака Ньютона, Альберта Эйнштейна, Константина Циолковского, Дмитрия Менделеева, Сергея Королева. 

По сообщению журналистов, инициаторами создания граффити стали представители ЖК "Академический".
14.10.2025

Итоги IX открытого конкурса научных работ молодых ученых в области нанофизики и нанотехнологий, элементной базы и научного приборостроения для применения в области наноэлектроники

6 и 7 октября 2025 г. в ИФМ РАН проходила устная сессия IX открытого конкурса научных работ молодых ученых, выполненных по направлениям: нанофизика, нанотехнологии, элементная база наноэлектроники, научное приборостроение для нанофизики и наноэлектроники.

В этом году в конкурсе участвовало 15 молодых ученых из ИФМ РАН, ННГУ им. Н.И. Лобачевского и НИИИС им. Ю.Е. Седакова.

В номинации «Работы, выполненные кандидатами наук» Диплом первой степени получил:
- М.А. Кузнецов (ИФМ РАН) за работу "Обменное усиление магнитокалорического эффекта в структуре ферромагнетик/антиферромагнетик".

В номинации «Работы, выполненные молодыми учеными без ученой степени» Конкурсная комиссия присудила Диплом первой степени:
- А.А. Назаров (ИФМ РАН) за работу "Молекулярно-динамическое моделирование развития шероховатости в процессе распыления монокристаллического кремния ионами аргона";

Диплом второй степени присужден:
- Р.А. Шапошников (ИФМ РАН) за работу "Высокоотражающие многослойные рентгеновские зеркала на основе пары материалов Cr/C для «окна прозрачности углерода»";
- К.А. Мажукина за работу "Генерация излучения в непрерывном режиме в лазерах на основе HgCdTe";

Диплом третьей степени присужден:
- Д.С. Клементьев (РФЯЦ-ВНИИЭФ, НИИИС им. Ю.Е. Седакова), за работу "Разработка технологии изготовления планарных оптических микросхем на основе системы SiO2/SiON/SiO2 в топологии Y-разветвителя для создания оптоэлектронных высокоскоростных устройств";
- А.Н. Орлова (ИФМ РАН), за работу "Неоднородные магнитные состояния в структурах ФМ/АФМ";
- А.В. Перетокин (ИФМ РАН), за работу "Наблюдение и возможности управления связанными состояниями в континууме в люминесцентном отклике кремниевых фотонно-кристаллических пластин с наноостровками Ge(Si)";
- С.С. Морозов (ИФМ РАН) за работу "Компактный VLS-спектрограф для исследования спектров источников излучения мягкого рентгеновского диапазона".

По результатам конкурса лучшие работы в обеих номинациях премируются:
Первая премия – 50 000 руб.
Вторая премия – 25 000 руб.
Третья премия – 15 000 руб.

Награждение состоится на Ученом совете 17 октября 2025г. в 11:00.

ПОЗДРАВЛЯЕМ ПОБЕДИТЕЛЕЙ КОНКУРСА И ЖЕЛАЕМ УСПЕХОВ В ДАЛЬНЕЙШЕЙ НАУЧНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ!

Все новости